公开(公告)号：CN104241414A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410456538.3

申请日：2014-09-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 罗俊 ,  别业华 ,  李维军 ,  张新宇 ,  佟庆 ,  雷宇 ,  桑红石 ,  张天序 ,  谢长生

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/184

摘要： 本发明公开了一种基于超材料的毫米波单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性，具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于毫米波的一个特定波段。

公开(公告)号：CN104241401A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410455189.3

申请日：2014-09-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 罗俊 ,  别业华 ,  李维军 ,  张新宇 ,  佟庆 ,  雷宇 ,  桑红石 ,  张天序 ,  谢长生

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/08 ,  H01L31/184

摘要： 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性，通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于太赫兹的多个波段。

公开(公告)号：CN104201233A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410456515.2

申请日：2014-09-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 罗俊 ,  别业华 ,  李维军 ,  张新宇 ,  佟庆 ,  雷宇 ,  桑红石 ,  张天序 ,  谢长生

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/108 ,  H01L31/184

摘要： 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型毫米波多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性，通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于毫米波的多个波段。

公开(公告)号：CN104134713A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183366.7

申请日：2014-04-30

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤井慧 ,  柴田馨 ,  秋田胜史

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035236 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/184

摘要： 本发明涉及外延晶片及其制造方法、半导体元件和光学传感器装置。本发明的外延晶片包括由III-V族化合物半导体构成的衬底，由III-V族化合物半导体构成并且位于衬底上的多量子阱结构，和由III-V族化合物半导体构成并且位于多量子阱结构上的顶层。该衬底具有(100)的面取向以及-0.030°或更大且+0.030°或更小的偏离角，并且该顶层的表面具有小于10nm的均方根粗糙度。

公开(公告)号：CN101517700B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200780034881.7

申请日：2007-09-20

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： J·A·罗杰斯 ,  R·G·诺奥 ,  M·梅尔特 ,  高興助 ,  J·尹 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L31/0735 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0191 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T156/1195 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了如下的方法，其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构，并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构，来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。

公开(公告)号：CN103594551A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310486555.7

申请日：2013-10-17

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 陈峰武 ,  魏唯 ,  程文进 ,  罗才旺

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/54

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/184 ,  H01L21/2056 ,  H01L21/67161

摘要： 本发明公开了一种硅基砷化镓外延材料及器件制造设备，它包括UHVCVD反应腔室；所述UHVCVD反应腔室与真空过渡腔室连通，真空过渡腔室与晶片缓存腔室连通，晶片缓存腔室与中央传送腔室连通；所述中央传送腔室还与热处理腔室、MOCVD反应腔腔室及层流罩连通；彼此连通的腔室之间设有闸阀，层流罩与中央传送腔室之间也设有闸阀；所述中央传送腔室和真空过渡腔室中设有真空机械手。本发明有效的解决了硅基砷化镓外延材料及器件制造中工艺设备生产效率低、占地面积大、衬底转移存在过程污染、洁净厂房净化等级要求高的缺点。

公开(公告)号：CN103426966A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310258404.6

申请日：2010-07-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种可减少暗电流的受光元件，其具备衬底、受光层、扩散浓度分布调整层及窗层，受光层设置在衬底与扩散浓度分布调整层之间，扩散浓度分布调整层设置在受光层与窗层之间，包含窗层及扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，第一区域含有规定的杂质元素且与第二区域邻接，第一区域的导电型为p型，自窗层与扩散浓度分布调整层的接合面在第二区域中朝上述窗层内或扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm-3以上、1×1019cm-3以下的范围内。

公开(公告)号：CN102834934A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180005695.7

申请日：2011-02-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  N·E·索萨·柯蒂斯 ,  D·萨达纳 ,  D·沙赫尔耶迪 ,  B·A·瓦卡塞尔

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

摘要： 一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。

公开(公告)号：CN102414837A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018652.8

申请日：2010-03-01

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 何甘 ,  安德里斯·G·海吉杜斯

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/6835 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2221/6835 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明的实施例大体上涉及外延剥离(ELO)膜和用于生产这样的膜的方法。实施例提供一种同时和分别地在公共支撑衬底上生长多个ELO膜或者堆的方法，该公共支撑衬底平铺有许多外延生长衬底或者表面。其后，ELO膜在ELO过程中通过蚀刻步骤从外延生长衬底去除。平铺的生长衬底包含布置在支撑衬底上的外延生长衬底，所述外延生长衬底可以重复用于生长其他的ELO膜。在一个实施方式中，提供了平铺的生长衬底，其包括两个或者两个以上分开布置在支撑衬底上的砷化镓生长衬底，所述支撑衬底具有在大约5×10-6℃-1到大约9×10-6℃-1的范围内的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN102292833A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005491.9

申请日：2010-07-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。