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公开(公告)号：CN103066832A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210524380.X
申请日：2012-12-07
申请人： 广州慧智微电子有限公司
发明人： 马军
CPC分类号： H02M3/07 , H02M1/36 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/27
摘要： 本发明公开了一种能快速启动的电荷泵。在电荷泵使能信号到来后，利用很短的一段时间，给电荷泵的泵电电容、负载电容充电，称之预充电操作；在随后的正常工作期间，泵电电容、输出电容通过适当的开关配置成电荷泵正常工作所需的连接关系，以保证电荷泵能够正常工作。由于对泵电电容和输出电容的预充电操作，缩短了输出电容电位达到稳态值所需的时间。
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公开(公告)号：CN108111135B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710872537.0
申请日：2017-09-25
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/516
摘要： 本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏置电路，其提供第一偏置电流或电压；第二偏置电路，其提供第二偏置电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集电极提供电源电压，第一晶体管的发射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压，对第二晶体管的集电极提供电源电压，第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压，从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。
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公开(公告)号：CN109716648A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056627.0
申请日：2017-07-26
申请人： 派赛公司
发明人： 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
摘要： 用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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公开(公告)号：CN109302149A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710617294.6
申请日：2017-07-25
申请人： 中兴通讯股份有限公司
发明人： 张利
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种信号放大电路，该信号放大电路包括稳定电路，稳定电路包括带外信号抑制电路、射频选频装置和阻抗变换器；阻抗变换器的第一端呈现高阻抗，阻抗变换器的第二端与射频选频装置的一端连接，射频选频装置相对阻抗变换器的另一端接地；带外信号抑制电路的两端分别与射频选频装置的两端连接；阻抗变换器的第一端与输入匹配电路的输出端和所述放大器的输入端连接或者阻抗变换器的第一端与放大器的输出端和输出匹配电路的输入端连接或者阻抗变换器的第一端与所述输入匹配电路的输入端及用于输入信号的射频输入端子连接或者阻抗变换器与输出匹配电路的输出端及用于输出信号的射频输出端子连接。本发明提高了信号放大电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN108768309A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810595258.9
申请日：2018-06-11
申请人： 聚辰半导体(上海)有限公司
发明人： 张钒炯
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/52 , H03F3/187 , H03F3/213 , H03F3/217 , H03F2200/03 , H03F2200/351 , H03F2200/372
摘要： 一种音频功率放大器及其瞬态噪声抑制方法，在音频功率放大器上电和/或下电的过程中，分段速率控制模块将上电时间或下电时间进行分段，每个时间分段采用不同的速率对功率级电路的输出进行信号上升或信号下降。本发明可以有效防止电路负载两端的短时间内的大幅度电压突变引起的高电压或者大电流，有效降低了开关机的爆破音，避免了对电路或者负载自身造成损坏，有效避免了音频系统的误触发过压/过流保护，防止在开关机过程中出现降低系统性能的情况出现。
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公开(公告)号：CN108768304A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810613494.9
申请日：2018-06-14
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
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公开(公告)号：CN105048980B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510508463.3
申请日：2015-08-18
申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC分类号： H04R3/02 , H03F1/305 , H03F1/342 , H03F3/185 , H03F3/187 , H03F3/213 , H03F3/217 , H03F3/2171 , H03F3/2173 , H03F3/38 , H03F3/45475 , H03F2200/03 , H03F2200/351 , H03F2200/432 , H03F2203/45512 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45631 , H03F2203/45634 , H03F2203/45702 , H03G3/348 , H04R2430/01
摘要： 本发明公开了一种D类音频放大器，在系统启动阶段，利用由辅助功率放大电路和辅助反馈电路构成的辅助闭环先行让环路建立起来，建立好各电路模块的稳态工作点之后，再断开辅助闭环，系统进入正常的工作阶段，并设置一软启电路，消除启动过程中的噪声干扰，从而达到抑制启动过程中输出端POP噪声的目的。
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公开(公告)号：CN108462475A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711391172.6
申请日：2017-12-21
申请人： 波音公司
IPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F1/30 , H01L23/538
CPC分类号： H03F1/30 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6661 , H01L2223/6683 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/602 , H03F3/605 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/543 , H03F3/19 , H01L23/5389 , H03F3/21
摘要： 本申请公开了3D低通量、高功率MMIC放大器。本公开涉及用于为功率放大器电路中的晶体管元件提供三维装置架构的系统和方法。即，示例系统(200)可以包括设置在第一基板(210)上的多个高电子迁移率晶体管(212)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第一部分经由设置在第一基板(210)上的相应第一层级互连件(214)电耦接。系统(200)还包括设置在第二基板(220)上的多个第二层级互连件(224)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第二部分经由相应的第二层级互连件(224)电耦接。第一基板(210)和第二基板(220)耦接为使得多个高电子迁移率晶体管(212)通过第一层级互连件(214)或第二层级互连件(224)中的至少一个提供放大的输出信号。
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公开(公告)号：CN108155876A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711265603.4
申请日：2017-12-05
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 吉崎保展
CPC分类号： H03F1/302 , H03F1/0205 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： 本发明提供包括多个放大电路并可进行高精度的温度补偿的高频模块及通信装置。高频模块包括：基板；设置在基板的第1区域中作为第1放大电路的低噪声放大电路；设置在基板的第2区域中作为第2放大电路的功率放大电路；以及作为设置在基板的第1区域与第2区域之间且发热性低于功率放大电路的组件的双工器，低噪声放大电路具有：生成依赖于第1二极管的温度特性的偏置电流(IBIAS)的偏置电路；生成依赖于第2二极管的温度特性的电压(VREF)以作为所述偏置电路的工作电压的电压生成电路；以及在由偏置电流(IBIAS)确定的工作点处工作的放大电路。
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公开(公告)号：CN106842286B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710044225.0
申请日：2017-01-19
申请人： 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC分类号： G01V1/157
CPC分类号： E21B47/14 , G01V1/005 , G01V1/46 , G01V1/48 , G01V1/52 , G01V2200/16 , G01V2210/127 , G01V2210/6161 , H03F3/213 , H03F3/26 , H03F3/423 , H03F2203/7206
摘要： 本发明主要属于信号激励领域，具体涉及一种多极子随钻声波测井的正弦激励方法及装置。利用信号处理器生成N个周期的正弦波信号，利用功率放大器将正弦波信号放大成高压正弦激励信号并输出至发射换能器，其特征在于，信号处理器同时产生使能信号，所述使能信号包括瞬态放电使能信号，功率放大器连接有瞬态放电电路，在信号处理器生成N个周期的正弦波后，瞬态放电使能信号使瞬态放电电路放电释放功率变压器的储能电流，消除高压振铃效应，提高换能器激发效率。
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