公开(公告)号：CN1146985C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN1207583A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力,在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中,作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层,设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上,由于采用粘接薄片可简化制造工序,所以能够大量生产并提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN100487888C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN99127384.2

申请日：1999-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  永井晃 ,  佐藤俊也 ,  石井利昭 ,  小角博义 ,  濑川正则 ,  露野円丈 ,  西村朝雄 ,  安生一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件：其中半导体器件翘曲很小；在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂；半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件(17)包括：半导体芯片(64)；提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层(3)；提供在应力释放层上并连接到电极的电路层(2)；以及提供在所述电路层上的外部端子(10)；其中有机保护膜(7)形成在半导体芯片与应力释放层相反的平面上，应力释放层、半导体芯片(6)以及有机保护膜(7)的各侧面在相同的平面上露出。

公开(公告)号：CN1260590A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99127384.2

申请日：1999-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  永井晃 ,  佐藤俊也 ,  石井利昭 ,  小角博义 ,  濑川正则 ,  露野丹丈 ,  西村朝雄 ,  安生一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件:其中半导体器件翘曲很小;在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂;半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件17包括:半导体芯片64;提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层3;提供在应力释放层上并连接到电极的电路层2;以及提供在所述电路层上的外部端子10;其中有机保护膜7形成在半导体芯片与应力释放层相反的平面上,应力释放层、半导体芯片6以及有机保护膜7的各侧面在相同的平面上露出。