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公开(公告)号:CN108511412A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201810357524.4
申请日:2018-04-20
申请人: 韩德军
发明人: 韩德军
IPC分类号: H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L23/49541 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/832 , H01L2224/852
摘要: 本发明提供了一种引线框再分布结构及其制造方法,本发明利用第一封装层外的再分布层可以实现灵活的再分布或者引脚的各种不同需求的互连;利用激光活化的方法形成再分布层,简单可靠且节约成本;遮光罩可以防止可活化金属络合物在后期的长期使用中再次被活化以造成再分布线的不可靠。
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公开(公告)号:CN105122434B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201380026062.3
申请日:2013-04-15
申请人: 株式会社新川
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/742 , B23K3/082 , B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/781 , H01L2224/78253 , H01L2224/78268 , H01L2224/78269 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/852 , H01L2224/85205 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/365 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种氧化防止气体吹出单元,所述氧化防止气体吹出单元具备:中空板状的基体部(20),其在内部形成有氧化防止气体流路(30);孔(24),其以焊针(12)可抽出插入的方式设置于基体部(20),并与氧化防止气体流路(30)连通;及加热器(50),其是安装于基体部(20)的外表面;氧化防止气体流路(30)包含设置于基体部(20)的安装加热器(50)的外表面的附近的第一流路。藉此,在安装于打线接合装置的氧化防止气体吹出单元中,以小型的构造对无空气球有效地进行加热。
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公开(公告)号:CN109411390A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811056009.9
申请日:2018-09-11
申请人: 深圳赛意法微电子有限公司
CPC分类号: H01L21/67276 , H01L24/85 , H01L2224/852
摘要: 本发明公开半导体器件的自动化分级封装方法,其中,所述半导体器件的追溯性信息包括批次、坐标、和分级信息;所述自动化分级封装方法在生产线的处理工位上对所述半导体器件进行封装处理;多个所述半导体器件按阵列的方式排列在载具上。所述自动化分级封装方法至少包括以下步骤:建立通信步骤;更新信息步骤;分级处理步骤:在后续处理工位,后续产线工位机器从所述产线管理服务器中下载所述半导体器件的更新的追溯性信息,并且,根据所述产线管理服务器的设置,所述后续产线工位机器仅处理指定分级信息的半导体器件。本发明达到了提高产品质量和机器效率、节省资源和能源、节省成本的技术效果。
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公开(公告)号:CN105122434A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201380026062.3
申请日:2013-04-15
申请人: 株式会社新川
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/742 , B23K3/082 , B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/781 , H01L2224/78253 , H01L2224/78268 , H01L2224/78269 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/852 , H01L2224/85205 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/365 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要: 本发明具备:中空板状的基体部(20),其在内部形成有氧化防止气体流路(30);孔(24),其以焊针(12)可抽出插入的方式设置于基体部(20),并与氧化防止气体流路(30)连通;及加热器(50),其是安装于基体部(20)的外表面;氧化防止气体流路(30)包含设置于基体部(20)的安装加热器(50)的外表面的附近的第一流路。藉此,在安装于打线接合装置的氧化防止气体吹出单元中,以小型的构造对无空气球有效地进行加热。
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公开(公告)号:CN109148420A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810654540.X
申请日:2018-06-22
申请人: 意法半导体公司
IPC分类号: H01L23/60 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/4952 , H01L21/4832 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L22/12 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2223/544 , H01L2224/04042 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49052 , H01L2224/73265 , H01L2224/83855 , H01L2224/85013 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/48 , H01L23/49503 , H01L2224/48249 , H01L2224/852
摘要: 本公开涉及在半导体芯片制造过程期间防止ESD。根据如本文所解释的本公开的原理,选定的引线通过金属带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地,以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电隔离并与引线框架电隔离,从而维持保护免受潜在的ESD事件直到最后封装分割步骤。
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公开(公告)号:CN108257936A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810003799.8
申请日:2018-01-03
申请人: 四川明泰电子科技有限公司
IPC分类号: H01L23/495 , H01L21/60 , H01L25/07
CPC分类号: H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/832 , H01L2224/852
摘要: 本发明公开了一种DIP16多芯片封装异形引线框架机器封装方法,包括引线框架本体,所述引线框架本体上设置有多个框架单元,所述框架单元的一侧设置有第一至第八引脚,另一侧设置有第九至第十六引脚,所述框架单元上还设置有长基岛,所述长基岛的两侧设置有第一至第四基岛;所述第一至第四基岛上粘贴有芯片;本发明通过将多个MOS管集成在同一个芯片上,其不需要再通过外部线路实现正负电信号的切换和电信号强弱的转换,在系统集成时能够有效减小集成电路板的面积,从而实现集成电路的小型化。
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