公开(公告)号：CN118626374A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410745770.2

申请日：2024-06-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  邓永峰 ,  刘芳 ,  池泊明 ,  朱亚星 ,  赵扬 ,  倪芳

IPC分类号： G06F11/36

摘要： 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。

公开(公告)号：CN118610265A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411082426.6

申请日：2024-08-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  吴波 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底，由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层及突出于重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层；第二氧化层包括栅氧化层和场板氧化层，场板氧化层厚度大于栅氧化层厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层形成于未被第二氧化层和第二衬底层覆盖的重掺杂硅层上；重掺杂多晶硅层、第三氧化层、形成于体区及部分漂移区底部的第二氧化层和重掺杂多晶硅层、体区及部分漂移区底部的重掺杂硅层作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和第二氧化层作为第二场板。本发明能够增加载流子流通通道，增大晶体管的工作电流。

公开(公告)号：CN117276349A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311569965.8

申请日：2023-11-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  郁文 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  付振 ,  邓永峰 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02

摘要： 本申请公开了一种抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片，属于半导体技术领域。抗辐射动态阈值调制半导体器件包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，底栅层位于体区和漂移区的正下方，顶栅层位于体区和漂移区的正上方，底栅层和顶栅层在体区和漂移区内形成方向相反的电场。在器件开态时，导电沟道形成于器件内部，远离器件表面，从而不易受外界辐射干扰，器件更稳定；此外，通过采用双栅结构，能够通过器件设计，双栅动态调控获得电路所需的不同阈值电压，从而节约了调整工艺参数及工序的成本。

公开(公告)号：CN116930670B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311205204.4

申请日：2023-09-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 黄保成 ,  赵扬 ,  高杰 ,  翟振 ,  成睿琦 ,  杨小娟 ,  仝傲宇

IPC分类号： G01R31/00

摘要： 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。

公开(公告)号：CN118763118A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411239239.4

申请日：2024-09-05

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  王爽 ,  许凯 ,  高大为 ,  吴永玉 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、分离式深栅结构及场板结构，体区、漂移区、源区及漏区形成于衬底中，体区与源区相接，漂移区与漏区相接；分离式深栅结构包括多个嵌入体区内的纵向深栅，相邻两个纵向深栅之间通过体区相互隔离；场板结构包括多个嵌入漂移区内的场氧化层，相邻两个场氧化层之间通过漂移区相互隔离；相邻两个纵向深栅之间的体区与相邻两个场氧化层之间的漂移区相接，多个纵向深栅分别与多个场氧化层相接。本发明采用分离式的纵向深栅结构和场板结构形成多个导电沟道，增加栅对沟道的控制，增加器件的导通电流，从而降低导通电阻。

公开(公告)号：CN118011175A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410420863.8

申请日：2024-04-09

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

发明人： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  宋斌斌 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  左阿惠 ,  许玉洁 ,  孟庆萌 ,  常泽洲 ,  齐宇

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。

公开(公告)号：CN117309035A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311085428.6

申请日：2023-08-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵扬 ,  陈燕宁 ,  仝傲宇 ,  高杰 ,  成睿琦 ,  贾晨 ,  范维 ,  杨璐羽 ,  段方维

IPC分类号： G01D21/02 ,  G01D11/30

摘要： 本发明涉及变电站监测领域，公开了一种变电站场景下的多物理场复杂环境的监测采集装置，包括底座、支撑架、支撑条带、设置在支撑条带上的多个齿板、监测盒和驱动组件，监测盒具有多个监测口，监测盒中设置有位于监测口处的齿套和传动组件，齿套的外周上设置有多物理场传感器，传动组件能够传动连接齿板和齿套，驱动组件能够驱动监测盒升降移动，其中，当监测盒到达齿板时，多物理场传感器暴露，当监测盒脱离齿板时，多物理场传感器隐藏。通过上述技术方案，可以使得多物理场传感器在不同的高度位置监测环形的温湿度与电磁场，并且在不需要测量的位置将多物理场传感器隐藏在监测盒中，以保护多物理场传感，避免其受损坏，特别是避免其受到污物污染，可以提高其检测准确度。

公开(公告)号：CN116930594A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311178015.2

申请日：2023-09-13

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 宋斌斌 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  高杰 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  黄保成 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G01R19/00 ,  G06F30/38

摘要： 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。

公开(公告)号：CN118731510A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410739816.X

申请日：2024-06-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网冀北电力有限公司计量中心 ,  国网四川省电力公司营销服务中心

发明人： 杨小娟 ,  袁瑞铭 ,  赵扬 ,  李文文 ,  高杰 ,  翟振 ,  申杰 ,  黄保成 ,  成睿琦 ,  罗宗兰 ,  仝傲宇

IPC分类号： G01R29/08

摘要： 本申请提供一种EFT测试装置、方法及EFT故障诊断方法，属于电磁干扰技术领域。所述EFT测试装置与待测设备并联到交流电源，EFT测试装置包括：通断装置、干扰耦合装置以及感性负载，所述通断装置、干扰耦合装置以及感性负载串联后连接到交流电源，所述干扰耦合装置用于连接在待测设备上以将感性负载断开时产生的EFT耦合到待测设备上，所述通断装置控制感性负载的通断，以使感性负载在断开时产生EFT。该EFT测试装置采用的各元件成本低，在研发实验环境中可以快速获取相应元件并搭建好测试装置，可以实现第三方检测实验室外的EFT测试，无需采购专用设备，不受实验排期、场地的限制。成本低，周期短，可操作性强。

公开(公告)号：CN118315291A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410706029.5

申请日：2024-06-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  夏雨俨 ,  陶然 ,  吴永玉 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  章明瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H04L25/02 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种电容隔离器及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，发射机芯片和/或接收机芯片设置有硅通孔；将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再受制于集成电路后端金属互联层的厚度，提高了电容器耐压，可以避免在金属间绝缘层的沉积过程中对硅衬底产生较大的机械应力，降低了衬底弯曲或碎裂和器件失效的风险，从而提高了器件的可靠性。通过将传统的二维集成电路转变为三维集成电路，提高芯片面积率用率，提供了更优的电路连接，降低应力引发器件失效的风险，提高器件可靠性。