公开(公告)号：JP6221074B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2015506371

申请日：2013-10-03

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 平野 博茂 ,  海原 一裕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/48 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/49107 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/45 ,  H01L2924/37001

公开(公告)号：JPWO2014147677A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015506371

申请日：2013-10-03

申请人： パナソニックIpマネジメント株式会社

发明人： 平野　博茂 ,  博茂 平野 ,  一裕 海原 ,  一裕 海原

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/48 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 半導体基板上に形成された第1の配線及び第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に第1のビアを介して第1の配線と接続するように形成された第2の配線と、第2の配線上に形成された第1の有機絶縁膜と、第1の有機絶縁膜中に第2の配線と接続するように形成された第2のビアと、第1の有機絶縁膜上に第2のビアを介して第2の配線と接続するように形成された第3の配線と、第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜とを有している。第2の有機絶縁膜には、第3の配線を露出するパッド開口部が設けられている。

摘要翻译： 第一布线和形成在半导体基板上的第一绝缘膜，形成的第二布线，以便被穿过所述第一通孔在第一绝缘膜连接到所述第一布线 形成在所述第二布线的第一有机绝缘膜，并且通过形成的第二，以便被连接到所述第二布线在第一有机绝缘膜，所述第一有机绝缘膜 它有一个第三布线形成为经由通孔被连接到形成在第一有机绝缘膜的第二有机绝缘膜上方的第二引线的第二 。 第二有机绝缘膜，所述焊盘开口暴露第三布线设置。

公开(公告)号：JPWO2014136303A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：JP2015504118

申请日：2013-10-04

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 洋輔 中田 ,  洋輔 中田 ,  誠也 中野 ,  誠也 中野

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 素子電極(103)は、半導体素子(101)の表面に設けられている。金属膜(105)は、素子電極(103)上に設けられており、内側領域(105a)と、内側領域(105a)の周りに位置する外側領域(105b1)とを有する。金属膜(105)には、内側領域(105a)および外側領域(105b1)の間で素子電極(103)を露出する開口(TR)が設けられている。素子電極(103)は、金属膜(105)の半田濡れ性よりも低い半田濡れ性を有する。外部電極(117)は金属膜(105)の内側領域(105a)に半田接合されている。

摘要翻译： 元件电极（103）设置在半导体元件（101）的表面上。 金属膜（105）被设置在元件电极（103）上具有一内部区域（105A），以及位于所述内部区域（105A）周围的外部区域（105b1）。 金属膜（105）具有开口（TR）被提供，以暴露内部区域（105A）和外部区（105b1）之间的元件电极（103）。 元件电极（103）具有低的焊料润湿性比金属膜（105）的焊料润湿性。 外部电极（117）被焊接到金属膜（105）的内部区域（105A）。

公开(公告)号：JP2016165478A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2016077835

申请日：2016-04-08

申请人： ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション

发明人： ボウマ ブレット ユージン ,  ティーニー ギレルモ ジェイ. ,  シシコフ ミレン

IPC分类号： G02B23/24 ,  A61B1/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L24/45 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

摘要： 【課題】少なくとも2つの分離したファイバ間で電磁放射を伝送させる装置、システム、方法を提供する。 【解決手段】第1の光ファイバと第2の光ファイバが設けられ、第1及び/又は第2の光ファイバが回転可能とされる。第1及び第2の光ファイバのうちの少なくとも一方の端部において通信する第1の光学装置部を含む。さらには光学装置部の位置を制御して、第1及び第2の光ファイバの長手方向の軸をそれらの端部で位置合わせする、第2の装置部を含む。また第1及び/又は第2の光ファイバを、毎秒40回転より速く回転させる第3の装置部を設けることができる。第1及び/又は第2の光ファイバをカテーテル装置部に接続するための第4の装置部を含み、第4の装置部には少なくともその一端部に設けられた保護具があり、この保護具は、第4の装置部を介して、第1及び/又は第2の光ファイバをカテーテル装置部に接続する際に自動で取り外される。 【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于在至少两个分开的光纤之间传输电磁辐射的装置，系统和方法。解决方案：用于在至少两个分离的光纤之间传输电磁辐射的装置设置有第一光纤和第二光纤 。 第一和/或第二光纤是可旋转的。 该装置包括：第一光学单元部分，其在第一和第二光纤中的至少一个光纤的端部上执行通信; 第二单元部分，其控制光学单元部分的位置并使其在第一和第二光纤的纵向方向上的轴线在其端部上对准; 第三单元部分，其使第一和/或第二光纤旋转速度比每秒40转; 以及第四单元部分，其将第一和/或第二光纤连接到导管安装部分，并且包括设置在其至少一个端部上的保护工具。 当第一和/或第二光纤通过第四单元部件连接到导管安装部分时，保护工具被自动分离。选择的图：无

