公开(公告)号：EP2631911A1

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：EP13169111.5

申请日：2011-03-14

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

发明人： Upputuri, Bharath ,  Sampigethaya, Shreekanth

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C29/02

CPC分类号： H03F1/301 ,  G01R27/02 ,  G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/12 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/471 ,  H03F2203/45588

摘要： A sense amplifier (100) having compensation circuitry is described. The compensation circuitry includes at least one pair of compensation transistors (P01, P02). When compensation is desired, one or a combination of the bulk of the at least one pair of compensation transistors (P01, P02) is provided with one or a combination of compensation voltages. A BIST is carried out for a plurality of sense amplifiers (100) which are grouped and re-offset according to the results of the BIST.

摘要翻译： 描述了具有补偿电路的读出放大器（100）。 补偿电路包括至少一对补偿晶体管（P01，P02）。 当需要补偿时，至少一对补偿晶体管（P01，P02）中的大部分的一个或组合被提供有补偿电压的一个或组合。 对于根据BIST的结果分组和重新偏移的多个读出放大器（100）执行BIST。

公开(公告)号：EP2519948A2

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：EP10841482.2

申请日：2010-12-10

申请人： Intel Corporation

发明人： DUNNING, Dave ,  CASPER, Bryan ,  MOONEY, Randy ,  MANSURI, Mozhgan ,  JAUSSI, James E.

IPC分类号： G11C5/02

CPC分类号： G06F11/1076 ,  G11C5/02 ,  G11C29/12 ,  H01L2224/16145 ,  H03M13/15 ,  H03M13/152

摘要： Embodiments of the invention are generally directed to systems, methods, and apparatuses for hybrid memory. In one embodiment, a hybrid memory may include a package substrate. The hybrid memory may also include a hybrid memory buffer chip attached to the first side of the package substrate. High speed input/output (HSIO) logic supporting a HSIO interface with a processor. The hybrid memory also includes packet processing logic to support a packet processing protocol on the HSIO interface. Additionally, the hybrid memory also has one or more memory tiles that are vertically stacked on the hybrid memory buffer.

公开(公告)号：EP1129415B1

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：EP98944472.4

申请日：1998-08-21

申请人： CREDENCE SYSTEMS CORPORATION

发明人： LEPEJIAN, Yervant, David ,  MARANDJIAN, Hrant ,  GHUKASYAN, Hovhannes ,  KRAUS, Lawrence

IPC分类号： G06F17/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/12 ,  G01R31/318385 ,  G01R31/3185

摘要： A method and apparatus are provided for automatically generating the design of a BIST for embedded memories (117) of an IC. The approach relies on counters or pseudo-random generators for the implementation of many of the functions. The invention incorporates soft ware that generates equations (114) that can be used as inputs to a logic synthesis tool (116). The output of the synthesis tool feeds an automatic routing tool where it is merged with the output of the synthesis of the other portions of the integrated circuit, IC. The routing tool places and routes the signals through the logic described by the synthesis tool along with the remainder of the IC. The result is a completed IC design that includes efficient memory BIST circuitry.

公开(公告)号：EP1164381A3

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：EP01112141.5

申请日：2001-05-17

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Bette, Alexander

IPC分类号： G01R31/316 ,  G01R31/28 ,  G11C29/00

CPC分类号： G01R31/3185 ,  G11C29/12 ,  G11C29/48

摘要： Während des Funktionstests einer integrierten Schaltung (2) ist diese mit einem Testautomaten (1) verbunden. Ein ausschließlich nur zur Zuführung einer zusätzlichen Versorgungsspannung (VTEST) vorgesehenes Anschlußpad (36) ist mit einem Versorgungsspannungsanschluß (26) des Testautomaten (1) verbunden. Ein im Testbetrieb schaltbarer Schalter (38) verbindet das Anschlußpad (36) zur Ansteuerung irreversibel programmierbarer Schalter (42, 43). Dadurch wird der Aufwand zur Zuführung einer Programmierspannung für die Schaltelemente (42, 43) gering gehalten.

