电子照相感光体的制造方法和电子照相感光体

    公开(公告)号:CN1920675B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200610126566.4

    申请日:2006-08-28

    Inventor: 矢萩秀隆

    CPC classification number: G03G5/102 G03G5/005 G03G5/104 G03G2215/00957

    Abstract: 本发明提供一种能够防止涂敷液中的填充剂凝集在形成于铝粗制管的表面上的蚀刻坑内,能够得到不产生印字障碍的电子照相感光体的制造方法以及电子照相感光体。上述电子照相感光体的制造方法,其特征在于:在对铝圆筒基板表面进行切削加工后,利用水性洗涤剂对该切削加工后的铝圆筒基板表面进行脱脂洗涤,在该脱脂洗涤后的铝圆筒基板上,涂敷形成含有填充剂的涂敷层,其中,使用Ni浓度以重量比率计为50ppm以下的铝圆筒基板作为所述铝圆筒基板。

    半导体装置
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101931007A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN201010207349.4

    申请日:2010-06-18

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其能够在活性区和终端区改变单位单元的间距的情况下在其过渡区的单位单元内实现电荷平衡,从而能够防止耐压降低。将过渡区(22)的p隔离区域的形状相对于活性区(21)和终端区(23)改变,在活性区(21)、过渡区(22)和终端区(23)的各p隔离区域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移区域(3)取得电荷平衡,由此实现防止耐压降低。

    宽带隙半导体器件
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101877529A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN201010150674.1

    申请日:2010-03-16

    Inventor: 上野胜典

    Abstract: 本发明的目的是通过将WBG半导体用作逆变器电路的开关元件来获得具有高可靠性和高负载短路耐受能力同时保持低导通电阻的半导体器件。在应用于逆变器电路的开关元件的半导体器件中,半导体材料的带隙比硅的带隙宽,设置了在主晶体管短路时限制电流的电路,而且主要用于让电流通过的主晶体管、并联连接至主晶体管并检测与流过主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于感测晶体管的输出来控制主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。

    柔性电路板实现的EMI滤波器中共模电感与差模电容集成结构

    公开(公告)号:CN101226820B

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN200710164854.3

    申请日:2007-12-27

    Abstract: 本发明公开的柔性电路板实现的EMI滤波器中共模电感与差模电容集成结构包括:由第一磁芯和第二磁芯形成的闭合磁路,在闭合磁路的磁芯柱上绕有筒状多层并联柔性电路板,所说的筒状多层并联柔性电路板由位于两个绝缘层之间的2N个铜箔层和2N-1个绝缘介质层相互交错叠置形成的板材绕制构成,N为正整数,且所有奇数层铜箔的首端短接、末端短接,所有偶数层铜箔的首端短接、末端短接。由于柔性电路板具有很好的柔软性能,可以弯折卷曲,可以方便的绕在磁芯上,实现电感和电容的集成,而通过筒状多层并联柔性电路板可以增大集成差模电容值。应用本发明有利于进一步减小EMI滤波器体积,提高电力电子变换器功率密度。

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