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公开(公告)号：CN106978617A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610712017.9
申请日：2016-08-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01R4/2433 , C25D3/38 , C25D5/16 , C25D7/00 , C25D7/123 , H01R13/506 , H02G3/081 , H02G15/06 , C25D7/12 , C25D3/58
摘要： 本发明提供一种于凹入结构内电镀金属的方法及位于凹入结构内的电镀层。于凹入结构内电镀金属的方法，包含使凹入结构的表面接触包含金属离子、加速剂、抑制剂与整平剂的电镀溶液，其中凹入结构具有至少二个伸长区域及一个交界区域侧向位于此二个伸长区域之间，且加速剂：抑制剂：整平剂的摩尔浓度比为(8‑15)：(1.5‑3)：(0.5‑2)；电镀金属，以形成电镀层于凹入结构内。
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公开(公告)号：CN106929900A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610994437.0
申请日：2016-11-11
申请人： 应用材料公司
发明人： 保罗·R·麦克休 , 格雷戈里·J·威尔逊
CPC分类号： C25D21/18 , C25D3/38 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/10 , C25D17/00 , C25D7/12 , C25D21/14
摘要： 一种电镀系统包括具有容器的处理器，所述容器具有分别含有阴极电解液和阳极电解液的第一或上隔室和第二或下隔室，在所述隔室之间存在处理器阴离子隔膜。惰性阳极安置在所述第二隔室中。补充器经由阴极电解液返回线和供应线和阳极电解液返回线和供应线与所述容器连接，从而使阴极电解液和阳极电解液流通经过由补充器阴离子隔膜分离的所述补充器中的隔室。所述补充器通过移动来自块体金属源的离子将金属离子添加到所述阴极电解液中，并且将来自所述阳极电解液的阴离子移动穿过所述阴离子隔膜并且到所述阴极电解液中。所述阴极电解液和所述阳极电解液中的金属离子和阴离子的浓度保持平衡。
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公开(公告)号：CN104204307B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380013068.7
申请日：2013-03-06
申请人： 奥图泰(芬兰)公司
摘要： 一种用于电解沉积工艺的阳极(1)，位于电解单元(4)中，所述电解单元具有用于保持电解液的单元壁(2)和单元底部(3)以及电解液供给装置(6)，阳极包括用于支撑所述阳极的悬架条(7)，用于分配电流到所述阳极的传导棒(8)，具有至少部分导电结构的阳极主体(9)，所述阳极主体允许电解液穿透并且至少部分地被电催化涂层覆盖，与所述阳极(1)有关地布置有非导电元件(10、12、14)，其至少从一侧被限制到所述阳极主体(9)的所述导电结构，并且当所述非导电元件提供用于将所述阳极附接到所述电解单元(4)的装置时非导电元件被布置在离所述电解液水平面(11)的距离A处。本发明也涉及操作在金属的电解沉积中使用的电解单元的方法。
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公开(公告)号：CN106795642A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580044549.3
申请日：2015-08-18
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： C25D5/12 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B2311/12 , B32B2311/16 , B32B2457/00 , C22C13/00 , C23C18/16 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , C25D3/12 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/50 , C25D5/505 , H01R13/02 , H01R13/03 , H01R13/04 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/264 , Y10T428/265 , Y10T428/273
摘要： 一种镀锡铜合金端子材，在由铜或铜合金构成的基材表面形成有Sn类表面层，且在Sn类表面层与基材之间，从Sn类表面层依次形成有Cu‑Sn合金层以及Ni层或Ni合金层，所述镀锡铜合金端子材中，Cu‑Sn合金层为仅由金属间化合物合金构成的层，所述金属间化合物合金为Cu6Sn5合金的Cu的一部分取代为Ni的金属间化合物合金，Cu‑Sn合金层的一部分从Sn类表面层露出而形成多个露出部，Sn类表面层的平均厚度为0.2μm以上且0.6μm以下，Cu‑Sn合金层的露出部相对于表面积的面积率为1％以上且40％以下，Cu‑Sn合金层的各露出部的当量圆直径的平均值为0.1μm以上且1.5μm以下，表面的突出峰高Rpk为0.005μm以上且0.03μm以下，动摩擦系数为0.3以下。
