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公开(公告)号：CN101733547B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200910225275.4
申请日：2009-11-18
Applicant: 德莎欧洲公司
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/009 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/007 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B41M5/24 , B41M5/267
Abstract: 本发明提供用高能辐射加工材料的方法，其中用高能辐射，具体地用激光束(9)照射聚合物基体(1)，其中辐射聚焦于焦点(11)，设置焦点(11)以使其位于面向辐射的聚合物基体表面之后，并引起聚合物基体(1)的材料去除，从而在聚合物基体(1)内形成反应空间(13)。
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公开(公告)号：CN102543868B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110217321.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L23/585 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。
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公开(公告)号：CN101669224B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN200680028267.5
申请日：2006-05-30
Applicant: 造型逻辑有限公司
Inventor： 卡尔·海顿 , 保罗·卡安 , 托马斯·梅雷迪思·布朗
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/102 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/02675 , H01L21/268 , H01L21/76894 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/78681 , H01L51/0017 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 本发明涉及一种制作诸如薄膜晶体管之类的电子器件的方法，使用激光切除用于选择性切除。所述有机电子器件具有这样的结构，包括上导电层和所述上导电层的紧邻下层，并且具有至少一种溶液可处理半导体层，制作所述有机电子器件的方法包括通过以下步骤对所述结构的所述上导电层进行构图：使用脉冲激光对所述上导电层进行激光切除以从用于所述构图的所述下层去除上导电层的区域；以及其中所述激光切除使用所述激光的单独脉冲以实质上完全地去除所述上导电层的所述区域以暴露出下面的所述下层。
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公开(公告)号：CN101789394B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200910260495.0
申请日：2009-12-15
Applicant: 圣戈本玻璃法国公司
IPC: H01L31/18 , H01L27/142 , B23K26/36 , B08B7/00
CPC classification number: H01L31/046 , B08B7/0042 , B23K26/352 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , H01L31/0463 , H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10T83/0333
Abstract: 本发明公开了制造光伏器件的方法及用于构图物体的系统。所述方法包括如下步骤：在第二层结构上提供第一层结构，使得第一层结构具有外表面及与第二层结构的界面，第一层结构包括薄膜光伏吸收体层；通过首先在预定的构图区域从第一层结构机械地除去材料，然后利用激光清除从构图区域中除去机械清除的残留材料，来构图通过第一层结构而从外表面到达或者进入第二层结构。在所述系统中，所述物体具有在第二层结构上的第一层结构，该系统包括机械构图设备和激光清除设备及用于在物体、机械构图设备和激光清除设备之间相对移动的装置。
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公开(公告)号：CN103582943A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027213.2
申请日：2012-05-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/67207
Abstract: 提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板，并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103563054A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026607.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67207 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/67069 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明揭示切割具有数个IC的基板的方法。方法包括以下步骤：在半导体基板之上形成遮罩，遮罩包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后，经由图案化遮罩中的间隙蚀刻基板藉以单分(singulate)IC，并洗去水溶性材料层。
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公开(公告)号：CN103502787A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280013585.X
申请日：2012-02-10
Applicant: 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
Inventor： 武尔费特·德鲁斯 , 安德烈亚斯·罗斯贝格 , 埃尔克·施密特 , 安德烈·贝林格尔 , 拉尔夫·尤林
CPC classification number: G01L9/0048 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K26/211 , B23K26/32 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/52 , C04B35/111 , C04B37/006 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/665 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/124 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/592 , C04B2237/60 , C04B2237/708 , C22C16/00 , C22C30/02 , G01L9/0075
Abstract: 本发明涉及一种用于制造压力传感器1的方法，该压力传感器包括陶瓷主体2和陶瓷测量膜3，其中，利用活性硬焊料4使测量膜与主体压力密闭地接合，其中，该方法包括：提供主体2和测量膜3和活性硬焊料4；将活性硬焊料定位在主体与测量膜之间；利用激光器10通过辐照活性硬焊料来熔化活性硬焊料，其中，穿过测量膜辐照活性硬焊料；以及通过冷却使活性硬焊料硬化。
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公开(公告)号：CN103501926A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021457.X
申请日：2012-05-02
Applicant: 斯奈克玛
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/3568 , B23K26/3584 , B23K26/361 , B23K26/362 , B23K26/40 , B23K2101/34 , B23K2103/08 , B23K2103/172 , B23K2103/52 , F01D5/005 , F01D5/284 , F01D5/288 , F01D25/002 , F05D2230/13 , F05D2230/90 , Y10T29/49318
Abstract: 本发明涉及用于清洁涡轮轴发动机叶片（1）的方法，该叶片包括涂覆有涂层的超级合金本体，其中使用脉冲激光器（3）至少部分地机械加工叶片（1）的涂层，参数化至少脉冲激光器（3）的进给速率和脉冲激光器（3）的脉冲频率，这样叶片（1）的机械加工的表面具有4μm到10μm的粗糙度。
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公开(公告)号：CN103442840A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280012947.3
申请日：2012-01-11
Applicant: 落叶松科学有限公司
Inventor： 马修·E·苏特
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/06 , B23K26/0626 , B23K26/0853 , B23K26/127 , B23K26/142 , B23K26/1462 , B23K26/364 , B23K2103/172 , H01L21/76865 , H01L21/76871
Abstract: 针对一实施例，一种用于在衬底(104)的表面上制作导电迹线及互连件的方法包含在所述衬底(104)的所述表面上形成电介质层或聚合物层(404)；在所述电介质层或聚合物层(404)上形成导电材料的晶种层(402)；将所述晶种层上的光致抗蚀剂图案化；在所述经图案化的光致抗蚀剂及晶种层上形成所述导电迹线；从所述衬底(104)移除所述光致抗蚀剂；及用可有效地从所述衬底表面的除所述导电迹线以外的区域烧蚀所述晶种层(402)的激光(108)的通量照射所述衬底的所述表面。
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公开(公告)号：CN103429375A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012838.1
申请日：2012-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B32B15/043 , B22F2998/00 , B23K1/0008 , B23K20/00 , B23K35/0233 , B23K35/302 , B23K2101/02 , B23K2101/20 , B23K2103/05 , B23K2103/16 , B23K2103/172 , B23K2103/18 , B23K2103/52 , B23P15/243 , B28B3/269 , B32B15/04 , B32B15/18 , B32B2307/536 , C21D1/18 , C21D1/74 , C21D2211/008 , C22C29/08 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/18 , C22C2204/00 , C23C8/20 , C23C8/80 , Y10T428/1234 , Y10T428/1284
Abstract: 提供一种碳化钨基硬质合金接合体，具备：具有第1接合面(5)、由含有马氏体组织的钢铁材料构成的第1金属构件(2)，以及具有第2接合面(6)、第2接合面(6)与第1金属构件(2)的第1接合面(5)直接接合的、由碳化钨基硬质合金构成的第2金属构件(3)；构成第1金属构件(2)的含有马氏体组织的钢铁材料是平均碳含量0.10～0.40质量％的不锈钢；第1金属构件(2)的自第1接合面(5)起深度0.70～3.00mm为止的范围内具有高碳浓度区域，高碳浓度区域的碳浓度的最大值为0.3～1.2质量％；是接合强度大、并且机械强度良好的碳化钨基硬质合金接合体。
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