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公开(公告)号：CN104487618B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380020669.0
申请日：2013-04-16
申请人： 普兰西欧洲股份公司
发明人： 朱迪斯·亚努斯楚斯基 , 海克·拉切尔 , 曼弗莱德·苏利克
CPC分类号： C30B11/002 , B05D7/22 , C30B29/20 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种由钼或具有大于95原子％的钼含量的钼合金制成的坩埚，用以生产氧化陶瓷单晶，其中坩埚的内侧至少部分地具有一涂层，所述涂层含有至少一种难熔金属并且包含有孔隙。
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公开(公告)号：CN106978628A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710150234.8
申请日：2010-08-26
申请人： 科里斯科技有限公司
发明人： 安俊泰
CPC分类号： C30B29/20 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B15/00 , C30B17/00 , Y10T117/1092 , C30B15/10 , C30B15/36
摘要： 本发明涉及一种生长蓝宝石单晶的方法和设备，更具体地涉及一种在采用长的矩形坩埚和沿c轴方向延伸的长籽晶时能够在短时间内获得高质量的、长的单晶的生长蓝宝石单晶的方法和设备。即使采用矩形的坩埚，采用本发明的生长蓝宝石单晶的方法和设备仍能够在所述坩埚的内部均匀地维持水平温度，由此获得高质量的单晶并且降低单晶生长失败的可能性。
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公开(公告)号：CN105839179A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510311865.4
申请日：2015-06-09
申请人： 中美矽晶制品股份有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06 , F27B14/10 , Y10T117/1092
摘要： 一种铸造晶锭的方法，包含：将固态硅原料置于一原料容置装置底部，该原料容置装置包括一容器与一石墨内层，该石墨内层沿着该容器的环壁面与内底面铺设，且固态硅原料是堆叠于内底面上的石墨内层之上。加热该容器，以将硅原料熔化成液态；由下而上冷却该容器，直到所有的硅原料凝固结晶为止，凝固后的硅原料形成一晶锭。由此，该石墨内层可有效地阻隔容器的杂质回扩到晶锭中。
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公开(公告)号：CN102770952B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201080054736.7
申请日：2010-12-14
申请人： 株式会社KCC
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C30B11/001 , C30B11/007 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种硅锭的提取装置及方法。本发明的装置包括：腔室，在所述腔室中引入在冷坩埚中形成的硅融液；一次提取装置，所述一次提取装置设置成相对于所述腔室在垂直方向上可以移动，并且所述一次提取装置凝固所述硅融液且提取硅锭；移动装置，所述移动装置在水平方向上移动所述一次提取装置；以及二次提取装置，所述二次提取装置设置到在所述腔室的下方使得所述二次提取装置在垂直方向上可以移动，所述二次提取装置在所述一次提取装置横向移动的状态下提取所述硅锭。本发明具有如下效果：通过减小提取装置的高度，可以降低设备的制造成本，而且还可以减小设置提取装置的空间。
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公开(公告)号：CN103510155B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310254899.5
申请日：2013-06-25
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： C30B19/00 , C30B29/38 , C30B33/00 , C30B35/00 , H01L21/208
CPC分类号： C30B9/12 , C30B9/02 , C30B9/04 , C30B29/403 , C30B33/00 , C30B35/002 , Y10T117/1004 , Y10T117/1092
摘要： 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩埚有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩埚支撑件，用于支撑所述坩埚，使得所述坩埚的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩埚支撑件上支撑的所述坩埚；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩埚的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。
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公开(公告)号：CN103025926B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及使用气体喷嘴从熔化物表面移离板材。在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN105189833A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013731.8
申请日：2014-03-12
申请人： 先进可再生能源有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/20 , Y10T117/1092
摘要： 一种用于生长蓝宝石晶体的锅炉，其中，所述锅炉包括：锅炉壳体；热区，该热区包括均容置在该锅炉壳体中的隔离件和加热器；坩锅，该坩锅位于热区内并且该坩锅具有开口。坩锅盖覆盖该坩锅的开口，并且坩锅盖具有从该坩锅盖延伸的第一管道，或者，坩锅封围件至少环绕坩锅的侧壁和顶部，并且该坩锅封围件至少不可渗透碳，以防止包含在该坩锅内的熔化物受到碳的污染。
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公开(公告)号：CN104790031A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510012100.0
申请日：2015-01-12
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T117/1092
摘要： 一种坩埚组合以及利用该坩埚组合制造硅晶铸锭的方法。本发明的坩埚组合包含坩埚主体以及纤维编织体。纤维编织体由多根碳纤维所构成，并且安置于坩埚主体的底部上。纤维编织体具有多个本质的孔洞，且成无序排列。
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公开(公告)号：CN104246022A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280059492.0
申请日：2012-12-03
申请人： REC光能普特有限公司
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , Y10T117/1092
摘要： 本发明使用定向凝固工艺来制造晶体硅锭。具体而言，在坩埚中，在晶体取向一致的晶种层上方装载硅原料。使所述硅原料以及使所述晶种层的上部熔融以在所述坩埚中形成熔融材料。随后该熔融材料凝固，并且在此过程中，硅锭中形成了以所述晶种层的晶体结构为基础的晶体结构。所述晶种层被设置为使得{110}晶面垂直于凝固方向。据发现，与可供选择的其他晶体取向相比，本发明的工艺使得形成于所述锭中的单晶硅的比例得到了实质性改善，并且在各向同性纹理化之后，能够获得高度均一的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103890240A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052983.2
申请日：2012-08-31
申请人： 原子能和代替能源委员会
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/007 , C30B11/008 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B35/00 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092
摘要： 结晶系统包括坩埚(1)以及装置(4)，坩埚(1)设置有旨在容纳要固化的材料的底部(2)和侧壁(3)，装置(4)用于在垂直于坩埚(1)的底部(2)的方向上在坩埚(1)内产生主热梯度。附加感应加热装置(6)设置在坩埚(1)的侧壁(3)面对液态材料而不与固相重叠。该附加感应加热装置(6)构造以加热晶体材料位于液态材料、固化的材料和坩埚(1)之间的三线附近的部分，使得该液态材料和该固化的材料之间的界面(10)在该三线附近形成凸弯月形。
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