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公开(公告)号：CN103378229A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310143414.5
申请日：2013-04-23
申请人： 奈米晶光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/027 , C30B25/02 , C30B29/406 , G03F7/00 , G03F7/0002 , H01L33/18
摘要： 本发明是有关于一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，包括有下列步骤：提供蓝宝石基板，形成氮化镓基层，涂布光刻胶层，进行压印及曝光显影，进行填胶以及进行烧结。本发明的制造方法可以在大气环境中制造，无须抽真空，快速简便又成本低廉。以本发明的方法所制造的选择性成长遮罩，可使纳米柱的成长更容易成为柱状体，且与蓝宝石基板及氮化镓基层相垂直，每一纳米柱彼此间更相互平行。
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公开(公告)号：CN103293871A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210563050.1
申请日：2012-12-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F7/00 , G03F1/00 , G03F7/70433 , G06F17/5081 , G06F19/00 , G21K5/00
摘要： 描述了一种光刻工艺中的数据准备的方法。该方法包括在图形数据库系统GDS网格中提供集成电路(IC)布局设计，将IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格，对第一曝光网格应用无方向性抖动技术，在对第一曝光网格应用抖动的同时，对第一曝光网格应用网格移位，以生成网格移位曝光网格，并且对网格移位曝光网格应用抖动，并且将第一曝光网格(在接受抖动之后)与网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成第二曝光网格。本发明还提供了一种无方向性抖动方法。
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公开(公告)号：CN103151359A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310082081.X
申请日：2013-03-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G03F7/00
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G03F7/00 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/78636 , H01L29/7869
摘要： 本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括：基板，所述基板上依次设有薄膜晶体管、钝化层和透明电极层，所述树钝化层上形成凹槽，所述透明电极层设置于凹槽内。本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，制作工艺简单，采用具有凹槽的钝化层，利用光刻胶进行灰化工艺形成透明电极层，从而省略制备透明电极的掩模板，可最大程度降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102983230A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN102627586A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210028643.8
申请日：2012-02-07
申请人： 锦湖石油化学株式会社
IPC分类号： C07C309/10 , C07C303/32 , C07C381/12 , G03F7/004
CPC分类号： C07C309/10 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , G03F7/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： 本发明涉及光酸产生剂、其制备方法及包含光酸产生剂的抗蚀剂组合物。本发明提供由下式(1)表示的光酸产生剂、制备所述光酸产生剂的方法，以及包含所述光酸产生剂的抗蚀剂组合物：[化学式1]其中在式(1)中，Y、X、R1、R2、n1、n2和A+具有与本发明详述中相同的定义。所述光酸产生剂在ArF浸液式光刻法时可保持合适的接触角，可减少浸液式光刻法过程中出现的缺陷，在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性，并且与树脂的相容性很好。此外，所述光酸产生剂可使用工业易得的环氧化合物，通过有效且简单的方法进行制备。
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公开(公告)号：CN102597875A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080046130.9
申请日：2010-10-14
申请人： 比奥卡尔齐什股份有限公司
CPC分类号： B44C1/227 , B01J2219/00497 , B01J2219/00502 , B01J2219/00536 , B01J2219/00554 , B01J2219/00556 , B01J2219/00576 , B01J2219/00612 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00722 , B81C99/008 , G03F7/00 , H01L21/0272
摘要： 本发明公开了适合用于荧光检验的硅微载体，以及生产此类微载体的方法。该方法包括以下步骤：提供包含单晶硅的底层、绝缘层和单晶硅的底层的SOI晶片，刻划微颗粒，刻蚀掉绝缘层，然后将氧化物层沉积于晶片上，晶片仍然支持微颗粒，最后提离微颗粒。
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公开(公告)号：CN101038440B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710085765.X
申请日：2007-03-14
申请人： 劳力士有限公司
发明人： C·绍奇
CPC分类号： C25D1/003 , B81B2201/035 , B81C99/0085 , B81C2201/032 , C25D1/20 , G03F7/00
摘要： 本发明涉及用于以LIGA工艺制造单层或多层金属结构体的方法，其中将光致抗蚀剂层沉积在平坦金属衬底上，通过辐照或电子或离子轰击产生光致抗蚀剂模具，将金属或合金电镀在该模具中，将电铸的金属结构体从所述衬底脱离，并且从该金属结构体分离所述光致抗蚀剂，其中将所述金属衬底用作涉及形成金属结构体除了由所述衬底的平表面形成的表面以外的至少一个表面的媒介。
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公开(公告)号：CN100350820C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN01811865.8
申请日：2001-06-26
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
发明人： R·L·科伊斯彦
CPC分类号： H05K3/046 , G03F7/00 , G03F7/36 , H05K3/207 , H05K2203/0525 , H05K2203/0528
摘要： 一种使用光敏聚合物层形成厚膜电功能图形的方法。将有粘性的光敏层施加到基材表面上。采用光化辐射对光敏层进行图形成像，光敏层的曝光区域硬化且变得无粘性。然后施加厚膜组合物，片材将使得厚膜粘合于残留的粘合性区域。剥离掉片材，就会产生厚膜印刷图形。这个步骤以后是由使用的厚膜组合物决定的处理过程，形成有电功能特性的图形。本发明也涉及从用过的片材上回收厚膜组合物的方法。
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公开(公告)号：CN1885160A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093230.2
申请日：2006-06-23
申请人： 大日本网目版制造株式会社
CPC分类号： H01L21/02087 , G03F7/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2041 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67225 , H01L21/67742 , Y10S134/902
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有：分度器模块、端部清洗处理模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块、抗蚀覆盖膜用处理模块、抗蚀覆盖膜除去模块、清洗/干燥处理模块以及接口模块。相邻于基板处理装置的接口模块而配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行对基板的曝光处理。在端部清洗模块的端部清洗处理部中，对曝光处理前的基板的端部进行清洗。
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