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1.

发明授权
用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺有权

公开(公告)号：CN103871905B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310692656.X

申请日：2013-12-17

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： K·坦比杜赖 , V·汉德卡尔 , T·周

IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488

CPC分类号： H01L21/4814 , H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/743 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L2224/0381 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11422 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺。具体而言，本文说明了用于浸焊工艺的技术，其提供了低轮廓、低成本的焊料凸点形成工艺，可以实施它以促进封装厚度缩放（例如减小总体封装厚度）。例如，本文公开的浸焊工艺可以实现超薄晶片级封装（WLP）、超薄晶片级方形扁平无引脚（WQFN）封装等。

2.

发明授权
电子元件封装体及其制作方法失效

公开(公告)号：CN104803346B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510202690.3

申请日：2010-01-06

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏

IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/60 , H01L21/683

CPC分类号： B81C1/00325 , B81B2207/092 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C2201/0115 , B81C2203/0118 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/68304 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/11009 , H01L2224/11019 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/29007 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/93 , H01L2924/0001 , H01L2924/01013 , H01L2924/01021 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15151 , H01L2924/15788 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

3.

发明授权
芯片封装体及其制造方法失效复审申请

公开(公告)号：CN101996953B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010250512.5

申请日：2010-08-10

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏 , 周正德

IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/051 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05638 , H01L2224/05688 , H01L2224/13022 , H01L2224/29007 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32052 , H01L2224/32145 , H01L2224/33181 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/01014 , H01L2924/053 , H01L2924/01 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种芯片封装体及其制造方法。实施例的芯片封装体包括：一半导体基板，具有相反的第一表面与第二表面，以及至少一接垫区与至少一元件区；多个导电垫结构，位于半导体基板的第一表面，且位于半导体基板的接垫区上；多个相互隔离的重掺杂区，设于导电垫结下方且与该些导电垫结构电连接；以及，多个导电凸块，设于重掺杂区下方，且经由重掺杂区与导电垫结构形成电连接。

4.

发明授权
影像感测元件封装构件及其制作方法失效

公开(公告)号：CN102194781B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201110067998.3

申请日：2011-03-21

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 , 黄田昊

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768 , H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/29011 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/0231 , H01L2924/3512 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种影像感测元件封装构件及其制作方法，该影像感测元件封装构件，其包含有：一影像感测晶粒，其具有一主动面以及相对于该主动面的一背面，且在该主动面上设有一影像感测元件区域以及一外接垫；一直通硅晶穿孔结构，贯穿该影像感测晶粒，连接该外接垫；多层重布线路，形成在该像感测晶粒的该背面上；以及一防焊层，覆盖在该多层重布线路上。

5.

发明授权
半导体元件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN102347284B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201110037676.4

申请日：2011-02-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 , 何明哲 , 刘重希 , 黄见翎 , 林正忠 , 蔡惠榕 , 林正怡

IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11416 , H01L2224/11422 , H01L2224/11424 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/118 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11822 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13339 , H01L2224/13562 , H01L2224/13584 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/1379 , H01L2224/13794 , H01L2224/13809 , H01L2224/13813 , H01L2224/13817 , H01L2224/13818 , H01L2224/1382 , H01L2224/13849 , H01L2224/13855 , H01L2224/13857 , H01L2224/1386 , H01L2224/13866 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/93 , H01L2225/06513 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2224/11 , H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。

6.

发明公开
半导体装置及电子设备有权

公开(公告)号：CN102224579A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146497.5

申请日：2009-11-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 中野高宏 , 内海胜喜 , 佐野光

IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/52 , H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14618 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/12044 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00

摘要： 半导体装置(10)具备：半导体基板(11)；贯通电极(17)，将半导体基板(11)沿厚度方向贯通而设置；内部电极(12)，设置在半导体基板(11)的表面的、贯通电极(17)到达的部分，与贯通电极(17)电连接；第1保护膜(13A)，将内部电极(12)的一部分除外而覆盖半导体基板(11)的表面；第2保护膜(13B)，与第1保护膜(13A)离开而设置在内部电极(12)的未被第1保护膜(13A)覆盖的部分；以及金属布线(18)，设置在半导体基板(11)的背面，与贯通电极(17)电连接。

7.

发明授权
晶片封装体及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102157462B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201110025048.4

申请日：2011-01-21

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 倪庆羽 , 徐长生

IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00

摘要： 本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。

8.

发明授权
电子元件封装体及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102201383B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110073355.X

申请日：2011-03-25

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 , 楼百尧 , 温英男 , 刘建宏

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60

CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L33/62 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03825 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/056 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/119 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32052 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/92142 , H01L2224/92143 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/1182 , H01L2224/03 , H01L2224/0382 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。

9.

发明公开
晶圆级应用的RF屏蔽部无效转让

公开(公告)号：CN103858227A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280049911.2

申请日：2012-10-09

申请人： 弗利普芯片国际有限公司

发明人： 克拉克·戴维 , 西奥多·G·特斯耶尔

IPC分类号： H01L23/60 , H05K9/00

CPC分类号： H01L23/552 , H01L24/93 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/93 , H01L2924/01029 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H01L2224/11 , H01L2224/27

摘要： 根据本发明的一种在集成电路芯片上形成芯片上型RF屏蔽部的方法的一个实施例包括：提供单个化之前的具有前侧和背侧的晶圆级集成电路部件晶圆；在晶圆的背侧上施加树脂金属层；以及将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件。在单个化，即，在将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件之后，位于背侧上的树脂金属层有效地用作RF屏蔽部。