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公开(公告)号：CN106757197A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710037752.9
申请日：2017-01-18
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C08F120/56 , C08F8/32
CPC分类号： C25D3/38 , C08F8/32 , C08F120/56
摘要： 本发明公开了一种电镀铜用抑制剂、其用途及含其的电镀铜电镀液，该抑制剂为二甲基胺衍生物取代的聚丙烯酰胺类聚合物，其结构通式为：其中，R代表烷基或烷氧基，n取自n≥2的整数。本发明提供的抑制剂用于制备电镀铜溶液，进而应用于印制线路板图形电镀，能够显著降低图形电镀线路的圆弧度，实现良好的图形电镀效果。
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公开(公告)号：CN106757192A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611039723.8
申请日：2016-11-11
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/04 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/06 , C25D17/007
摘要： 薄膜衬底用铜由低内应力高延展性酸性铜电镀浴电镀。在铜电镀方法期间，所述薄膜衬底可翘曲或弯曲。为了解决铜电镀期间翘曲或弯曲的问题，通过抑制所述薄膜衬底过度活动的固定构件来固定所述薄膜衬底。
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公开(公告)号：CN104160068B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380011060.7
申请日：2013-02-27
申请人： 三井金属矿业株式会社
发明人： 吉川和广
CPC分类号： H05K1/09 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/12 , B32B7/06 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B2307/42 , B32B2307/538 , B32B2307/748 , C25D1/04 , C25D1/22 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D7/0614 , C25D9/08 , H05K3/007 , H05K3/025 , H05K3/385 , H05K2201/032 , H05K2201/0355 , H05K2203/0152 , H05K2203/107 , Y10T428/12049
摘要： 本发明的目的在于，提高将黑化处理面用作为激光打孔加工表面的覆铜层压板的激光打孔加工性能。为了实现该目的，本发明采用了“一种具有载体箔2/剥离层3/基体铜层4的层结构的带有载体箔的铜箔1，其特征在于，在该剥离层3和基体铜层4之间配置了含金属成分粒子5”。通过使用该带有载体箔的铜箔，在制成为覆铜层压板时的基体铜层的表面形成呈现激光打孔加工性能优异的色调的黑化处理层成为了可能。
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公开(公告)号：CN106676599A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710034830.X
申请日：2017-01-18
申请人： 浙江倪氏徽章有限公司
发明人： 倪良正
摘要： 本发明公开了一种红古铜电镀工艺，包括以下步骤：A、毛坯检验；B、上挂；C、热浸超声波除腊；D、一次清洗；E、热浸超声波除油；E、二次清洗；F、酸活化；G、三次清洗；H、氰活化；I、预镀铜槽；J、四次清洗；K、焦磷酸铜槽；L、五次清洗；M、酸铜槽；N、六次清洗；O、枪黑槽；P、钝化；Q、烘干，本发明工艺设计合理，电镀效率高，且电镀过程环保无污染。
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公开(公告)号：CN106609385A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201710146980.X
申请日：2017-03-13
申请人： 广州睿邦新材料科技有限公司
发明人： 施佳抄
IPC分类号： C25D3/38
CPC分类号： C25D3/38
摘要： 电镀铜用高填平酸铜光亮剂，以重量份计，其至少含有染料化合物7‑8份、聚二硫二丙烷磺酸钠3.4‑3.6份、四硫代对苯二甲酸盐4.2‑4.4份、1,4‑丁炔二醇1.8‑2份、硫代吗啉5.6‑5.8份、四氢呋喃12‑15份、水85‑88份。
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