专利检索 cpc:"H01L2224/48699" 第 1 页

1.

发明专利
回路装置审中-公开

公开(公告)号：JP2017195385A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：JP2017107469

申请日：2017-05-31

申请人： セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

发明人： 柴崎孝 , 西塔秀史 , 牧野高久 , 清水勝徳 , 佐々木大輔

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/04 , H01L23/36 , H01L25/07

CPC分类号： H05K1/18 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/49844 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L31/02021 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , Y02E10/50

摘要： 【課題】耐圧性に優れた回路装置を提供する。【解決手段】回路基板12の上面に通常は設けられる樹脂層を省いた構造を実現している。金属からなる回路基板12の上面にセラミック基板22を配置し、このセラミック基板22の上面にIGBT等のトランジスタ34を実装する。このようにすることで、トランジスタ34と回路基板12とがセラミック基板22により絶縁される。無機物から成るセラミック基板22は、樹脂からなる絶縁層50と比較して耐圧性が極めて高いので、1000V程度の高電圧がトランジスタ34に印加されても、トランジスタ34と回路基板12とがショートすることが防止される。【選択図】図1

2.

发明专利
ダイスタッキングのための方法および半導体デバイス有权
标题翻译：方法和用于芯片堆叠的半导体装置

公开(公告)号：JP5816689B2

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：JP2013524213

申请日：2011-08-10

申请人： スパンションエルエルシー

发明人： チン,ライ,グク , ホ,フーンユエ , ナム,ウォン,ウェット , ルオン,コー,エン , フーン,サリー , グアン,ケヴィン

IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L25/065

CPC分类号： H01L24/49 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48997 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49427 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85051 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/14

3.

发明专利
回路装置有权

公开(公告)号：JP5789264B2

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：JP2012534923

申请日：2011-09-15

申请人： セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

发明人： 柴崎孝 , 西塔秀史 , 牧野高久 , 清水勝徳 , 佐々木大輔

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H01L25/07

CPC分类号： H05K1/18 , H01L23/049 , H01L23/295 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L31/02021 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , Y02E10/50

4.

发明专利
半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件

公开(公告)号：JP2015039027A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014213948

申请日：2014-10-20

申请人： 住友ベークライト株式会社 , Sumitomo Bakelite Co Ltd

发明人： MAEBOTOKE SHINICHI , ITO SHINGO

IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/60 , H01L23/31

CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/48699 , H01L2224/48764 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48864 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/01004 , H01L2924/01038 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01017 , H01L2924/01056 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01077 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/01006 , H01L2924/0002 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/01049

摘要： 【課題】リードフレーム又は回路基板の電気的接合部と半導体素子の電極パッドが銅ワイヤにより接続された、高温保管性、高温動作特性及び耐湿信頼性などに優れた半導体装置を提供する。【解決手段】ダイパッド部3aを有するリードフレーム3と、ダイパッド部上に搭載された1個以上の半導体素子1と、リードフレームに設けられたワイヤボンド部3bと半導体素子に設けられた電極パッド6とを電気的に接続する銅ワイヤ4と、半導体素子と銅ワイヤとを封止する封止材5とを備える。電極パッドの厚さが1.2μm以上であり、銅ワイヤは、銅純度が99.999質量%以上、硫黄元素含有量が5質量ppm以下且つ塩素元素含有量が0.1質量ppm以下であり、封止材は、ガラス転移温度が135℃以上190℃以下且つガラス転移温度以下の温度領域における線膨張係数が5ppm/℃以上9ppm/℃以下である。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件，其中引线框架或电路板的电接合部分通过铜线与半导体元件的电极焊盘连接，并且具有优异的高温存储能力，高温度运行特性，耐湿可靠性等。半导体装置包括：具有芯片焊盘部分3a的引线框架3; 安装在芯片焊盘部分上的一个或多个半导体元件1; 用于电连接设置在引线框架上的引线接合部分3b和设置在半导体元件上的电极焊盘6的铜线4; 以及用于封装半导体元件和铜线的封装材料。电极焊盘的厚度为1.2μm以上; 铜线的铜纯度为99.999质量％以上，硫元素的含量为5质量ppm以下，氯元素的含量为0.1质量ppm以下，封装材料的玻璃化转变温度为135℃以上且190℃以下，线膨胀系数为5ppm /℃以上且9ppm /℃以下的线膨胀系数达到玻璃化转变温度。