公开(公告)号：CN102934224A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027667.5

申请日：2011-06-28

申请人： 英特尔公司

发明人： R·K·纳拉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  D·德莱尼

IPC分类号： H01L23/48 ,  H05K3/46 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 微电子封装包括基板（110），嵌入到基板内的管芯（120），其中管芯具有前侧（121）和后侧（122）并且还具有位于其中的穿过硅的通孔（123），构造在管芯前侧上的构造层（130），以及与管芯后侧物理接触的电源面（140）。在另一个实施例中，微电子封装包括基板（210），第一管芯（220）和第二管芯（260），其中两个管芯嵌入到基板中，两个管芯具有前侧（221,261）和后侧（222,262），并且两个管芯内具有穿过硅的通孔（223,263），在第一和第二管芯的前侧上的构造层（230），以及与第一和第二管芯的后侧物理接触的导电结构（240）。

公开(公告)号：CN103999215B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201180075511.4

申请日：2011-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  S·纳拉辛汉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  T·A·博伊德

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

公开(公告)号：CN103620766B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280031403.1

申请日：2012-06-28

申请人： 英特尔公司

发明人： M·K·罗伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15312 ,  H05K3/007 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4682 ,  H05K2203/0769 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： 一种无芯针栅阵列（PGA）基板包括在不需要使用焊料的情况下集成到PGA基板的PGA引脚。制造无芯PGA基板的工艺通过在PGA引脚上形成构建层来集成PGA引脚，以使通孔直接接触于PGA引脚的引脚头。

公开(公告)号：CN103887289A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310705286.9

申请日：2013-12-19

申请人： 英特尔公司

发明人： M·K·洛伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/25 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1712 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2541 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了允许经由直接芯片附连（DCA）在微电子管芯和主板之间的高密度和低密度互连的实施例。在一些实施例中，微电子管芯具有高密度互连和低密度连接区域，高密度互连具有沿一个边缘定位的小凸点间距，低密度连接区域具有位于所述管芯的其它区域中的较大的凸点间距。管芯之间的高密度互连区域利用互连桥来互连，该互连桥由能够支持在其上制造高密度互连的材料制成，诸如硅。低密度互连区域用于利用DCA将经互连的管芯直接附连到板。当利用互连桥互连管芯时，高密度互连可利用当前的受控塌陷芯片连接(C4)间距，同时允许电路板上更大的间距。

公开(公告)号：CN104658931B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201410557049.7

申请日：2014-10-20

申请人： 英特尔公司

发明人： M·K·洛伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/52

摘要： 衬底封装包括编织织物，其中具有在包括股线，同轴股线，和/或股线的电感器图案的导电股线之间编织的非导电股线。封装可以通过便宜并且高吞吐量过程来形成，该过程首先在导电股线之间编织非导电股线(例如，玻璃)，以在编织织物中形成导电股线的电路板图案。接下来，利用树脂材料来浸渍编织织物以形成浸渍织物，然后，固化浸渍织物，以形成固化的织物。随后，平坦化固化的织物的上及下表面。平坦化分段并且暴露线路、同轴，以及电感器图案股线的末端。由于导电股线是整体地在平坦化的编织织物内形成的，因此，衬底具有高机械稳定性，并提供嵌入在衬底封装中的基于多股绞线的电气组件。

公开(公告)号：CN103119711B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201180045470.4

申请日：2011-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·K·纳拉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  P·马拉特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/2201 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/251 ,  H01L2224/25105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。那些方法可包括形成嵌入在无芯衬底中的管芯，其中模制复合物围住管芯并且管芯包括：在管芯第一侧上的TSV连接和在管芯第二侧上的C4焊盘，在模制复合物的第一侧和第二侧上的介电材料，以及耦合至C4焊盘和TSV焊盘的互连结构。各实施例进一步包括形成封装结构，其中多个管芯被完全地嵌入到BBUL封装件内而没有PoP焊点。

公开(公告)号：CN103999215A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180075511.4

申请日：2011-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  S·纳拉辛汉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  T·A·博伊德

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

公开(公告)号：CN103250245A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180058792.2

申请日：2011-11-23

申请人： 英特尔公司

发明人： M·J·曼努沙洛 ,  M·S·赫拉德 ,  R·K·纳拉

IPC分类号： H01L23/485 ,  H05K3/46 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/183 ,  H05K3/4641 ,  H01L2924/00

摘要： 一种结构包括用于支持半导体器件的混合衬底，包括半导体器件嵌入其中的无凸起内建层和层叠芯结构。通过连接至层叠芯结构中的镀敷透孔并且连接至无凸起内建层结构的后续接合盘的增强镀敷，该无凸起内建层和层叠芯结构形成集成装置。

公开(公告)号：CN103872026B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310659460.0

申请日：2013-12-09

申请人： 英特尔公司

发明人： M·K·罗伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中，装置包括安装在封装基底上的IC，以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。

公开(公告)号：CN102934224B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180027667.5

申请日：2011-06-28

申请人： 英特尔公司

发明人： R·K·纳拉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  D·德莱尼

IPC分类号： H01L23/48 ,  H05K3/46 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 微电子封装包括基板（110），嵌入到基板内的管芯（120），其中管芯具有前侧（121）和后侧（122）并且还具有位于其中的穿过硅的通孔（123），构造在管芯前侧上的构造层（130），以及与管芯后侧物理接触的电源面（140）。在另一个实施例中，微电子封装包括基板（210），第一管芯（220）和第二管芯（260），其中两个管芯嵌入到基板中，两个管芯具有前侧（221,261）和后侧（222,262），并且两个管芯内具有穿过硅的通孔（223,263），在第一和第二管芯的前侧上的构造层（230），以及与第一和第二管芯的后侧物理接触的导电结构（240）。