公开(公告)号：EP0974847B1

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：EP99113053.5

申请日：1999-07-01

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Krasser, Hans-Jürgen ,  Schamberger, Florian

IPC分类号： G01R31/3187 ,  G06F11/22 ,  G06F11/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/12 ,  G06F11/2268 ,  G11C29/44

公开(公告)号：EP0817202B1

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：EP97110668.7

申请日：1997-06-30

申请人： NEC Electronics Corporation

发明人： Ishida, Ryuji

IPC分类号： G11C29/00 ,  G06F11/22

CPC分类号： G06F11/2205 ,  G11C29/12

公开(公告)号：EP1262996A1

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：EP01904349.6

申请日：2001-02-08

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： ISHIBASHI, Koichiro c/o Hitachi, Ltd. ,  SYUKURI, Shoji c/o Hitachi, Ltd. ,  YANAGISAWA, Kazumasa c/o Hitachi, Ltd. ,  NISHIMOTO, Junichi c/o Hitachi, Ltd. ,  YAMAOKA, Masanao c/o Hitachi, Ltd. ,  AOKI, Masakazu c/o Hitachi, Ltd.

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： G11C16/0441 ,  B82Y10/00 ,  C04B28/02 ,  C04B2103/0097 ,  C04B2111/00017 ,  C04B2111/00456 ,  C04B2111/00517 ,  C04B2111/2092 ,  G11C16/04 ,  G11C29/12 ,  G11C29/789 ,  G11C29/848 ,  G11C2216/10 ,  H01L22/22 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  C04B14/04 ,  C04B14/06 ,  C04B14/14 ,  C04B14/16 ,  C04B20/008 ,  C04B24/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： To reduce cost of defect redundancy and trimming in a semiconductor integrated circuit having multiple layer wirings and copper wirings, address for salvaging defect of a memory cell array in a semiconductor is stored by using a nonvolatile memory element constituting a floating electrode by a first layer of polysilicon, or the nonvolatile memory element is programmed in testing the semiconductor integrated circuit, thereby, a special process is not needed in forming the nonvolatile memory element, that is, the nonvolatile memory element can be formed in a process of forming CMOS device and apparatus of laser beam for programming is not needed since the programming is carried out in testing, time necessary for programming can be shortened and therefore, testing cost can be reduced.

公开(公告)号：EP1168356A1

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：EP01114211.4

申请日：2001-06-11

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Esterl, Robert ,  Manyoki, Zoltan

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C29/12

摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Ausgleich von unterschiedlichen Spannungen auf Leitungszügen in integrierten Halbleiterschaltungen, bei der zwischen der Bitleitung und der Plateleitung ein Spannungsausgleichstransistor vorgesehen ist, der im Normalbetrieb der Halbleiterschaltung durch ein Steuersignal niederohmig schaltbar ist, um die unterschiedlichen Spannungen auf den Leitungen auszugleichen.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于不同的张力的上线要素中的半导体集成电路，其中所述位线和所述板线，这是由控制信号的半导体电路的正常操作期间的低切换之间提供的电压补偿晶体管，用于补偿线路上的不同的电压的补偿的电路布置。

公开(公告)号：EP1043730A1

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：EP00104152.4

申请日：2000-02-29

申请人： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

发明人： McKenzie, Neil R.

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/52 ,  G11C29/12

摘要： A multi-functional general purpose random access memory is fabricated on a single semiconductor substrate. The substrate includes a memory array including a plurality of pages, at least one processing element, and internal-external address mapping means. The pages, processing element, and mapping means are connected to each other by clock, control, data, and address signal lines. The signal lines connect the at least one processing element and the internal-external mapping means to a host processor via an external access path, and signal lines connect the at least one processing element and the memory pages via a multi-function access path, and the signal lines connect the internal-external mapping means to the memory pages via in internal access path.

摘要翻译： 在单个半导体衬底上制造多功能通用随机存取存储器。 基板包括包括多页的存储器阵列，至少一个处理元件和内部 - 外部地址映射装置。 页面，处理元件和映射装置通过时钟，控制，数据和地址信号线相互连接。 信号线经由外部访问路径将至少一个处理元件和内部 - 外部映射装置连接到主处理器，并且信号线经由多功能访问路径连接至少一个处理元件和存储器页面，以及 信号线通过内部访问路径将内部 - 外部映射装置连接到存储器页面。

公开(公告)号：EP0655743B1

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：EP93830474.8

申请日：1993-11-30

申请人： STMicroelectronics S.r.l.

发明人： Pascucci, Luigi ,  Padoan, Silvia

IPC分类号： G11C16/06 ,  G06F11/20

CPC分类号： G11C29/789 ,  G11C16/12 ,  G11C29/12