公开(公告)号：JP6257592B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2015510796

申请日：2013-05-07

申请人： ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト ,  Heraeus Deutschland GmbH&Co.KG

发明人： オイゲン ミルケ ,  ペーター プレノズィル ,  スヴェン トーマス

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01B1/026 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B13/00 ,  H01B13/0016 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

公开(公告)号：JP6098323B2

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：JP2013086324

申请日：2013-04-17

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 椎木 崇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0203 ,  H01L21/561 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/85 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055

公开(公告)号：JPWO2014175343A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015513808

申请日：2014-04-23

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 文彦 百瀬 ,  隆 齋藤 ,  和優 木戸 ,  芳孝 西村

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014

摘要： 半導体素子と回路層とがワイヤ(7)によって電気的に接続されたモジュール構造の半導体装置であって、半導体素子のおもて面電極(12)の表面にはおもて面金属膜(14)が成膜され、このおもて面金属膜(14)にワイヤボンディングによってワイヤ(7)が接合されている。おもて面金属膜(14)の硬度は、おもて面電極(12)やワイヤ(7)の硬度よりも高い。このようにすることで、半導体装置のパワーサイクル耐量を向上させることができる。

摘要翻译： 所述半导体元件和所述电路层是通过导线电连接模块结构的半导体装置（7），所述半导体元件（12）的前表面电极的表面上的前表面的金属膜（14） 上沉积，导线（7）通过引线接合连接到前表面的金属膜（14）。 前表面金属膜（14）的硬度比前表面电极（12）和电线的硬度高（7）。 以这种方式，能够提高半导体装置的功率循环试验。

公开(公告)号：JP5908578B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：JP2014504473

申请日：2012-09-28

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 岩瀬 鉄平 ,  油井 隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49534 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/18162

公开(公告)号：JP2014212154A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：JP2013086324

申请日：2013-04-17

申请人： 富士電機株式会社 ,  Fuji Electric Co Ltd

发明人： SHIIKI TAKASHI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/561 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0203 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】PCMなどモニタチップ領域に起因する不良を低減できる半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】半導体基板ウェハ21の一方の主面側に格子状に区画される領域内のそれぞれの基板表層に所要の活性領域1と該活性領域1を取り巻くエッジ領域2を有するデバイスチップ領域3と中央にセンシング領域を備えるプロセス管理用のモニタチップ領域7cとを形成する第1工程と、前記チップ領域の表面上に所要のパターンの金属膜4を形成した後、前記デバイスチップ領域3とモニタチップ領域7cのそれぞれの表面上に保護膜6を形成する第2工程と、前記半導体基板ウェハ21の他方の主面側を研磨研削して前記半導体基板ウェハ21を薄くする第3工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記モニタチップ領域7cの1チップ内の保護膜6の占有面積と前記デバイスチップ領域3の1チップ内の保護膜の占有面積との差を20%以下とする。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够减少诸如PCM之类的监视器芯片区域导致的故障的半导体器件的制造方法。解决方案：制造半导体器件的方法包括：第一步骤，形成器件芯片区域 3，具有所需的有源区域1和围绕有源区域1的边缘区域2，以及用于处理管理的监视器芯片区域7c，其具有在中心处的感测区域，在一个主表面上以格子形状分割的区域中的每个基板表面层上 半导体衬底晶片21的侧面; 在芯片区域的表面上形成所需图案的金属膜4，然后在器件芯片区域3和监视器芯片区域7c的每个表面上形成保护膜6的第二步骤; 以及对半导体衬底晶片21的另一个主表面侧进行研磨和研磨的第三步骤，以使半导体衬底晶片21变薄。监视器芯片区域7c的一个芯片中的保护膜6的占用面积与被占用的 将器件芯片区域3的一个芯片中的保护膜的面积设定为20％以下。

