公开(公告)号：CN104217993A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410469247.8

申请日：2014-09-15

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 赵龙 ,  冷江华

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/76892

摘要： 本发明公开了一种铜互连工艺，包括：提供衬底，所述衬底上形成有器件；在所述衬底上淀积介电层，所述介电层包括第一介质阻挡层和低K介质层；大马士革工艺刻蚀所述介电层至衬底表面，形成铜互连线沟槽；在所述沟槽中形成铜互连线；去除部分铜互连线顶部的铜，以形成铜凹槽；在剩余介电层上及铜凹槽中淀积粘附层及第二介质阻挡层，从而形成双层的金属覆盖层。本发明通过在铜互连线的顶部形成铜凹槽，并在铜互连线和第二介质阻挡层之间形成粘附层，增加铜互连线和第二介质阻挡层间的界面结合力，可以有效避免铜离子沿着CMP后的器件表面进入到低k介质层中，有效改善所制造器件的TDDB特性。

公开(公告)号：CN104051345A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310464332.0

申请日：2013-10-08

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 大卫·史托尔斯·普瑞特 ,  理查·豪斯利

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L27/10891 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种间距减半集成电路工艺及通过该工艺制成的集成电路结构。在基板上方形成平行的基线图案，每个基线图案都与位于这些基线图案的第一侧或第二侧的锤头图案相连。这些锤头图案交替地布置在所述第一侧和第二侧，并且所述第一侧或第二侧的锤头图案以交错的方式布置。随后对上述图案进行修整。随后在每个基线图案和对应锤头图案的侧壁上形成间隔物，所述间隔物包含一对衍生线图案、环绕所述锤头图案的圈状图案，以及位于所述基线图案另一端的转折图案。随后将所述基线图案和锤头图案移除。随后将每个圈状图案的一部分以及每个转折图案的至少一部分移除，以使每对衍生线图案彼此不电连接。

公开(公告)号：CN103928394A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310009778.4

申请日：2013-01-10

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张城龙 ,  张海洋

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/76892

摘要： 一种金属互连结构的制作方法，不同于现有的双构图方案，本发明提出首先以传统的单大马士革工艺在介电牺牲层内形成一组沟槽，并填入金属以形成金属互连结构的第一套金属图案，然后去除该介电牺牲层，以第一套金属图案这层金属为核心在其周围及之间形成厚度可精确控制的覆盖层，通过回蚀该覆盖层形成侧墙，填充该侧墙间的间隙形成第二套金属图案，上述回蚀过程中对侧墙间的间隙深度进行了加深，该加深处理能使后续填入其中形成的第二套金属图案与之前形成的第一套金属图案深度一致，如此完成金属互连结构的双构图工艺。由于第二套金属图案插入在第一套金属图案之间，实现了将图形密度加倍的目的。上述制作方法工艺简单，金属图案形状易于控制。

公开(公告)号：CN103563070A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026912.5

申请日：2012-05-23

申请人： 美光科技公司

发明人： 艾瑞克·H·福瑞曼 ,  迈克尔·A·史密斯

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76892 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示用于形成半导体结构的方法，包括一种涉及以下步骤的方法：形成若干组导电材料与绝缘材料；在所述组上方形成第一掩模；形成第一数目个接触区；在所述组的第一区上方形成第二掩模；及在横向邻近所述第一区的第二经暴露区中从所述组中移除材料以形成第二数目个接触区。另一种方法包括在若干组导电材料与绝缘材料的部分上形成第一及第二接触区，所述第二接触区中的每一者比所述第一接触区中的每一者更接近于下伏衬底。本发明还揭示包括横向邻近的第一与第二区的例如存储器装置等设备以及形成此些装置的相关方法，所述横向邻近的第一与第二区各自包括多种导电材料的不同部分的接触区。

公开(公告)号：CN103258783A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310042175.4

申请日：2013-02-01

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 黑瀬英司

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够防止利用激光修调被熔断的导电性熔丝因在镀覆工序中的镀覆电极而重新接合，并且防止镀覆液等进入熔丝熔断部。由多层配线构造形成的半导体基板（1）在修调元件形成区域（70）具有利用激光修调将导电性熔丝（10）熔断而形成的熔丝熔断槽（10a）。在半导体基板（1）上形成覆盖修调元素形成区域（70）的第二保护层（11）之后，在由最上层金属配线构成的外部引出焊盘电极（7）上形成镀覆电极（12）。之后，在镀覆电极（12）上形成具有开口且覆盖在包含第二保护层（11）上的半导体基板（1）上的第三保护层（13）。

公开(公告)号：CN103165473A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210536283.2

申请日：2012-12-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 玉政泰 ,  金权中 ,  金学焕 ,  白好善

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。

公开(公告)号：CN101208774B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680023201.7

申请日：2006-05-29

申请人： 普林斯顿大学

发明人： 斯蒂文·Y·舒 ,  夏强飞

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/477 ,  H01L21/46 ,  H01L21/4757

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/90

摘要： 根据本发明，图样化的纳米级或近纳米级的器件(纳米结构)的结构，通过在适当的引导条件下将图样化的器件液化一段时间并之后将器件固化而进行修复和/或增强。有利的引导条件包括邻近且分离于表面或接触表面以控制表面结构并保持竖直。无约束边界使边缘粗糙变得平滑。在优选实施例中，平坦表面设置为覆盖在图样化的纳米结构表面上，并且，此表面通过高强度光源液化以修复或增强纳米特征。

公开(公告)号：CN1957444B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200580016637.9

申请日：2005-03-11

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 艾伦·格伦·斯特里特

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L21/76892

摘要： 本发明揭示一种聚焦离子束(FIB)研磨终点检测系统，其使用一恒流电源来供能一所要修改的集成电路(IC)。在研磨过程中使所述FIB在一所要触及的导电迹线上方循环。在所述研磨过程中监测所述IC的输入功率或电压。在所述FIB到达所述导电迹线时便可检测到终点。当FIB到达所述导电迹线的水平面时，FIB可向所述导电迹线上注入电荷。一耦合至所述导电迹线的有源装置可放大由所述FIB注入的所述电荷。所述有源装置可用作一电流放大器。IC电流的变化可引起装置输入电压的放大的变化。通过监测来自所述恒流电源的输入电压的变化便可检测到所述终点。

公开(公告)号：CN101651129A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910166721.9

申请日：2009-08-14

申请人： 三星移动显示器株式会社

发明人： 李在一 ,  金槿 ,  姜振奎

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L51/0021 ,  H01L21/76892 ,  H01L27/3276

摘要： 本发明提供了一种修复有机发光显示器的线缺陷的结构及修复该缺陷的方法。用于修复线缺陷的结构及修复该缺陷的方法被公开，在该结构中可以采用相邻配线容易地修复短路而不管有限的修复空间。

公开(公告)号：CN101426589A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580021956.9

申请日：2005-05-09

申请人： 艾考斯公司

发明人： P·J·格拉特考斯基

IPC分类号： B05D5/00 ,  B32B9/00

CPC分类号： H05K3/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76892 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0049 ,  H05K3/105 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/1142 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明涉及通过经由使用侧壁基团官能化而破坏涂覆的碳纳米管的导电性以修饰所述的碳纳米管(CNT)网络，将碳纳米管透明导电涂层/膜形成图案的方法。将得到的经历化学修饰的区域比那些没有改变的区域赋予更加导电或更不导电的。这导致了形成图案的膜，其中将所述图案成形而形成电极、像素、导线、天线或其它电子元件。另外，化学修饰的CNT的区域可以回复到它们初始的导电状态(即可逆的和可重复的)，或者被固定而产生永久图案。