公开(公告)号：JPWO2010005086A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：JP2010504316

申请日：2009-07-10

申请人： 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル

发明人： 宇野　智裕 ,  智裕 宇野 ,  山田　隆 ,  隆 山田 ,  敦夫 池田 ,  敦夫 池田

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48486 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01049

摘要： 本発明は、材料費が安価で、バンプの上にウェッジ接合を行う逆ボンディングにおいて、連続ボンディングの生産性が高く、高温加熱、熱サイクル試験、リフロー試験又はHAST試験等の信頼性に優れる銅系ボンディングワイヤの接合構造を提供することを目的とする。半導体素子の電極上に形成したボールバンプの上にボンディングワイヤを接続する接合構造であって、前記ボンディングワイヤ及び前記ボールバンプは銅を主成分とし、前記接合部の界面に銅以外の金属Rの濃度が前記ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Aを有し、且つ、ボールバンプと電極との接合界面に金属Rの濃度が、ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Bを有するボンディングワイヤの接合構造である。