-
公开(公告)号：JP6303715B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014069851
申请日：2014-03-28
申请人： 日亜化学工業株式会社
CPC分类号： H01L33/405 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：JP6302902B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015522896
申请日：2014-06-10
申请人： 東レ・ダウコーニング株式会社
CPC分类号： C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K3/013 , C08K3/36 , C08K5/09 , C08K5/098 , C08K5/56 , C08K7/14 , C08L83/00 , C08L2205/02 , C08L2205/03 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：JP6301763B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2014145933
申请日：2014-07-16
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： 川原 尚由
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05017 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：JP2018046057A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016177832
申请日：2016-09-12
申请人： 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 【課題】金属部材と樹脂部材との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、半導体パッケージは、半導体チップの上または半導体チップの下に設けられ、半導体チップに対向する第1面と、第1面とは反対側の第2面と、を有する金属部材と、第1面および第2面の少なくとも一方を覆う樹脂部材と、を備える。金属部材の少なくとも第1面に凹凸形状が設けられ、凹凸形状に設けられた複数の凹部は、開口幅が底幅よりも狭い第1凹部を有する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6295411B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2013257829
申请日：2013-12-13
申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社
CPC分类号： H01L2224/48247
-
公开(公告)号：JPWO2017154189A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016571441
申请日：2016-03-11
申请人： 新電元工業株式会社
发明人： 神山 悦宏
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L23/3121 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2924/1815
摘要： 半導体装置は、複数の第一導体部10と、複数の第二導体部20と、前記第一導体部10及び前記第二導体部20の上面を覆う封止部50と、を備えている。前記第一導体部10と前記第二導体部20とは接続されている。前記第一導体部10の第一端子11を電源端子として利用する場合には前記第二導体部20の第二端子21が出力端子となり、前記第二端子21を電源端子として利用する場合には前記第一端子11が出力端子となるよう、前記第一端子11及び前記第二端子21の利用態様を選択できる。
-
公开(公告)号：JP2018041785A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016173414
申请日：2016-09-06
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2023/4068 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H03F1/3247 , H03F3/195 , H03F3/245 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 【課題】オフリーク電流と電流コラプス現象の双方を改善することができるとともに、放熱が良好な半導体装置を提供する。 【解決手段】基板10の上に、化合物半導体により形成された、バッファ層11と、バッファ層11の上に形成された第1の半導体層21と、第1の半導体層21の上に形成された第2の半導体層22と、第2の半導体層22の上に形成されたゲート電極31、ソース電極32及びドレイン電極33と、ゲート電極31の下に形成された放熱部50と、を有する。ゲート電極31と放熱部50との間には、第2の半導体層22及び第1の半導体層21の全部または一部が存在しており、放熱部50は、放熱層53と、バッファ層11及び第1の半導体層21と放熱層53との間に形成された第1の中間層51と、を含む。放熱層53は、炭素を含む材料により形成されている。 【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP6292126B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014554513
申请日：2013-12-25
申请人： 三菱ケミカル株式会社
CPC分类号： C09K11/666 , C09K11/64 , C09K11/646 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
-
公开(公告)号：JP2018037640A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2017067312
申请日：2017-03-30
申请人： 株式会社東芝
发明人： 八甫谷 明彦
CPC分类号： H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 【課題】分子接合層によってベース及び半導体チップの少なくとも一方とダイボンディング接着層との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することである。 【解決手段】実施形態の半導体パッケージは、ベースと、半導体チップと、ダイボンディング接着層と、分子接合層とを備える。前記ダイボンディング接着層は、前記ベースと前記半導体チップとの間に設けられている。前記分子接合層は、前記ベース及び前記半導体チップの少なくとも一方と前記ダイボンディング接着層との間に設けられている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ダイボンディング接着層に含まれる樹脂と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ベースに含まれる第1素材及び前記半導体チップに含まれる第2素材の少なくとも一方と化学結合している。 【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP2018037535A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016169910
申请日：2016-08-31
申请人： SHマテリアル株式会社
发明人： 田坂 敬介
CPC分类号： H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 【課題】製造コストが安く、生産性の高い、封止樹脂との密着性が高い選択された粗化面を有するリードフレームの製造方法を提供する。 【解決手段】リードフレームの面粗化方法は、リードフレーム材料の金属板1の表面全面に、粗化液を塗布して粗化面3を設ける、或いは粗化液に浸漬して粗化面3を設ける粗化工程と、そのリードフレーム材料の金属板表面全面に設けた粗化面3の不要領域を平坦面(面叩き処理面4)とする面叩き処理を含むプレス工程とを備る。 【選択図】図1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
17350 条记录 (耗时 0.05 秒)
