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1.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN101009255A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006748.2

申请日：1999-09-17

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 清水浩也 , 西村朝雄 , 宫本俊夫 , 田中英树 , 三浦英生

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L23/64 , H01L23/66

CPC分类号： H01L24/10 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

2.

发明公开
无Pb焊料连接结构和电子装置失效转让

公开(公告)号：CN1282286A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN98812250.2

申请日：1998-12-09

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 下川英惠 , 曾我太佐男 , 奥平弘明 , 石田寿治 , 中塚哲也 , 稻叶吉治 , 西村朝雄

IPC分类号： B23K35/26 , H05K3/34 , H01L23/50

CPC分类号： H05K1/181 , B23K1/0016 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L23/532 , H01L24/29 , H01L2224/83101 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H05K3/3426 , H05K3/3463 , H05K2201/10909 , Y02P70/613 , Y10T29/49144 , Y10T29/49149 , Y10T29/49169 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , H01L2924/00

摘要： 一种无Pb焊料连接结构和电子装置,该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度,获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面,保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是,无Pb焊料的特征在于:作为代表性的无Pb焊料的Sn－Ag－Bi与电极连接,该电极的表面上形成有Sn－Bi层。最好,按照重量百分比计,上述Sn－Bi层中的Bi浓度在1—20%的范围内,以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时,在上述Sn－Bi层的下面形成Cu层,以便获得具有足够高的界面强度的连接部。

3.

发明公开
存储器组件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1264924A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN00102664.X

申请日：2000-02-25

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 宫本俊夫 , 西村朝雄 , 管野利夫

IPC分类号： H01L25/04 , H01L25/18 , H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16 , H01L2225/1005 , H01L2225/107 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/181 , H05K2201/10159 , H05K2201/10674 , H05K2201/10689 , H05K2203/1572 , Y02P70/611

摘要： 提高半导体芯片的安装密度和存储器组件的容量以及适应高速总线的存储器组件。此存储器组件包含多个具有作为外部端子的突出端子和用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的WPP、具有半导体芯片、作为外部端子的外引线、并经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的TSOP、以及支撑WPP和TSOP的组件板,其中的WPP和TSOP借助于同时回流而以混合方式安装在组件板上。

4.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN101009256A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006749.7

申请日：1999-09-17

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 清水浩也 , 西村朝雄 , 宫本俊夫 , 田中英树 , 三浦英生

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L23/64 , H01L23/66

CPC分类号： H01L24/10 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

5.

发明授权
半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN1218392C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN97104876.2

申请日：1997-03-21

申请人： 株式会社日立制作所 , 日立微型电子计算机系统公司 , 日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司

发明人： 宫崎忠一 , 秋山雪治 , 柴本正训 , 下石智明 , 安生一郎 , 西邦彦 , 西村朝雄 , 田中英树 , 木本良辅 , 坪崎邦宏 , 长谷部昭男

IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/28 , H01L21/50 , H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/4985 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06136 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/50 , H01L2224/73215 , H01L2224/85951 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , Y10T29/4913 , Y10T29/49169 , H01L2924/20753 , H01L2224/05599

摘要： 把弹性体高精度稳定搭载到布线基板，并使半导体芯片的粘接工艺稳定而进行高成品率组装的半导体集成电路器件。这是一种焊球网格阵列形式的半导体封装，由芯片、粘接到芯片上的弹性体、粘接到弹性体上并形成了连接芯片压焊焊盘上的引线的布线的挠性布线基板、形成在基板主面上的阻焊层、连接布线的凸出电极基面的焊锡凸出电极构成，基板基材的芯片一侧粘接弹性体，而且在布线的焊锡凸出电极一侧形成阻焊层这样的表面布线构造。

6.

发明授权
半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN1172368C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN00135372.1

申请日：1997-02-05

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 北野诚 , 河野龙治 , 田中直敬 , 矢口昭弘 , 熊泽铁雄 , 安生一郎 , 田中英树 , 西村朝雄 , 江口州治 , 永井晃 , 御田护

IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/28

CPC分类号： H01L24/50 , H01L23/3114 , H01L23/49572 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/15787 , H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体器件，包括其中央带有多个电极的半导体芯片、粘接到除多个电极中至少某些电极之外的半导体芯片的由弹性体树脂组成的弹性体树脂部位、一个表面上包括狭带布线图形的狭带树脂层、用于将印刷布线图形粘结到狭带布线图形的多个焊料块、用于将半导体芯片的多个电极连接到狭带布线图形的引线、以及覆盖引线和多个电极的密封树脂。上述多个电极上还可具有金属球，用于使多个电极通过金属球连接到狭带布线图形。

7.

发明授权
半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN1161832C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN00104993.3

申请日：2000-04-07

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 宫本俊夫 , 田中英树 , 西村朝雄

IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/544

CPC分类号： H01L2224/02379 , H01L2224/0392 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079

摘要： 在一种制造半导体器件的方法中，在半导体晶片的正面上形成具有电路的多个芯片形成区的步骤后，且在各芯片形成区上形成凸点电极的步骤前，提供在半导体晶片的背面侧上对应于各芯片形成区的区域中形成识别标记的步骤。

8.

发明公开
半导体器件失效

公开(公告)号：CN1295346A

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN00121793.3

申请日：1998-07-10

申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 秋田电子株式会社

发明人： 秋山雪治 , 下石智明 , 大西健博 , 嶋田法翁 , 江口州志 , 西村朝雄 , 安生一郎 , 坪崎邦宏 , 宫崎忠一 , 小山宏 , 柴本正训 , 永井晃 , 荻野雅彦

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/02 , H01L23/28 , H01L21/98

CPC分类号： H01L24/50 , H01L23/3114 , H01L23/49572 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/1433 , H01L2924/3025

摘要： 片尺寸半导体封装,包括外围设有多个连接端的芯片;设于芯片主表面上使连接端暴露的弹性体;弹性体上的绝缘带,在连接端处有开口;绝缘带上表面上的多根引线,其一端与连接端连接,另一端设置于弹性体上;引线另一端上的多个突点电极;及密封半导体芯片的连接端及引线的一端的密封体,其中绝缘带在外围附近伸出芯片,树脂体的形状由绝缘带的伸出部分限定。弹性体包括多孔材料,具有与绝缘带相同的形状,侧面之一暴露于外部环境。

9.

发明授权
半导体器件及其制作方法失效转让

公开(公告)号：CN1054235C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三浦英生 , 守部俊二 , 加藤久幸 , 小池淳义 , 池田修二 , 西村朝雄

IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/283 , H01L21/22 , H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02667 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/28035 , H01L21/28525 , H01L21/28556 , H01L29/045 , H01L29/4916 , H01L29/66757 , H01L31/182 , H01L2924/0002 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , H01L2924/00

摘要： 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作；在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。