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公开(公告)号：CN1401140A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN01803154.4
申请日：2001-08-13
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/88 , H01L27/14 , G11C11/34 , H01L21/8246 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。
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公开(公告)号：CN100358147C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN01803154.4
申请日：2001-08-13
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/88 , H01L27/14 , G11C11/34 , H01L21/8246 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。
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公开(公告)号：CN101179079B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710181784.2
申请日：2001-08-13
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。
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公开(公告)号：CN101179079A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710181784.2
申请日：2001-08-13
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。
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公开(公告)号：CN1691339A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510076065.5
申请日：1999-04-29
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C11/5678 , G11C11/5692 , G11C13/003 , G11C17/16 , G11C2213/71 , G11C2213/76
摘要： 在此公开了一种极高密度现场可编程存储器。在衬底上利用几层(51a1，51a2，51b2)垂直地形成一个阵列，每个层(51a1)包括垂直构成的存储器单元。一个N层阵列中的单元可以利用N+1个掩膜步骤加接触所需要的掩膜步骤形成。最大限度利用自对准技术使光刻缺陷最小。在一个实施例中，外围电路形成在硅衬底上并且在该衬底上构成一个N层阵列。
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公开(公告)号：CN1339159A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN99815543.8
申请日：1999-04-29
申请人： 矩阵半导体公司
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C11/5678 , G11C11/5692 , G11C13/003 , G11C17/16 , G11C2213/71 , G11C2213/76
摘要： 在此公开了一种极高密度现场可编程存储器。在衬底上利用几层(51a1,51a2,51b2)垂直地形成一个阵列,每个层(51a1)包括垂直构成的存储器单元。一个N层阵列中的单元可以利用N+1个掩膜步骤加接触所需要的掩膜步骤形成。最大限度利用自对准技术使光刻缺陷最小。在一个实施例中,外围电路形成在硅衬底上并且在该衬底上构成一个N层阵列。
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公开(公告)号：CN1213437C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN99815543.8
申请日：1999-04-29
申请人： 矩阵半导体公司
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C11/5678 , G11C11/5692 , G11C13/003 , G11C17/16 , G11C2213/71 , G11C2213/76
摘要： 在此公开了一种极高密度现场可编程存储器。在衬底上利用几层(51a1，51a2，51b2)垂直地形成一个阵列，每个层(51a1)包括垂直构成的存储器单元。一个N层阵列中的单元可以利用N+1个掩膜步骤加接触所需要的掩膜步骤形成。最大限度利用自对准技术使光刻缺陷最小。在一个实施例中，外围电路形成在硅衬底上并且在该衬底上构成一个N层阵列。
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