公开(公告)号：JP5577607B2

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：JP2009052565

申请日：2009-03-05

申请人： 日産自動車株式会社

发明人： 秀明 田中 ,  林　　哲也 ,  星　　正勝 ,  滋春 山上 ,  達広 鈴木

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H02M1/34

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP5572121B2

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：JP2011103829

申请日：2011-05-06

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： UNO TOMOHIRO ,  TERASHIMA SHINICHI ,  KIMURA KEIICHI ,  YAMADA TAKASHI ,  NISHIBAYASHI AKIHITO

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/78 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43821 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

公开(公告)号：JP2014516478A

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：JP2014508496

申请日：2012-04-25

申请人： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated

发明人： クインティン コリアー テレンス ,  バリー レニー デイビッド ,  ラママーシー ラジュクマール ,  エバラッド パリス ジーン

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23G1/10 ,  C23G1/12

CPC分类号： H01L24/85 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/4835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

摘要： 【課題】良好な半導体基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板を処理して、そこから好ましくない材料を除去するか、またはその後のボンディングのために半導体基板の表面を処理する方法であって、基板は、ダイを有するリードフレーム、ボンドパッド、コンタクトおよびワイヤーを含み、上記方法は、基板と、本発明で有用な１種または２種以上の液体クリーニング組成物とを接触させる工程を含む。
【選択図】図２

公开(公告)号：JP5349383B2

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：JP2010066860

申请日：2010-03-23

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 智裕 宇野 ,  晋一 寺嶋 ,  宏平 巽

IPC分类号： H01L21/60 ,  B21C37/04 ,  B32B15/01 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C21/02 ,  H01L23/49

CPC分类号： C22C5/02 ,  B21C37/042 ,  B23K35/0272 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C21/02 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/3862 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033

摘要： A bonding wire for a semiconductor device has a core wire and a periphery comprising a conductive metal mainly composed of an element common to both and/or an alloy or alloys of said metal and, between the core wire and the periphery, a diffusion layer or an intermetallic compound layer composed of the elements constituting the core wire and the periphery and a bonding wire for a semiconductor device characterized by having a core wire comprising a first conductive metal or an alloy mainly composed of the first conductive metal, a periphery comprising a second conductive metal different from the first conductive metal of the core wire or an alloy mainly composed of the second conductive metal, and, between the core wire and the periphery, a diffusion layer or an intermetallic compound layer and a method of producing the same.

公开(公告)号：JP2013105989A

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：JP2011250742

申请日：2011-11-16

申请人： Denso Corp ,  株式会社デンソー

发明人： WATANABE TAKESHI

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To certainly perform wire cut to a wire after bonding without damaging a base part consisting of silicon which is a foundation of a pad in a wire bonding method for connecting the wire to the pad for wire bonding provided on one surface side of a silicon component consisting of silicon by wedge bonding.SOLUTION: In a wire cut process, plasma irradiation means 200 for heating a wire 30 to be fused is used, and a come off part 30b in the wire 30 is fused to be torn off from a bonded part 30a while continuing heating by irradiating the come off part 30b with plasma from a direction Y in parallel with one surface 21a of a base part 21 consisting of silicon by a torch 210 of the plasma irradiation means 200 while pulling the come off part 30b upward than the connection part 30a in the wire 30 so that the come off part 30b becomes a state of floating from one surface 21a of the base part 21.

摘要翻译： 要解决的问题：在接合之后肯定执行线切割到线，而不会损坏由作为焊盘基础的硅构成的基部的引线接合方法，用于将导线连接到提供在线上的引线接合焊盘 硅组分的一个表面侧通过楔形键合由硅构成。 解决方案：在线切割工艺中，使用等离子体照射装置200，用于加热要熔化的导线30，并且线30中的脱落部分30b被熔合以从接合部分30a撕下，同时继续加热 通过等离子体照射装置200的炬210在平行于由硅组成的基部21的一个表面21a的平行方向上照射离开部分30b，同时将脱落部分30b向上拉到连接部分30a 在线30中，使得脱落部分30b变成从基部21的一个表面21a浮动的状态。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT