公开(公告)号：CN1542992A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

摘要： 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。

公开(公告)号：CN1491299A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804627.7

申请日：2002-02-12

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  色川芳宏 ,  加地彻

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

摘要： 一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。

公开(公告)号：CN1467795A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03141116.9

申请日：2003-06-09

申请人： 夏普株式会社

发明人： 上田多加志

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/973

摘要： 本发明的目的是提供半导体衬底的制造方法，在上面容易的形成高质量的有应变的硅通道，而不牺牲薄片的处理效率，并提供半导体器件的制造方法，其中除了改善NMOS晶体管的驱动特性外，也改善了PMOS晶体管的驱动特性。本发明提供半导体衬底的制造方法的步骤为：在有(111)或(110)晶面方向的硅单晶层的衬底上表面形成SiGe膜；进行离子注入和退火处理，埋藏晶体缺陷引入到上面描述的衬底中；在上面描述的SiGe膜上形成半导体膜。

公开(公告)号：CN1192055A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN97129782.7

申请日：1997-12-26

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

摘要： 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本,以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池,利用下述步骤制造半导体构件,(a)在衬底的表面形成多孔层,(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液,以便在多孔层表面上生长晶体半导体层,(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上,(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN105551931B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510701564.2

申请日：2015-10-26

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： 亓屹 ,  D·P·布伦科

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02664 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694

摘要： 本发明揭示一种在应变松弛缓冲层上方形成应变外延半导体材料的方法。其中，这里所揭露的一种示例方法包括：除其它以外，在衬底上方顺序形成第一材料层、第一覆盖层、第二材料层以及第二覆盖层，其中，该第一及第二材料层由半导体材料制成，该半导体材料所具有的晶格常数不同于该衬底，该第一材料层于沉积时应变，且该第一材料层的厚度超过其稳定及应变所需的临界厚度；执行退火制程，在该退火制程以后，通过基本上限于该半导体衬底、该第一材料层、该第一覆盖层以及该第二材料层的晶体缺陷的形成，该第一材料层中的该应变基本上松弛；以及在所得结构的上表面上形成额外的外延半导体材料。

公开(公告)号：CN108831965A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810705115.9

申请日：2018-07-01

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  王志刚 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 一种用硝酸盐制备铜铁硒光电薄膜材料的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu(NO3)2和Fe(NO3)3和SeO2依次放入溶剂水中，待充分混合均匀后加入少量盐酸溶剂，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108831964A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810705113.X

申请日：2018-07-01

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  孙齐磊 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032

摘要： 一种用硫酸盐制备铜铁硫光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuSO4·5H2O、FeSO4·7H2O和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108475620A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006372.7

申请日：2017-01-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 徐豪键 ,  任东吉 ,  元泰景 ,  张雪娜 ,  元镐成 ,  罗德尼·顺隆·利马

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/7869

摘要： 本公开内容的实施方式一般地涉及用于形成具有金属氧化物层的TFT的方法。所述方法可以包括形成金属氧化物层并且用含氟的气体或等离子体处理金属氧化物层。对金属氧化物层的氟处理帮助填充金属氧化物沟道层中的氧空位，从而产生更稳定的TFT并且防止TFT中的负阈值电压。

公开(公告)号：CN104518045B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201310446482.9

申请日：2013-09-26

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司

发明人： 克里斯蒂安·德罗斯特 ,  贝蒂娜·斯帕特 ,  彭寿

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1836 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

摘要： 本发明涉及一种用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法。本发明的主题是一种处理基材上置式薄层太阳能电池半成品的CdTe层的方法，该薄层太阳能电池半成品具有作为最表面覆层的CdTe层。根据现有技术，这些表面经受NP腐蚀并且接着被涂镀。然而在NP腐蚀时产生的碲氧化物被证实对于随后的涂镀步骤是不利的。因此提出了，存在的碲氧化物在进一步的加工中借助于还原剂还原为碲。

公开(公告)号：CN107667416A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680031797.9

申请日：2016-05-23

申请人： 太阳能爱迪生半导体有限公司

发明人： S·G·托马斯 ,  G·王

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065

摘要： 所公开的方法适合于制造诸如绝缘体上Ge(Si)结构或绝缘体上Ge结构的绝缘体上半导体结构。根据该方法，在包括锗缓冲层的硅衬底上沉积多层，该多层包含交替的层对，这些层对包括硅层以及包含锗和可选的硅的层。该多层结构以硅钝化层结束。在该多层内形成解理面，并且将该多层结构接合到包括介电层的处理衬底。沿着解理面解理该多层结构，从而制备绝缘体上半导体结构，该绝缘体上半导体结构包括半导体处理衬底、介电层、硅钝化层以及交替的层对的至少一部分，所述层对包括硅层以及包含锗和可选的硅的层。