公开(公告)号：CN103985661A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310364645.9

申请日：2013-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 种泰雄 ,  井本孝志

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2224/75 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种能检测在拾取时和安装时的半导体芯片的裂缝发生的有无的半导体制造装置。本发明的实施方式涉及的半导体制造装置包括：上推机构，将个片化的半导体芯片上推；拾取机构，拾取由上推机构上推的半导体芯片；检测器，检测经由上推机构使半导体芯片上推时的弹性波。

公开(公告)号：CN102543775A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110276346.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 种泰雄 ,  片村幸雄 ,  芳村淳 ,  岩见文宏

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。

公开(公告)号：CN103094220A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210313377.3

申请日：2012-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 种泰雄 ,  井本孝志 ,  川户雅敏 ,  宫下浩一 ,  安藤善康 ,  谷本亮

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及存储装置、半导体装置及其制造方法。提供制造成本低廉的存储装置、半导体装置及其制造方法。半导体装置具有搭载于基板上、通过接合线与基板连接的第1芯片和叠层于第1芯片上地搭载于基板上、比前述第1芯片大的第2芯片。在第2芯片的与第1芯片的粘接面的与形成有接合线的部分相对应的部分涂敷绝缘层，在第2芯片的粘接面形成粘接层，并使基板与第2芯片相贴合。

公开(公告)号：CN102543775B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201110276346.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 种泰雄 ,  片村幸雄 ,  芳村淳 ,  岩见文宏

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。

公开(公告)号：CN102487045A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110066714.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 片村幸雄 ,  种泰雄 ,  芳村淳 ,  岩见文宏

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/60 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L24/743 ,  H01L2224/743 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了可抑制涂敷的粘接剂的凹陷发生的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，在半导体晶片1的切割区域形成沟槽4，其中在半导体晶片1的第1面1a上经由切割区域形成有俯视呈大致方形形状的多个芯片区域。另外，在芯片区域的第1面的相反侧的第2面涂敷粘接剂。在该涂敷工序中，在俯视的芯片区域的至少1个角部2a，使粘接剂从俯视成为与切割区域的边界的边2b溢出到沟槽。