公开(公告)号：CN102651356B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210025422.5

申请日：2012-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  谢玉宸 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  吴俊毅 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 一种器件包括：工件和位于该工件的表面上的金属迹线。在工件的表面处形成迹线上凸块(BOT)。BOT结构包括：金属凸块，和将所述金属凸块接合至该金属迹线的一部分的焊料凸块。该金属迹线包括：没有由该焊料凸块覆盖的金属迹线延伸部。本发明还提供了一种在迹线上凸块结构中延伸的金属迹线。

公开(公告)号：CN102779794A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110324836.3

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  谢玉宸 ,  张国钦

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3157 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括确定集成电路(IC)封装设计的翘曲。IC封装设计包括衬底，该衬底具有在第一主表面上的顶部阻焊膜以及在与第一主表面相对的第二主表面上的底部阻焊膜。第一主表面具有安装在顶部阻焊膜上方的IC管芯。修正该设计，包括修正包括顶部阻焊膜和底部阻焊膜的组中的一个的平均厚度。根据修正的设计制造IC封装。

公开(公告)号：CN102651356A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210025422.5

申请日：2012-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  谢玉宸 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  吴俊毅 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 一种器件包括：工件和位于该工件的表面上的金属迹线。在工件的表面处形成迹线上凸块(BOT)。BOT结构包括：金属凸块，和将所述金属凸块接合至该金属迹线的一部分的焊料凸块。该金属迹线包括：没有由该焊料凸块覆盖的金属迹线延伸部。本发明还提供了一种在迹线上凸块结构中延伸的金属迹线。

公开(公告)号：CN105957843A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610405842.4

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张国钦 ,  谢玉宸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。

公开(公告)号：CN102779794B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110324836.3

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  谢玉宸 ,  张国钦

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3157 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括确定集成电路(IC)封装设计的翘曲。IC封装设计包括衬底，该衬底具有在第一主表面上的顶部阻焊膜以及在与第一主表面相对的第二主表面上的底部阻焊膜。第一主表面具有安装在顶部阻焊膜上方的IC管芯。修正该设计，包括修正包括顶部阻焊膜和底部阻焊膜的组中的一个的平均厚度。根据修正的设计制造IC封装。

公开(公告)号：CN102800643A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110324369.4

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张国钦 ,  谢玉宸

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。