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公开(公告)号：CN102315850B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201110190207.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03M1/40
Abstract: 本公开涉及具有可变分辨率的单级循环模数转换器中的电流降低。一种适用于将模拟输入信号(VIN)转换成数字输出信号的转换器(200)，包括用于接收模拟输入信号的模拟输入端(205)，与模拟输入端耦接的冗余符号数(RSD)级(210、300)，以及数字部(220)。RSD级被配置为在模拟输入端接收模拟输入信号，在第一时钟周期的第一半周期期间从模拟输入信号中于数字输出产生第一数量的位(D0、D1、D2)，在第一时钟周期的第二半周期期间于模拟输入端提供模拟输入信号的残余反馈信号(VR)，以及在第二时钟周期的第一半周期期间从残余反馈信号中于数字输出产生第二数量的位(D0、D1)，第二数量的位小于第一数量的位。
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公开(公告)号：CN102893398B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080066832.3
申请日：2010-05-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L27/0259 , H01L29/87
Abstract: 一种集成电路，包括静电放电（ESD）保护电路（100），被配置以向所述集成电路的外部端子（102）提供ESD保护。所述ESD保护电路（100）包括：晶闸管电路（200、204），其包括可操作地耦合于外部端子（102）的第一双极型开关器件（200）以及可操作地耦合于另一外部端子（104）的第二双极型开关器件（204），所述第一双极型开关器件（200）的集电极耦合于所述第二双极型开关器件（204）的基极，所述第一双极型开关器件（200）的基极耦合于所述第二双极型开关器件（204）的集电极。第三双极型开关器件（214）也被提供并且可操作地耦合于所述晶闸管电路（200、204）并且具有用于触发所述晶闸管电路（200、204）的阈值电压，所述阈值电压可独立地配置所述晶闸管电路（200、204）。所述第一和第二开关器件（200、204）被配置以便在使用时提供双向快速恢复特性和与其相关联的快速恢复电压。
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公开(公告)号：CN102812626B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013625.6
申请日：2011-02-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 约翰·M·皮戈特
CPC classification number: H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 在直流到直流转换器(10),通过在输入端子(42)的电感器(16)接收输入电压(Vin)以及存储在积分器的电容器(18)上。第一开关(14)耦合于所述输入端子(42)以及参考端子之间，例如接地，因而导致所述电感器(16)导流。存储在所述电容器上的所述输入电压以由所述积分器电路以及所述输入电压的初始值确定的速率下降。经过时间持续，所述第一开关(14)变为非导电。电流从所述电感器(16)沿着二极管(36)流到输出端子，直到跨越所述二极管的第二开关(34)导电；响应于所述第二开关导电(34)而增加所述积分器所述电容器(18)上的存储电压。继续比较所述电容器(18)上的存储电压与参考电压(Vin)。当所述电容器上的所述存储电压超出所述参考电压时，所述第二开关(34)非导电。
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公开(公告)号：CN102726004B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080062157.7
申请日：2010-01-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 史蒂文·威尔逊
CPC classification number: H04W4/16 , H04M1/2535 , H04M1/725 , H04M3/56 , H04M7/0069 , H04M2250/02 , H04M2250/62 , H04W4/80 , H04W84/105 , H04W84/16 , H04W84/18 , H04W88/06 , H04W88/18
Abstract: 一种网络元件（240），该网络元件（240）包括射频（RF）收发器模块（310）和信号处理模块（320），信号处理模块（320）可操作地耦合到RF收发器模块（310）并且被布置成使得能够通过第一通信网络在该网络元件（240）与多个本地无线通信单元（250）之间建立至少一个电话连接。信号处理模块（320）进一步被布置成使得能够建立微微网（360），其中该微微网包括网络元件（240）和多个无线通信单元（250）。信号处理模块（320）进一步被布置成通过第二通信网络（230）在微微网（360）与至少一个远程装置（210）之间建立公共电话连接。
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公开(公告)号：CN102725799B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180007153.3
申请日：2011-01-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： C·C·达奥 , S·皮尔特里 , A·L·维拉斯鲍艾斯
IPC: G11C29/00 , G01R19/165
CPC classification number: G01R19/16552 , G01R19/16519 , G06F11/3024 , G06F11/3062 , G06F11/3093 , G11C11/417
Abstract: 一种欠压检测电路（16）包括第一电阻性元件（38）、第一晶体管（46）、第二晶体管（50）、和比较器（40）。第一电阻性元件（38）具有耦接到第一电源电压端子的第一端子、以及第二端子。第一晶体管（46）具有第一导电类型，并且具有耦接到所述第一电阻性元件（38）的第二端子的第一电流电极、控制电极、和第二电流电极。第二晶体管（50）为第二导电类型，并具有耦接到第一晶体管（46）的第二电流电极的第一电流电极、控制电极、和耦接到第二电源电压端子的第二电流电极。比较器（40）具有耦接到所述第一电阻性元件（38）的第一端子的第一输入端子、耦接到第一电阻性元件（38）的第二端子的第二输入端子、以及用于提供欠压检测信号的输出端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051756A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380074942.8
