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公开(公告)号：CN101388330B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810160808.0
申请日：2008-09-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01L21/20 , H01L33/00 , C30B25/12 , C30B25/10 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。
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公开(公告)号：CN101958386A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231367.6
申请日：2010-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/3202 , H01S5/343 , H01S5/34333
Abstract: 一种氮化物类半导体发光元件，能够抑制在接触层和电极的界面上形成肖特基势垒。氮化物类半导体发光元件(LD1)，具备：GaN基板(3)；六方晶系的氮化镓类半导体区域(5)，设在GaN基板的主面(S1)上且包括发光层(11)；以及p电极(21)，设在氮化镓类半导体区域上且由金属构成。氮化镓类半导体区域包括内含畸变的接触层(17)，接触层与p电极连接，主面沿着从与GaN基板的c轴方向正交的面以预定的倾斜角度(θ)倾斜的基准平面(S5)延伸，倾斜角度包含在大于40度且小于90度的范围或150度以上且小于180度的范围中的某一范围中。氮化镓类半导体区域与GaN基板晶格匹配。
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公开(公告)号：CN101919076A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200980100861.4
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3086 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。
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公开(公告)号：CN101789474A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010108912.2
申请日：2010-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0075
Abstract: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。
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公开(公告)号：CN101685824A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910178703.2
申请日：2009-09-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法。在氮化镓基外延晶片中，轴Ax上的三个点P1、P2和P3的斜角分别为θ1＝0.2度，θ2＝0.4度，θ3＝0.6度。另外，点P1附近的InGaN阱层的铟含量大于点P3附近的InGaN阱层的铟含量。在轴Ax上的三个点P1、P2、P3求出参照图12说明的阱层的平均厚度，阱层的平均厚度DW1、DW2、DW3的值在轴Ax上单调地增加。另外，InGaN层的铟含量按点P1、P2和P3的顺序单调地减少。因此，提供氮化镓基外延晶片，所述外延晶片用于提供可以缩小设置在氮化镓衬底上的包含阱层的有源层的发光波长分布的结构的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1782142A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125396.3
申请日：2005-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68771 , C23C16/303 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/67103 , H01L21/68 , H01L21/68764
Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。
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公开(公告)号：CN102025104B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010284406.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN103582938A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201180071382.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/30621 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种具有能够避免沟道层的载流子浓度增大而降低泄漏的结构的、氮化物电子器件。半导体叠层（15）的斜面（15a）及主面（15c）分别相对于第一基准面及第二基准面（R1、R2）延伸。由于半导体叠层（15）的主面（15c）相对于表示六方晶类III族氮化物的c轴方向的基准轴（Cx）以5度以上40度以下的范围内的角度倾斜，且第一基准面（R1）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度小于第二基准面（R2）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度，所以能够使沟道层（19）的氧浓度小于1×1017cm-3。因此，在沟道层（19）中，能够避免因氧添加而载流子浓度增加的情况，能够降低经由沟道层的晶体管的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN101958509B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010231379.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S2302/00
Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。
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公开(公告)号：CN103377915A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310153045.8
申请日：2013-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01S5/343
CPC classification number: H01L33/0062 , B82Y20/00 , H01L33/0095 , H01L33/305 , H01S5/0206 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2068 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中，如符号“空白三角形”所示，短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右，长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是，长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反，可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即，在可实现上述接触电阻的热处理时间下，未进行充分的活性化，无法获得低比电阻。
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