公开(公告)号：JPWO2012176399A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013521428

申请日：2012-06-12

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 一裕 海原 ,  一裕 海原

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/098 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/84

摘要： 窒化物半導体装置は、窒化物半導体層の上に形成された第1の電極配線層及び第2の電極配線層と、第1の電極配線層及び第2の電極配線層の上に形成され、第1の開口部を有する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の上に形成され、第1の開口部を介して第1の電極配線層及び第2の電極配線層と各々接続する第1の配線層(17a)及び第2の配線層(17b)と、第1の配線層及び第2の配線層の上に形成され、第2の開口部を有する第2の絶縁膜(18)と、第2の絶縁膜の上に形成され、第2の開口部を介して第1の配線層及び第2の配線層と各々接続する第1のパッド層(22a)及び第2のパッド層(22b)とを備えている。

摘要翻译： 氮化物半导体器件被形成在第一电极布线层和所述第二电极布线层，所述第一电极布线层和形成在氮化物半导体层上的第二电极布线层上， 具有第一开口的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜，分别通过开口连接所述第一电极的第一布线层和所述第二电极布线层 所述第一布线层（17a）和第二布线层（17B），形成在第一布线层和第二布线层，第二绝缘膜上（具有第二开口18 a）中，它被形成在所述第二绝缘膜，第二第一焊盘层（22A），并且每一个第一通过开口连接到布线层和第二布线层上的第二垫 和层（22B）。

公开(公告)号：JP2014179541A

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：JP2013053812

申请日：2013-03-15

申请人： Renesas Electronics Corp ,  ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： KAJIWARA RYOICHI ,  NAKAJO TAKUYA ,  ARAI KATSUO ,  TANIFUJI YUICHI ,  OKA HIROTAKE ,  HOZOJI HIROYUKI

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/50 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45616 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the reliability of a semiconductor device.SOLUTION: The semiconductor device comprises: a die pad 6; an SiC chip 1 mounted on the die pad 6; a first sintered Ag layer 16, which is porous, joining the die pad 6 and the SiC chip 1 together; and a reinforcing resin portion 17 which covers a surface of the first sintered Ag layer 16 and is formed in a fillet shape. The semiconductor device also comprises: a source lead 9 which is electrically connected to a source electrode 2 of the SiC chip 1; a gate lead which is electrically connected to a gate electrode 3; a drain lead which is electrically connected to a drain electrode 4; and a sealing body 14 covering the SiC chip 1, the first sintered Ag layer 16, and a part of the die pad 6. The reinforcing resin portion 17 covers a part of a side surface 1c of the SiC chip 1.

摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件的可靠性。解决方案：半导体器件包括：管芯焊盘6; 安装在芯片焊盘6上的SiC芯片1; 第一烧结的Ag层16是多孔的，将管芯焊盘6和SiC芯片1连接在一起; 以及覆盖第一烧结Ag层16的表面并形成为圆角状的增强树脂部17。 半导体器件还包括：源极引线9，其电连接到SiC芯片1的源电极2; 与栅电极3电连接的栅极引线; 漏极引线，其电连接到漏电极4; 以及覆盖SiC芯片1，第一烧结Ag层16和芯片焊盘6的一部分的密封体14.加强树脂部17覆盖SiC芯片1的侧面1c的一部分。

公开(公告)号：JPWO2012077228A1

公开(公告)日：2014-05-19

申请号：JP2012547656

申请日：2010-12-10

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 浩次 山▲崎▼ ,  浩次 山▲崎▼ ,  卓 楠 ,  卓 楠 ,  山田　朗 ,  朗 山田 ,  健嗣 大津 ,  健嗣 大津

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2076

摘要： 高温動作する半導体装置においてパワーサイクルに対する接合信頼性の高い無鉛はんだ合金およびそれを用いた半導体装置を得ることを目的とする。無鉛はんだ合金として、アンチモン(Sb)を5質量%以上15質量%以下、銅(Cu)を0.5質量%以上3質量%以下、ニッケル(Ni)を0.01質量%以上0.15質量%以下、インジウム(In)を0.1質量%以上5質量%以下、を含有し、残部すず(Sn)および不可避的不純物からなるように組成を最適化した。

