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公开(公告)号:CN102449190B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN200980159573.6
申请日:2009-10-13
Applicant: IMEC公司 , 应用科学研究TNO荷兰组织 , 卢万天主教大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法,其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料,所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围,第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层,第二预定沉积率范围被设置成用第二预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第二单层。通过注入器的开口注入有机材料的过程被控制,以实现预定沉积率分布。
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公开(公告)号:CN102449190A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200980159573.6
申请日:2009-10-13
Applicant: IMEC公司 , 应用科学研究TNO荷兰组织 , 卢万天主教大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法,其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料,所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围,第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层,第二预定沉积率范围被设置成用第二预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第二单层。通过注入器的开口注入有机材料的过程被控制,以实现预定沉积率分布。
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公开(公告)号:CN103328189A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201180065811.4
申请日:2011-11-24
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
Inventor: G·乌斯特灰斯 , H·H·马尔德林克 , A·瑞吉菲尔斯 , R·J·胡本 , C·M·B·范德索恩 , L·A·M·布劳沃斯
CPC classification number: H01R12/71 , B29C64/124 , B29L2031/3061 , B29L2031/3425 , B33Y80/00 , H01L23/538 , H01L2924/0002 , H01R43/26 , H05K1/0284 , H05K3/0014 , H05K3/10 , H05K2203/072 , Y10T29/49208 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于微电子器件的三维互连结构和用于生产此种互连结构的方法。该方法包括使用添加分层制造工艺(310)来制造主体结构(100)的步骤。主体结构(100)包括三维包覆骨架(104)和支承结构(101)。包覆骨架包括层状自由形式的骨架部分(105),在导电材料(202)施加在主体结构(100)上之后,这些骨架部分将形成互连结构的电触件之间的电气互连部。支承部分(101)支承层状自由形式的骨架部分(105)。可将支承结构(101)的部分(306)移除,以隔离和/或露出电气互连部(205)。包覆骨架可由绝缘材料(303)埋设,用以提供进一步支承。
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公开(公告)号:CN102598333A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080049742.3
申请日:2010-10-25
Applicant: IMEC公司 , 应用科学研究TNO荷兰组织
Inventor: R·穆勒
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0016 , H01L51/0017 , H01L51/0055
Abstract: 本发明涉及用于制造有机器件的方法,所述方法包括:(i)提供具有含电接触结构(4)和介电部分(3)的表面的衬底(1),(ii)在所述电接触结构(4)的一些或全部上提供第一临时保护层(9),(iii)在该介电部分(3)提供第一表面改性层(6)和/或在没有在步骤(ii)中所保护的所述电接触结构(4)上提供第三表面改性层(10),(iv)移除第一临时保护层(9),(v)在在步骤(ii)中所保护的所述电接触结构(4)上提供第二表面改性层(5),且(vi)如果没有在步骤(iii)中提供的话,在所述介电部分(3)上提供所述第一表面改性层(6),(vii)在所述第一表面改性层(6)的至少一部分的顶部,以及在所述第二(5)表面改性层的顶部,以及如果存在的话在所述第三表面改性层(10)的顶部提供有机半导体层(7),藉此获得所述有机器件,或在所述第二表面改性层(5)和所述第一改性层(6)的部分的顶部上提供第一类型的有机半导体层(7)且在所述第三表面改性层以及所述第一表面改性层(6)的另一部分的顶部上提供第二类型的有机半导体层(8),藉此获得所述有机器件。
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公开(公告)号:CN102318050A
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200980156482.7
申请日:2009-12-08
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/565 , H01L2924/0002 , Y10T29/4913 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种包括集成电路的模制主体的制备方法,还涉及包括集成电路的主体以及包括所述主体的设备。本发明的方法包括:将一个或多个电学组件放在模具中并且固定所述一个或多个电学组件;使用模制材料来至少部分地模制所述主体;将导电图案提供到至少部分地模制的主体上;将一个或多个导电互连提供到所述至少部分地模制的主体上;以及任选地进一步模制所述主体,其中,至少部分地模制所述主体、提供导电图案以及提供一个或多个导电互连都是在所述模具之内执行的。
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公开(公告)号:CN102308678A
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN200980156484.6
申请日:2009-12-11
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
CPC classification number: H05K3/184 , C23C18/1605 , C23C18/1608 , C23C18/1872 , C23C18/31 , H05K3/182 , H05K2201/0236 , H05K2201/0257 , H05K2203/0108 , H05K2203/0713 , H05K2203/122 , H05K2203/1407
Abstract: 本发明涉及一种具有电路的导电图案的基板的制备方法,还涉及具有所述导电图案的所述基板以及包括具有所述导电图案的所述基板的设备。本发明的方法包括:(a)提供电绝缘或半导电的基板,该基板包括第一金属或其合金的纳米粒子的分布;(b)-将抑制性材料层涂到所述基板上,并且-通过光感应、热、化学和/或电化学的方式局部地去除或去活化该抑制性材料层,并由此露出第一金属或其合金的至少一部分,以便获得电路的图案;(c)通过无电处理过程,在步骤(b)中所获得的基板中存在的第一金属或其合金的露出部分上,沉积第二金属或其合金的层,由此在步骤(b)之后仍然存在于基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积到第一金属或其合金上的第二金属或其合金,从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积到步骤(b)中所获得的第一金属或其合金的露出部分上。
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公开(公告)号:CN102216706A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200980146834.0
申请日:2009-10-20
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织 , 科尔特拉泰克有限公司
Inventor: L·J·W·M·柯罗瑟 , A·F·林内威尔 , H·P·欧沃斯鲁特
CPC classification number: F25B21/02 , F25B27/002 , F25B2321/0251 , F28D15/02
Abstract: 一种用于在预定温度下运输物件的货物容器,在隔热壁内设有帕尔帖元件(1)。在控制模块(2)的控制下,可通过电池(3)来对帕尔帖元件(1)供电,从而从容器内部收集热量或向容器内部散发热量。容器具有外部支承框架,该外部支承框架防止容器塌陷。帕尔帖元件通过散热器(4)和一个或多个热管(5)连接到支承框架,该一个或多个热管(5)延伸穿过所述绝热壁中的至少一个。因此,使用框架向容器外部环境散发热量或从外部环境收集热量。此外,该容器还可包括容器外部的光电装置(8),该光电装置(8)在由框架支承的壁板上,用于将光转换成可馈送到所述帕尔帖元件的电能。
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公开(公告)号:CN103718320A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201280038581.7
申请日:2012-06-06
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
CPC classification number: A01G9/14 , A01G9/1438 , B82Y10/00 , H01L51/0036 , H01L51/0047 , H01L51/0097 , H01L51/447 , Y02A40/252 , Y02E10/549
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池模块(1),该模块在至少第一波长区基本上是半透明的。该模块包括一个光电层(20),设置用于接收太阳辐射,并将与至少第一波长区不同的至少第二波长区中的太阳辐射转化为电能,该模块还可包括选择性反射层(30),其靠着光电层设置,用于选择性地反射光电层透射的所述第二波长区中的辐射。该模块进一步包括另一光电层(40),用于吸收并将至少第二波长区中的辐射转换为电能,选择性反射层(30)设置在光电层(20)和另一光电层(40)之间,其中,至少第一波长区包括从350nm到500nm的第一波段和从600nm到700nm的第二波段,而第二波长区包括一个从500nm延伸到600nm的波长范围。
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公开(公告)号:CN103340022A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201180066789.5
申请日:2011-12-02
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
Inventor: J·范登布兰德 , R·H·L·科斯特司 , A·H·迪策尔
CPC classification number: H05K3/32 , H01L23/4985 , H01L24/24 , H01L24/76 , H01L24/82 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/25171 , H01L2224/25175 , H01L2224/76155 , H01L2224/76261 , H01L2224/766 , H01L2224/767 , H01L2224/82102 , H01L2224/82104 , H01L2224/82106 , H01L2224/82874 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H05K1/0283 , H05K1/189 , H05K3/12 , H05K3/305 , H05K2201/10674 , H05K2203/107 , H05K2203/1469 , H05K2203/1545 , H05K2203/175 , Y10T29/49133 , Y10T29/53178 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于装配组件(30)与挠性基板(10)的方法,该组件具有电触点(31)。该方法包括以下步骤:将组件(30)放置在基板的第一主侧(11)上;应用机器视觉步骤来估计电触点的位置;沉积导电材料或其前体的一个或多个层(32),所述层在由组件限定的基板区域上延伸至横向超出所述区域;根据电触点的估计位置计算分割线;通过沿着所述分割线从所述层中局部地移除材料来将层分割成相互绝缘的区域(32d)。还提供一种适于执行该方法的装置。另外,提供一种可通过根据本发明的方法和装置获得的组合件。
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公开(公告)号:CN102971882A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201180022255.2
申请日:2011-03-01
Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织 , 康宁克里克菲利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/06 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/005 , H01L33/52 , H01L51/448 , H01L51/5212 , H01L51/5237 , H01L51/5243 , H01L51/5256 , H01L2251/5361 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种光电设备,包括盖(10)、阻挡结构(20)、光电结构(30)、和多个横断电导体(40)。其中-该盖(10)包含金属箔片(12)和由该金属箔片携载并与该金属箔片电绝缘的图案化的导电层(14),-该光电结构(30)被夹持在该盖(10)与该阻挡结构(20)之间,其中该光电结构(30)包含至少光电层(32)和透明导电层(34),该光电结构具有面向该盖(10)的第一主表面(31),-该多个横断电导体(40),从该盖(10)的该金属箔片(12)或该图案化的导电层(14),延伸穿通至少一个光电层(32)到所述透明导电层(34),-该盖(10)延伸超出该光电结构(30)的所述第一主表面(31)。
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