公开(公告)号：CN101651123A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910160922.8

申请日：2009-07-24

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 马库斯·克内贝尔

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/041 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/63 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明描述了一种功率半导体模块，其具有衬底、壳体和在所述壳体内部的、至少一个第一接触元件以及至少一个第二接触元件，第一接触元件带有至少一个配属于该接触元件的支承部。第一接触元件由具有至少一个第一层和至少一个绝缘层的交替层序列所布置而成，并且第一接触元件具有至少一个第一接触区段，用于与第二接触元件进行触点接通。第二接触元件具有至少一个布置于功率半导体模块内部的、用于与第一接触区段进行触点接通的第二接触区段以及至少一个穿过壳体的外侧进行伸展的、用于对外进行触点接通的第三接触区段。其中，壳体具有配属于第二接触元件的第三接触区段的伸展到壳体的外侧的穿引部。在第一接触元件的第一接触区段与第二接触元件的第二接触区段之间构成有空腔，导电的填充物位于该空腔中。

公开(公告)号：CN101651123B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200910160922.8

申请日：2009-07-24

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 马库斯·克内贝尔

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/041 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/63 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明描述了一种功率半导体模块，其具有衬底、壳体和在所述壳体内部的、至少一个第一接触元件以及至少一个第二接触元件，第一接触元件带有至少一个配属于该接触元件的支承部。第一接触元件由具有至少一个第一层和至少一个绝缘层的交替层序列所布置而成，并且第一接触元件具有至少一个第一接触区段，用于与第二接触元件进行触点接通。第二接触元件具有至少一个布置于功率半导体模块内部的、用于与第一接触区段进行触点接通的第二接触区段以及至少一个穿过壳体的外侧进行伸展的、用于对外进行触点接通的第三接触区段。其中，壳体具有配属于第二接触元件的第三接触区段的伸展到壳体的外侧的穿引部。在第一接触元件的第一接触区段与第二接触元件的第二接触区段之间构成有空腔，导电的填充物位于该空腔中。

公开(公告)号：CN108573883A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810210143.3

申请日：2018-03-14

申请人： 库利克和索夫工业公司

发明人： R·N·希拉克 ,  D·A·迪安杰利斯 ,  H·克劳贝格

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/63

摘要： 一种对半导体元件进行超声键合的方法，包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准；(b)在所述第一导电结构中的若干个第一导电结构与所述第二导电结构中的相应若干个第二导电结构之间超声地形成定位键合部；以及(c)在所述第一导电结构和所述第二导电结构之间形成完整键合部。

公开(公告)号：CN106328596A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610499507.5

申请日：2016-06-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： D.拉福雷 ,  E.施瓦茨 ,  B.魏斯尼希特

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/4232 ,  H01L24/63 ,  H01L29/402 ,  H01L2224/63

摘要： 本发明涉及包括直接邻接台面区段和场电极的接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括栅结构（150），其从第一表面（101）延伸到半导体部分（100）中并且围绕半导体部分（100）的晶体管区段（TS）。场板结构（160）包括场电极（165）并且从第一表面（101）延伸到晶体管区段（TS）中。半导体部分（100）的台面区段（170）分离场板结构（160）和栅结构（150）。接触结构（315）包括直接邻接台面区段（170）的第一部分（315a）和直接邻接场电极（165）的第二部分（315b）。第一和第二部分（315a、315b）包括条并直接连接到彼此。

公开(公告)号：CN106252312A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610416351.X

申请日：2016-06-08

申请人： 特斯拉汽车公司

发明人： 刘文俊 ,  R·J·拉姆 ,  C·埃贝尔

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K7/02 ,  B23K26/22 ,  B23K26/244 ,  B23K26/32 ,  B23K33/00 ,  B23K2101/04 ,  B23K2101/24 ,  H01L23/02 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/33 ,  H01L24/63 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/70

摘要： 一种半导体器件包括：壳体；在壳体内的衬底；在衬底上的第一和第二半导体电路；以及分别电连接至第一和第二半导体电路的第一和第二平面端子，第一和第二平面端子彼此堆叠，其中第一和第二平面端子中的每个平面端子延伸远离壳体。

公开(公告)号：CN105448876A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510910249.0

申请日：2015-12-10

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 蓝镇立 ,  何峰 ,  寻骈臻 ,  谢明 ,  颜志红

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/488 ,  H01L24/63

摘要： 本发明公开了一种传感器，包括引针、引线支架、引线板和芯片，引线支架的内壁上设置有一凸环，凸环上设置有一引针孔，所述引针孔的上部填充有绝缘层，引针穿过引针孔并插入至焊接孔后并焊接，引针的下端端面与引线板的下表面相平齐，芯片与引线板的下表面接触且芯片的引线穿过引线孔与引线板的上表面焊接。本发明还公开了一种传感器的装配方法，首先将引针固定在引线支架上，然后再将引针与引线板进行焊接并保证引线板下表面平齐。本发明还公开了另外一种装配方法，在将引针与引线板焊接后再将引针固定在引针孔内，同时保证引针不伸出引线板的下表面。本发明的传感器及其装配方法均具有结构简单紧凑、引线长度短，工作可靠性高等优点。