公开(公告)号：JP2012178468A

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：JP2011040674

申请日：2011-02-25

申请人： Fujitsu Ltd ,  富士通株式会社

发明人： TANI MOTOAKI ,  OKAMOTO KEISHIRO

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1047 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which achieves low-resistance transmission of a compound semiconductor element in relatively simple configuration and achieves a sufficient heat radiation property of the semiconductor element at a low cost.SOLUTION: A semiconductor package includes a compound semiconductor element 10 with a connecting electrode 11 formed on the surface thereof, a resin circuit board 20 with a connecting electrode 28a and a recess 21 formed on the surface thereof, and metal materials 32 and 33 which fix the compound semiconductor element 10 within the recess 21. Inside the recess 21, the compound semiconductor element 10 is fixed at such an eccentric position that the connecting electrodes 11 and 28a become proximate to each other, the connecting electrodes 11 and 28a are wire-connected, and the metal material 32 covers at least a part from a bottom face to a side face of the compound semiconductor element 10.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件，其以相对简单的结构实现化合物半导体元件的低电阻传输，并以低成本实现半导体元件的充分的散热性能。 解决方案：半导体封装包括具有形成在其表面上的连接电极11的化合物半导体元件10，具有连接电极28a的树脂电路板20和形成在其表面上的凹部21，以及金属材料32和 在凹部21的内部，化合物半导体元件10固定在连接电极11和28a彼此靠近的偏心位置处，连接电极11和28a是 并且金属材料32从化合物半导体元件10的底面到侧面覆盖至少一部分。（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012146815A

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：JP2011003893

申请日：2011-01-12

申请人： Fuji Electric Co Ltd ,  富士電機株式会社

发明人： KATSUKI TAKASHI

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC分类号： F02P3/0453 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/922 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To mount semiconductor devices or electronic components on both surfaces of a lead frame divided to form a wiring circuit without going through a complicated process.SOLUTION: A solder 31 is applied to a prescribed position on the upper surface of a lead frame 30, a chip 32 is mounted thereon, and then the solder 31 is melted by a heating platen 33 thus joining the chip 32 to the lead frame 30. Following to the required wiring by a bonding wire 34, the lead frame 30 is mounted upside-down on a heating pedestal 35. Subsequently, a solder 36 having a melting point lower than that of the solder 31 is applied to a prescribed position on the upper surface of the lead frame 30, an electronic component 37 is mounted thereon, and then the solder 36 is melted in the heating pedestal 35 thus joining the electronic component 37 to the lead frame 30. Joining by the solder 36 is preferably carried out while raising the atmospheric temperature.

摘要翻译： 要解决的问题：将半导体器件或电子部件安装在引线框架的两个表面上，以分离形成布线电路而不经历复杂的工艺。 解决方案：将焊料31施加到引线框架30的上表面上的规定位置，在其上安装芯片32，然后通过加热台板33熔化焊料31，从而将芯片32连接到 在通过接合线34进行所需的布线之后，将引线框架30倒置安装在加热基座35上。随后，将熔点低于焊料31的焊料36施加到 在引线框架30的上表面上的规定位置，安装有电子部件37，然后在加热基座35中熔化焊料36，从而将电子部件37接合到引线框架30.通过焊料36连接 优选在提高大气温度的同时进行。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4625012B2

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：JP2006533571

申请日：2004-06-07

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： ジェイ． ウェンゼル、ロバート ,  アール． ハーパー、ピーター

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48092 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48601 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48701 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48801 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49096 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/854 ,  H01L2224/85401 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

摘要： Closely-spaced bonding wires may be used in a variety of different packaging applications to achieve improved electrical performance. In one embodiment, two adjacent bonding wires within a wire grouping are closely-spaced if a separation distance D between the two adjacent wires is met for at least 50 percent of the length of the shorter of the two adjacent wires. In one embodiment, the separation distance D is at most two times a diameter of the wire having the larger diameter of the two adjacent wires. In another embodiment, the separation distance D is at most three times a wire-to-wire pitch between the two adjacent wires. Each wire grouping may include two of more closely-spaced wires. Wire groupings of closely-spaced bonding wires may be used to form, for example, power-signal-ground triplets, signal-ground pairs, signal-power pairs, or differential signal pairs or triplets.