公开(公告)号：CN101840913A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010135849.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  富留宫正之 ,  榊原宽 ,  岩垂史 ,  佐藤启之 ,  江口真 ,  泷雅人 ,  森下英俊 ,  加藤孝三 ,  森本淳

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。

公开(公告)号：CN1871705A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480030738.7

申请日：2004-10-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  户岛秀树

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置(100)，包括低电位基准电路区域(1)和高电位基准电路区域(2)，且所述高电位基准电路区域(2)被高耐压隔离区域(3)包围。通过在所述高耐压隔离区域(3)的外周中形成的沟槽(4)，所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)相互隔离。此外，所述沟槽(4)用绝缘材料填满，使得所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)之间绝缘。所述高耐压隔离区域(3)被所述沟槽(4)分隔，在所述被分隔位置中提供高耐压NMOS(5)或高耐压PMOS(6)。

公开(公告)号：CN101375402A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN101375402B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN100587955C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200480030738.7

申请日：2004-10-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  户岛秀树

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置(100)，包括低电位基准电路区域(1)和高电位基准电路区域(2)，且所述高电位基准电路区域(2)被高耐压隔离区域(3)包围。通过在所述高耐压隔离区域(3)的外周中形成的沟槽(4)，所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)相互隔离。此外，所述沟槽(4)用绝缘材料填满，使得所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)之间绝缘。所述高耐压隔离区域(3)被所述沟槽(4)分隔，在所述被分隔位置中提供高耐压NMOS(5)或高耐压PMOS(6)。

公开(公告)号：CN101840913B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010135849.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  富留宫正之 ,  榊原宽 ,  岩垂史 ,  佐藤启之 ,  江口真 ,  泷雅人 ,  森下英俊 ,  加藤孝三 ,  森本淳

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。