公开(公告)号：JP5773160B2

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：JP2011520858

申请日：2010-06-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 新井 隆之 ,  高橋 昌之 ,  松木 安生 ,  酒井 達也 ,  今野 圭二 ,  早川 俊之 ,  野坂 直矢 ,  松見 昭一

IPC: B01D53/28 ,  B01D53/14 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  B01J20/22

CPC classification number: H05B33/04 ,  B01D53/02 ,  B01D53/28 ,  B01J20/0248 ,  B01J20/08 ,  B01J20/103 ,  B01J20/223 ,  B01J20/26 ,  B01J20/267 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/28016 ,  B01J20/2803 ,  B01J20/28042 ,  B01J20/28052 ,  H01L51/5259 ,  B01D2253/204 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/80 ,  B01J2220/44 ,  B01J2220/46

公开(公告)号：JPWO2018190278A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2018014804

申请日：2018-04-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  鄭 康巨 ,  松木 智裕 ,  酒井 達也 ,  望田 憲嗣 ,  松村 裕史

IPC: C11D7/22 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C08L61/06 ,  C08K5/09 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された膜を基板表面から容易に除去することができる半導体基板洗浄用組成物の提供を目的とする。本発明の半導体基板洗浄用組成物は、ノボラック樹脂と、重合体でない有機酸と、溶媒とを含有し、固形分濃度が20質量%以下である。上記有機酸が、カルボン酸であるとよい。上記カルボン酸が、モノカルボン酸、ポリカルボン酸又はこれらの組み合わせであるとよい。上記有機酸の分子量としては、50以上500以下が好ましい。上記ノボラック樹脂10質量部に対する上記有機酸の含有量としては、0.001質量部以上10質量部以下が好ましい。上記溶媒が、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせであるとよい。上記溶媒におけるエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせの含有割合としては、50質量%以上が好ましい。

公开(公告)号：JP6413333B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2014100016

申请日：2014-05-13

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 栗田 俊輔 ,  成岡 岳彦 ,  酒井 達也 ,  中川 恭志

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP6399083B2

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：JP2016507466

申请日：2015-03-03

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川 恭志 ,  齊藤 隆一 ,  栗田 俊輔 ,  酒井 達也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：JP2018084783A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：JP2016229568

申请日：2016-11-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 石川 真義 ,  田中 博允 ,  河津 智晴 ,  瀬古 智昭 ,  大坪 裕介 ,  酒井 達也

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08G77/14 ,  G03F7/11

Abstract: 【課題】レジストパターンの形状及び倒壊抑制性並びにフッ素系ガスエッチング除去性及び酸素エッチング耐性に優れるシリコン含有膜を形成することができるレジストプロセス用膜形成材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジストプロセス用膜形成材料として好適な重合体を提供する。 【解決手段】式(1)で表される構造を有する重合体及び有機溶媒を含有するレジストプロセス用膜形成材料。式(1)中、R 1 は、酸素原子を含む炭素原子数1〜6の1価の有機基で、R 1 における酸素原子数の炭素原子数に対する比は0.35以上である。R 3 は、芳香環を含む炭素原子数6〜20の1価の有機基である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6311702B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川 恭志 ,  酒井 達也 ,  栗田 俊輔 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  元成 正之

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0332

公开(公告)号：JP5971248B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2013524720

申请日：2012-07-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 酒井 達也 ,  西村 秀樹 ,  山本 雅浩 ,  中川 恭志 ,  齊藤 隆一 ,  青木 英行 ,  古川 剛

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

公开(公告)号：JP5817593B2

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：JP2012046393

申请日：2012-03-02

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 酒井 達也 ,  西村 秀樹 ,  中川 恭志 ,  山本 雅浩 ,  青木 英行 ,  齊藤 隆一 ,  古川 剛

IPC: C23C18/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C07C211/65 ,  C23C18/10

公开(公告)号：JP5741443B2

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：JP2011543201

申请日：2010-11-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 齊藤 隆一 ,  鄭 康巨 ,  西村 秀樹 ,  酒井 達也

IPC: C07F19/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/16 ,  C07F15/0053 ,  C23C16/06