公开(公告)号：CN102598256B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201080049604.5

申请日：2010-11-02

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/4803 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/77 ,  H01L23/057 ,  H01L23/36 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。

公开(公告)号：CN101897029B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN200880120050.6

申请日：2008-11-26

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 徐昌秀 ,  伊兰·本-雅各布 ,  罗伯特·科菲 ,  乌梅什·米什拉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

摘要： 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。

公开(公告)号：CN102308390B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200980156127.X

申请日：2009-12-03

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉 ,  普里米特·帕里克 ,  储荣明 ,  伊兰·本-雅各布 ,  申立坤

IPC分类号： H01L29/868

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN103918069A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280049496.0

申请日：2012-10-05

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 拉柯许·K·拉尔 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  普里米特·帕里克 ,  尤瓦扎·多拉 ,  乌梅什·米什拉 ,  斯拉班缇·乔杜里 ,  尼古拉斯·费希滕鲍姆

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。

公开(公告)号：CN103493206A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280014875.6

申请日：2012-01-30

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 普里米特·帕里克 ,  尤瓦扎·多拉 ,  吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉 ,  尼古拉斯·费希滕鲍姆

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76254 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/30 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了一种III-N器件，其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层。所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。所述厚绝缘层可以具有精确控制的厚度并且是导热的。

公开(公告)号：CN102598256A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049604.5

申请日：2010-11-02

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/4803 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/77 ,  H01L23/057 ,  H01L23/36 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。

公开(公告)号：CN102308387A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080007236.8

申请日：2010-01-22

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋 ,  储荣明

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L23/492 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供一种III族氮化物基高电子迁移率晶体管，其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用，以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。

公开(公告)号：CN102165694A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137436.2

申请日：2009-09-18

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚

IPC分类号： H03K17/64 ,  H03K17/30

CPC分类号： G05F1/70 ,  H03K17/08142 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49117

摘要： 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。

公开(公告)号：CN101978589A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110230.0

申请日：2009-02-10

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚 ,  吴毅锋

IPC分类号： H02M7/521 ,  H02M3/335

CPC分类号： H03K17/08142 ,  H03K17/162 ,  H03K17/223 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871

摘要： 本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。

公开(公告)号：CN104811170B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510140463.2

申请日：2009-02-10

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚 ,  吴毅锋

IPC分类号： H03K17/0814 ,  H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687

摘要： 桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。