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公开(公告)号：CN1942610A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200480020156.0
申请日：2004-07-14
申请人： 华盛顿卡内基研究所
CPC分类号： C30B33/02 , C01B32/25 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/00 , G11B2220/20 , G11B2220/65 , H04N5/76 , H04N5/765 , H04N5/775 , H04N5/781 , H04N9/8042 , H04N9/8205
摘要： 一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过4.0GPa的压力下加热到超过1500℃的温度进行退火的单晶金刚石，其硬度大于120GPa。一种制造硬单晶金刚石的方法包括生长单晶金刚石和在超过4.0GPa的压力和超过1500℃的温度下使该单晶金刚石退火，以使其硬度超过120GPa。
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公开(公告)号：CN1296528C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN02826062.7
申请日：2002-11-07
CPC分类号： C30B25/105 , C30B25/12 , C30B29/04 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/108
摘要： 一种在沉积室内生产金刚石的装置，包括：用于夹持金刚石并与金刚石的邻近于其生长面的一边的侧面热接触的散热夹具；设置用来测量沿金刚石生长面的温度的非接触式温度测量装置；和用于接收来自上述非接触式温度测量装置的温度测量数据并控制生长面的温度使沿生长面的所有温度梯度小于20℃的总过程控制器。一种生产金刚石的方法，包含如下步骤：在夹具内安置金刚石使之与金刚石的邻近于其生长面的一边的侧面热接触，测量金刚石生长面的温度并得出温度测量数据；根据上述温度测量数据控制生长面的温度；和在生长面上按微波等离子化学蒸气沉积法生长单晶金刚石，其中，金刚石生长速率大于1μm/h。
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公开(公告)号：CN1853001A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480020153.7
申请日：2004-07-14
申请人： 华盛顿卡内基研究所
CPC分类号： C30B33/02 , C01B32/25 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/00 , G11B2220/20 , G11B2220/65 , H04N5/76 , H04N5/765 , H04N5/775 , H04N5/781 , H04N9/8042 , H04N9/8205
摘要： 一种通过使CVD金刚石升高到在金刚石稳定相之外的至少1500℃的设定温度和至少4.0GPa的压力来改进CVD金刚石光学透明度的方法，在这里该CVD金刚石是单晶CVD金刚石。
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公开(公告)号：CN1246887C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02800922.3
申请日：2002-03-28
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
摘要： 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1662448A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03813924.3
申请日：2003-05-19
申请人： 麦克里大学
CPC分类号： C30B29/406 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B33/02 , Y10S148/004
摘要： 公开了一种富镓氮化镓薄膜的制造方法。该方法包括：(a)制备含有镓源和氮源的反应混合物，选择镓源和氮源以使得当它们彼此反应时形成氮化镓；以及(b)通过以下方法由该反应混合物生长富镓氮化镓薄膜：在大约480℃至大约900℃的温度下并且在氧气分压小于10－4托的气态环境中，使镓源与氮源反应并在衬底上沉积氮化镓，该衬底选自硅，玻璃，蓝宝石，石英和具有与氮化镓相近的点阵常数的结晶材料，包括氧化锌，任选带有氧化锌缓冲层，其中该富镓氮化镓薄膜中镓原子和氮原子的比率为1.01至1.20。本发明还提供了一种选择，即在大约20℃至大约650℃的温度下，退火该富镓氮化镓薄膜并保持足以将其电阻率降低至可以导电的程度(例如小于100 ohm.cm)的时间。
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公开(公告)号：CN1659309A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813690.2
申请日：2003-03-31
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： C23C16/511 , H01Q21/00 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/45525 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192 , H01Q21/0087
摘要： 本发明包括一种沉积设备，所述沉积设备具有反应腔室和在所述腔室外部的微波源。所述微波源被构造用以引导微波射线朝向所述腔室。所述腔室包括窗口，来自微波源的微波射线可通过所述窗口进入所述腔室。本发明还包括沉积方法(例如化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法)，其中微波射线被用以在将材料沉积到反应腔室内的衬底上的过程中活化反应腔室内的至少一种组分。
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公开(公告)号：CN1612955A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826749.4
申请日：2002-12-13
申请人： 六号元素有限公司
CPC分类号： C30B25/105 , C30B29/04 , Y10T428/30
摘要： 本发明公开了通过CVD生产且具有均匀的总硼浓度的单晶硼掺杂金刚石层。该层由单一生长面形成，或具有超过100微米的厚度，或具有超过1mm3的体积，或这些特征的组合。
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公开(公告)号：CN1556910A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818549.8
申请日：2002-11-05
申请人： 玛特森技术公司
发明人： 保罗·贾尼斯·蒂曼斯
IPC分类号： F27B5/14
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/481 , C30B25/105 , C30B31/12 , F27B17/0025 , G02B5/124
摘要： 一种用于热处理半导体晶片(14)的设备，该设备包括加热设备(22)，加热设备(22)包含向晶片(14)上发射光能的一组线性灯(24)。线性灯(24)可以多种设计被放置。按照本发明，被用于调节光源的总辐照度分布的调节设备(40)被包括在加热设备(22)中。例如，调节设备(40)可以是灯或激光器。
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公开(公告)号：CN1388991A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01802554.4
申请日：2001-08-24
申请人： 索尼株式会社
发明人： 宇贺神隆一
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B29/605 , H01F41/30
摘要： 一种具有在分形维上各不相同的多个区域的分形结构,其特征在于自相似性。所述分形结构在提供第一分形维的生长条件下,在从生长时间的起点到第一时间点的部分生长过程中,以及在提供第二分形维的生长条件下,在从生长时间的起点到第二时间点的另一部分生长过程中,从一个或多个原点进行生长。通过调整用于改变所述生长条件的定时,在相变的性质方面,例如在发生于该分形结构中的针对铁磁相变的临界温度方面,对该分形结构进行控制。为了增强可控制性,第一分形维最好大于2.7,第二分形维最好小于2.3。
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公开(公告)号：CN1035855A
公开(公告)日：1989-09-27
申请号：CN89101005.X
申请日：1989-02-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 伊藤健二
IPC分类号： C23C16/26
CPC分类号： C23C16/517 , C23C16/26 , C30B25/105 , C30B29/04 , Y02P20/129 , Y10T428/30
摘要： 当以碳涂层涂敷基底的CVD(化学汽相淀积)法和加强的CVD法在最近引起极大的兴趣的时候，至今存在着碳涂层由于不同的热膨胀或热收缩而从下面的基底擦掉的情况。本发明公开了一种碳淀积的传统CVD工艺规程的改进，根据本发明淀积条件是变化的，旨在使涂层和下面的基底之间的界面处的碳涂层硬度低于在涂层的外表面处的硬度。
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