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公开(公告)号：CN109073999B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201780027341.X
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·范李斯特 , A·特斯阿特马斯 , P·C·欣南 , E·G·麦克纳马拉 , A·弗玛 , T·希尤维斯 , H·A·J·克拉默 , M·I·德拉富恩特瓦伦丁 , K·范维特文 , M·M·扎尔 , 王淑錦
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性，并且其中所述单位单元具有特征，所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性。
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公开(公告)号：CN108700823B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201780012362.4
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。
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公开(公告)号：CN111886546A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020487.0
申请日：2019-01-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·潘迪 , 周子理 , G·范德祖 , A·登博夫 , M·G·M·M·范克莱杰 , A·E·A·库伦 , H·A·J·克拉默 , P·C·欣南 , M·H·M·范威特 , A·蔡亚马斯 , 王淑锦 , B·O·法格金杰·奥尔 , A·弗玛
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文描述了检查设备、方法和与之相关联的系统。在非限制性实施例中，检查设备包括光学系统和成像系统。光学系统可被配置成输出入射到包括一个或更多个特征的目标上的照射束，并且当入射到目标上时被偏振以具有第一偏振。成像系统可被配置成获得表示由一个或更多个特征散射的至少照射束的部分的强度数据，其中照射束的部分具有与第一偏振正交的第二偏振；基于强度数据生成表示每个特征的图像的图像数据；并且基于具有第二偏振的照射束的部分的量来确定与特征相关联的关注的参数的测量。
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公开(公告)号：CN108931891B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN111051994A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880058754.9
申请日：2018-08-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种测量光刻装置的焦点性能的方法以及对应的图案化设备和光刻装置。该方法包括使用光刻装置印刷一个或多个第一印刷结构和第二印刷结构。第一印刷结构通过具有第一非远心度的照射印刷，而第二印刷结构通过具有不同于所述第一非远心度的第二非远心度的照射印刷。测量与所述衬底上的第一印刷结构和第二印刷结构之间的焦点相关位置偏移有关的焦点相关参数，并由此得到至少部分基于焦点相关参数的焦点性能的测量。
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公开(公告)号：CN108931891A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN1506768B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN03164859.2
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·B·M·范比森 , J·伯格胡恩 , R·J·F·范哈伦 , P·C·欣南 , H·G·范霍斯森 , J·休布雷格特塞 , A·B·约伊宁克 , H·梅根斯 , R·纳瓦罗科伦 , H·P·T·托斯马 , H·J·G·西蒙斯 , J·R·舒尔休斯 , S·I·彻特斯 , Y·B·李 , A·R·邓巴
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01S3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 一种光刻装置的对准系统，包括对准辐射源，具有第一检测器通道和第二检测器通道的检测系统，与检测系统通信连接的定位单元。定位单元用于处理来自第一和第二检测器通道的信息，并将其结合从而根据组合信息确定第一物体上的对准标记相对于第二物体上的参考位置的位置。
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公开(公告)号：CN1534387A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03164840.1
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。
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