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公开(公告)号:CN104937715B
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201380071181.0
申请日:2013-11-24
申请人: 埃勒塔系统有限公司
IPC分类号: H01L23/66 , H01L23/10 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L25/065
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/4817 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/147 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L2223/6605 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20101 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20755 , H01L2224/45099 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
摘要: 给出集成电路器件及其制造方法。集成电路器件(1)包含可能通过不同的半导体技术制造的两个或更多个有源部件(30a、30b)和适于承载两个或更多个有源部件的内插器结构(10),使得有源部件中的至少一个承载于内插器结构的顶表面上。集成电路器件还包括布置于内插器结构的顶表面上并且封装有源部件中的至少一个的至少一个金属帽(40)。本发明的集成电路器件的各种变体适于在极端条件下操作。
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公开(公告)号:CN105408998A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201480038198.0
申请日:2014-07-02
申请人: 罗森伯格高频技术有限及两合公司
CPC分类号: H01L24/46 , H01L23/3142 , H01L23/50 , H01L23/564 , H01L23/66 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2224/4382 , H01L2224/4556 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45573 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/4569 , H01L2224/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/4917 , H01L2224/85444 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要: 本发明涉及一种引线,其具有金属芯(202)、电介质层(200,204)和可接地的金属(206),其中,所述引线还具有一个或多个防潮涂层。此外,本发明涉及具有根据本发明的至少一个引线的裸片封装体。
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公开(公告)号:CN103051312B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201210386982.3
申请日:2012-10-12
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: 赖因霍尔德·巴耶尔埃尔 , 丹尼尔·多梅斯
IPC分类号: H03K17/567
CPC分类号: H01L23/645 , H01L23/62 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/0603 , H01L2224/24225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要: 本发明涉及低阻抗栅极控制方法和设备。根据本发明模块的一个实施方式,该模块包括:多个栅极驱动器芯片,并联耦接并具有共用栅极输入端、共用电源电压和共用输出端。所述芯片彼此隔开并具有在第一外部芯片边缘和第二外部芯片相对边缘之间延伸的组合宽度。所述模块进一步包括多个电容器,并联耦接在地和所述共用电源电压之间,以及横向电磁(TEM)传输线介质,其耦接至所述芯片的共用输出端且电流方向垂直于所述芯片的组合宽度。
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公开(公告)号:CN103531490A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201210228941.1
申请日:2012-07-03
申请人: 上海微电子装备有限公司
发明人: 唐世弋
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号: H01L21/4817 , H01L23/49 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L2224/11 , H01L2224/1405 , H01L2224/43 , H01L2224/46
摘要: 本发明提出一种具有可控曲率的凹面结构的封装结构及其制造方法,该方法包括在硅衬底上制作锡凸点,并基于锡凸点的直径和/或高度来实现凸点曲率半径的控制,在锡凸点表面光刻出金属引线,沉积介质材料,将金属引线包围在介质材料中最后释放衬底和锡凸点而制得封装结构。该方法所制得的封装结构,凹面结构的侧壁曲率可控,凹面直径可在几十微米到几毫米之间自由调节,可用于BSI、MEMS、WLP等多种非平面封装需求,具备良好的工艺适应性。
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公开(公告)号:CN103051312A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210386982.3
申请日:2012-10-12
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: 赖因霍尔德·巴耶尔埃尔 , 丹尼尔·多梅斯
IPC分类号: H03K17/567
CPC分类号: H01L23/645 , H01L23/62 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/0603 , H01L2224/24225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要: 本发明涉及低阻抗栅极控制方法和设备。根据本发明模块的一个实施方式,该模块包括:多个栅极驱动器芯片,并联耦接并具有共用栅极输入端、共用电源电压和共用输出端。所述芯片彼此隔开并具有在第一外部芯片边缘和第二外部芯片相对边缘之间延伸的组合宽度。所述模块进一步包括多个电容器,并联耦接在地和所述共用电源电压之间,以及横向电磁(TEM)传输线介质,其耦接至所述芯片的共用输出端且电流方向垂直于所述芯片的组合宽度。
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公开(公告)号:CN108431952A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201680058261.6
申请日:2016-10-12
申请人: 英帆萨斯公司
IPC分类号: H01L23/49 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L23/00
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/3135 , H01L23/3157 , H01L23/552 , H01L24/01 , H01L24/42 , H01L24/44 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/47 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L2224/42 , H01L2224/44 , H01L2224/45 , H01L2224/46 , H01L2224/47 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2224/49051 , H01L2224/49052 , H01L2225/06506 , H01L2225/06537 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
摘要: 大致相关于一种垂直整合的微电子封装的设备被揭示。在本揭示的设备中,基板具有上表面以及与该上表面相对的下表面。第一微电子装置耦接至该基板的该上表面。该第一微电子装置是被动微电子装置。第一引线接合线耦接至该基板的该上表面,并且从该基板的该上表面延伸离开。第二引线接合线耦接至该第一微电子装置的上表面,并且从该第一微电子装置的该上表面延伸离开。该些第二引线接合线是比该些第一引线接合线短。第二微电子装置耦接至该些第一引线接合线以及该些第二引线接合线的上末端。该第二微电子装置是位在该第一微电子装置上方,并且至少部分地重叠该第一微电子装置。
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公开(公告)号:CN107305851A
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201710267226.1
申请日:2017-04-21
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC分类号: H01L23/49541 , H01L21/4828 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2924/181
摘要: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后,将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接,利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中,从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。
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公开(公告)号:CN105185721A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510493261.6
申请日:2015-08-13
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC分类号: H01L24/43 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L24/44 , H01L24/46 , H01L2224/43 , H01L2224/44 , H01L2224/46
摘要: 本发明公开了一种在陶瓷基板上制作针栅阵列的工艺方法,包括以下步骤:采用厚膜成膜或低温共烧陶瓷制作PGA基板;采用Au基共晶焊料片作为针式引线焊接材料;选用可伐镀金材料作为针式引线材料;采用真空共晶焊方法实现针式引线与PGA基板的焊接。本发明的方法,工艺简单,灵活,材料成本较低,适合小批量产品加工;焊接层连接强度高;焊接层电阻、热阻都很小,导电性好、导热快;环境适应性好,耐机械疲劳和冷热疲劳,抗蠕变,长期可靠性高。
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公开(公告)号:CN102934348B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180026251.1
申请日:2011-05-27
申请人: 罗姆股份有限公司
发明人: 奥村启树
IPC分类号: H02M7/5387 , H02M7/48
CPC分类号: H01L25/072 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/73 , H01L29/1608 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06515 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49112 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种电子电路,其包含:双极性器件;与上述双极性器件并联地连接的单极性器件;以及,与上述双极性器件及单极性器件连接的输出线。上述单极性器件和上述输出线之间的电感比上述双极性器件和上述输出线之间的电感小。
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公开(公告)号:CN104979317A
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201510176791.8
申请日:2015-04-14
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/32 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/544 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L2223/54486 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06133 , H01L2224/06155 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4905 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于:在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此,能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。
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