公开(公告)号：CN102468197A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110058357.1

申请日：2011-02-21

申请人： 新科金朋有限公司 ,  星科金朋(上海)有限公司

发明人： R·D·彭德塞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯，该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分，例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位，使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。

公开(公告)号：CN102468197B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201110058357.1

申请日：2011-02-21

申请人： 新科金朋有限公司 ,  星科金朋(上海)有限公司

发明人： R·D·彭德塞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯，该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分，例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位，使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。