申请日：2013-03-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G06K9/4614 , B60R1/00 , B60R2300/802 , B60R2300/8073 , G06K9/00791 , G06K9/00986 , G06T7/11 , G06T7/246 , G06T2207/10016
Abstract: 描述了用于解算图像的预定义矩形区域(REC1)的HAAR特征的HAAR解算系统(HSYS)。该HAAR解算系统包括一个或多个存储器(MEM)、多个计算引擎(CU1，CU2，CU3，CUn)和主处理器(MCPU)。每个所述计算引擎被布置成从所述一个或多个存储器(MEM)中检索对应于矩形图像区域(BLK(1)...(BLK(mn+n))的图像数据块(BLK(i))；解算所述图像数据块的所有像素的积分图像值(IBLK(i))以获得所述图像数据块的积分图像；以及将所述块的所述积分图像(IBLK(i))存储在所述一个或多个存储器(MEM)中。所述主处理器(MCPU)被布置成确定哪一个或哪些图像数据块包括所述图像的所述预定义矩形区域的像素；对于包括所述图像的所述预定义矩形区域的像素的每个图像数据块，将相应的矩形区域片段(REC1，REC2，REC3，REC4，REC12，REC34)定义为属于所述图像的所述预定义矩形区域的所述块的所述像素；对于包括所述图像的所述预定义矩形区域(REC1)的像素的每个图像数据块(IB1，IB2，IB3，IB4，IB12，IB34)解算所述矩形区域片段(REC1，REC2，REC3，REC4，REC12，REC34)的HAAR特征；以及添加所述矩形区域片段(REC1，REC2，REC3，REC4，REC12，REC34)的所述HAAR特征以获得所述图像的所述预定义矩形区域的所述HAAR特征。
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公开(公告)号：CN105009283A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201380069765.4
申请日：2013-01-09
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 拉尔夫·洛依特
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L27/14
CPC classification number: H01Q1/38 , G01S7/03 , G01S13/02 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01Q13/00 , H05K3/0094 , Y10T29/4902
Abstract: 电子装置(10)包括：具有一个或多个层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)的布线板(12)；布置在所述布线板(12)上的集成电路(36)；天线(38)以及信号路径(39)。集成电路(36)生成高频信号并且将它馈送到信号路径。信号路径将高频信号传输到所述天线(38)。天线(38)将高频信号发射到所述电子装置(10)的环境(8)。替代地或者额外地，天线(38)从环境(8)接收高频信号并且将它馈送到信号路径(39)。信号路径(39)将高频信号传输到集成电路(36)。集成电路处理高频信号。信号路径(39)包括穿过所述布线板(12)的一个或多个层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)的波导(40)。还描述了制造电子装置(10)的方法。
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公开(公告)号：CN104979322A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410145465.6
申请日：2014-04-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49558 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/15156 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 半导体管芯封装由具有引线指的引线框架组装，该引线指具有邻近管芯标记的接合端和从所述管芯标记延伸出的伸长区域。将半导体管芯安装在管芯标记上并且用接合线将半导体管芯的电极电连接至接合端。将每个伸长区域弯曲成具有安装脚的外部连接器引线。引线指中的每一个的伸长区域从由模塑化合物形成的外壳伸出。模塑化合物从外壳延伸出以提供模制至外部连接器引线的绝缘支撑指。
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公开(公告)号：CN102762490B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN104882386A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410137295.7
申请日：2014-02-27
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/17 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05552 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85401 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件格栅阵列封装。格栅阵列组件由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成。每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上。半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面并且该半导体管芯的电极用接合线连接到该焊料沉积物。该管芯、接合线和该绝缘材料的第一表面进而覆盖有保护的密封材料。
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