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公开(公告)号:CN102625948B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201080037944.6
申请日:2010-08-13
申请人: 美光科技公司
发明人: 迈克尔·P·瓦奥莱特
CPC分类号: G11C5/025 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C8/10 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明揭示3D存储器装置,例如包含多个二维存储器单元层级(60、64)的那些3D存储器装置。每一层级可全部地或部分地形成于前一层级上方以形成具有两个或两个以上层级的存储器装置。每一层级可包含存储器单元串(78、70),其中所述串中的每一者耦合于源极选择栅极(82、74)与漏极选择栅极(72、84)之间以便使用所述源极/漏极选择栅极来解码每一层级。另外,所述装置可包含每一层级的字线解码器(86、88),所述字线解码器仅耦合到所述层级的字线。
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公开(公告)号:CN102349154B
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201080011567.9
申请日:2010-02-05
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L27/2409 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L21/02532 , H01L21/31116 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/66136 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1608
摘要: 一些实施例包含具有存储器装置的设备及方法,所述存储器装置具有耦合到存储器元件的二极管。每个二极管可形成于所述存储器装置的凹入部中。所述凹入部可具有多边形侧壁。所述二极管可包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型(例如,n型)的第一材料及第二导电类型(例如,p型)的第二材料。
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公开(公告)号:CN102349154A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201080011567.9
申请日:2010-02-05
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L27/2409 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L21/02532 , H01L21/31116 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/66136 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1608
摘要: 一些实施例包含具有存储器装置的设备及方法,所述存储器装置具有耦合到存储器元件的二极管。每个二极管可形成于所述存储器装置的凹入部中。所述凹入部可具有多边形侧壁。所述二极管可包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型(例如,n型)的第一材料及第二导电类型(例如,p型)的第二材料。
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公开(公告)号:CN103026489A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180036064.1
申请日:2011-06-28
申请人: 美光科技公司
发明人: 山·D·唐 , 约翰·K·查胡瑞 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/332
CPC分类号: H01L29/66363 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L2924/1301
摘要: 本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法减少对例如深掺杂剂植入的制造方法的需要。
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公开(公告)号:CN102969327A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210399098.3
申请日:2009-01-16
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/24
CPC分类号: H01L45/1675 , G11C13/0014 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
摘要: 一种可变电阻材料存储器(VRMM)装置包括容器型导体,其安置于耦合到VRMM的外延半导电突起上方。VRMM装置还可包括位于凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。VRMM阵列还可包括位于周围凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。设备包括具有二极管构造中的一者的VRMM。
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公开(公告)号:CN101971264A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980108593.0
申请日:2009-03-11
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: G11C16/34 , H01L27/115
CPC分类号: H01L45/143 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要: 一些实施例包括具有存储器元件及存取组件的设备及方法,所述存储器元件经配置以存储信息,且所述存取组件经配置以当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第一方向上的第一电压差超过第一电压值时允许电流传导通过所述存储器元件,且当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第二方向上的第二电压差超过第二电压值时阻止电流传导通过所述存储器元件,其中所述存取组件包括排除硅的材料。
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公开(公告)号:CN104362150B
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201410503567.0
申请日:2011-06-28
申请人: 美光科技公司
发明人: 山·D·唐 , 约翰·K·查胡瑞 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号: H01L29/66363 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L2924/1301
摘要: 本发明涉及闸流管随机存取存储器装置及方法。本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法减少对例如深掺杂剂植入的制造方法的需要。
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公开(公告)号:CN101803025B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN200880107834.5
申请日:2008-09-18
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L45/1608 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要: 本发明涉及可变电阻材料存储器,其包括安置于二极管下面的掩埋式自对准多晶硅化物字线。可变电阻材料存储器包括被间隔开且紧接所述二极管的金属间隔件。方法包括形成所述掩埋式自对准多晶硅化物字线及所述金属间隔件中的一者。装置包括所述可变电阻材料存储器及所述掩埋式经自对准多晶硅化的字线与所述间隔件字线中的一者。
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公开(公告)号:CN102027597A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200980117105.2
申请日:2009-03-13
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要: 一些实施例包括具有存储器单元的设备及方法,所述存储器单元具有第一电极及第二电极以及与所述第一及第二电极直接接触的存储器元件。所述存储器元件可包括可编程部分,所述可编程部分具有经配置以在多个相之间改变的材料。所述可编程部分可通过所述存储器元件的第一部分与所述第一电极隔离,且通过所述存储器元件的第二部分与所述第二电极隔离。
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公开(公告)号:CN101971264B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN200980108593.0
申请日:2009-03-11
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘峻 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号: G11C16/34 , H01L27/115
CPC分类号: H01L45/143 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要: 一些实施例包括具有存储器元件及存取组件的设备及方法,所述存储器元件经配置以存储信息,且所述存取组件经配置以当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第一方向上的第一电压差超过第一电压值时允许电流传导通过所述存储器元件,且当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第二方向上的第二电压差超过第二电压值时阻止电流传导通过所述存储器元件,其中所述存取组件包括排除硅的材料。
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