公开(公告)号：JP2018197702A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2017102552

申请日：2017-05-24

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 石井 稔二 ,  槇平 尚宏 ,  岩崎 秀和 ,  松橋 潤

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/067

CPC分类号： G01R31/2887 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0483 ,  G01R1/06722 ,  G01R31/2896 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L22/14

摘要： 【課題】半導体装置の製造効率を向上させる。 【解決手段】 半導体装置に搭載された半導体チップと電気的に接続された外部端子と、テスト回路に接続されたプローブピンPA1の先端部PAc1と、を接触させることで、前記半導体チップと前記テスト回路とを電気的に接続し、電気的試験を行う工程を含んでいる。プローブピンPA1は、先端部PAc1が、基材PAs1と、基材PAs1上に形成されたニッケル膜PAb1と、ニッケル膜PAb1上に形成され、銀からなる導電膜PAm1と、により構成され、導電膜PAm1は、ニッケル膜PAb1よりも厚い。 【選択図】図10

公开(公告)号：JP2018170348A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2017065283

申请日：2017-03-29

申请人： トヨタ自動車株式会社

发明人： 川島 崇功 ,  大野 裕孝

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83815

摘要： 【課題】 リードフレームと半導体チップの位置決めを好適に行う。 【解決手段】 治具を用いて半導体チップをリードフレームに接続することによって半導体装置を製造する方法を提供する。前記半導体チップが、一つの面に主電極を有する。前記リードフレームが、接合用凸部と、前記接合用凸部の周囲に配置された凸形状または凹形状によって構成された位置決め部を有する。前記製造方法が、前記接合用凸部と前記治具の間に間隔を開けた状態で前記治具を前記位置決め部に係合させる工程と、前記治具を前記半導体チップに係合させる工程と、前記位置決め部と前記半導体チップが前記治具に係合された状態で、前記接合用凸部を前記半導体チップの前記主電極にはんだを介して接続する工程を有する。 【選択図】図11

公开(公告)号：JP2018157134A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2017054230

申请日：2017-03-21

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 橋詰 昭二 ,  高田 圭太

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/565 ,  B29C45/0025 ,  B29C45/0046 ,  B29C45/14336 ,  B29C45/14655 ,  B29C2045/0027 ,  B29L2031/34 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54433 ,  H02P27/06

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】半導体装置SDの製造方法は、Y方向に重なるように配置された2つの半導体チップCH1およびCH2を樹脂封止する際に、金型の樹脂注入口であるゲート部G1の近傍にリード2dを配置して、封止体1内にボイドが残留するのを防止するものである。そして、リード2dのインナーリード部ILのY方向における長さL2は、Y方向において、チップ搭載部4aと重なるリード2aのインナーリード部ILのY方向における長さL1よりも長い。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018152528A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017049556

申请日：2017-03-15

申请人： ローム株式会社

发明人： 庄司 安伸 ,  外山 智一郎

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】 接合層が配線パターンや基板から剥離することを防止できる電子装置を提供すること。 【解決手段】 基材1と、基材1に形成された配線パターン3と、配線パターン3に配置された電子素子41と、電子素子41および配線パターン3の間に介在する接合層5と、を備え、配線パターン3には、開口部39が形成され、接合層5は、基材1のうち配線パターン3における開口部39に露出した部位119に接している。 【選択図】 図10

公开(公告)号：JP6393878B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2013072392

申请日：2013-03-29

申请人： ツハイ アドバンスト チップ キャリアズ アンド エレクトロニック サブストレート ソルーションズ テクノロジーズ カンパニー リミテッド ,  ツーハイ アクセス セミコンダクター カンパニー リミテッド

发明人： ドロール フルウィッツ ,  シー−フー アレックス フアン ,  シャンミン チェン サイモン チャン

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4889 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP2018110169A

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：JP2016257135

申请日：2016-12-28

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 今井 誠

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L2224/49052

摘要： 【課題】同一の電極ペア間において大電流を流す場合に電極同士の間を複数のワイヤで並列に接続することが検討されているが、従来の技術はこのような接続形態には対応していない。 【解決手段】半導体チップと、第1の電極ペアと、第1の電極ペアの電極間を電気的に並列に接続する複数のボンディングワイヤを有する第1ワイヤグループと、半導体チップ、第1の電極ペア、および第1ワイヤグループをモールド封止する封止部とを備え、第1ワイヤグループの複数のボンディングワイヤは、半導体チップ面の面内方向と平行な第1方向の手前側から奥側に向かうにつれて長くなり、かつ第1方向から見た手前側のボンディングワイヤの各箇所における高さが奥側のボンディングワイヤの対応箇所における高さを超えない形状で結線される半導体装置が提供される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017126670A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016005382

申请日：2016-01-14

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 安藤 直人

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L23/28 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/66 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/8128 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1423

摘要： 【課題】耐湿性と高周波特性の低下を防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得る。 【解決手段】半導体基板1上に半導体層2,3が設けられている。半導体層2,3上に互いに離間してソース電極5及びドレイン電極6が設けられている。半導体層2,3上においてソース電極5とドレイン電極6との間にゲート電極8が設けられている。絶縁膜9が、半導体層2,3、ソース電極5、ドレイン電極6及びゲート電極8を覆っている。ゲート電極8は、凹部7の底面で半導体層2,3に接合された下部電極8aと、下部電極8a上に設けられ下部電極8aよりも幅が広い上部電極8bとを含む庇構造を有する。絶縁膜9は、原子層がモノレイヤー毎に交互配列された酸化膜を主成分とする。ゲート電極8の下部電極8aを覆う絶縁膜9の膜厚と上部電極8bを覆う絶縁膜9の膜厚が同じである。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2016194033A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2015548082

申请日：2015-05-29

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 悦宏 神山 ,  悦宏 神山

IPC分类号： H02M7/48

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4839 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： [課題]小型化を図ることができ、配線抵抗が小さく高効率な半導体装置を提供する。[解決手段]実施形態の半導体装置1は、絶縁基板2と、第1の方向に延在する導電部3と、導電部3から第2の方向に離間し且つ第1の方向に延在する導電部4と、導電部3と導電部4との間に第1の方向に沿って並ぶ複数の導電部5と、導電部3上に実装されたハイサイドスイッチ11,12,13と、各々が対応する導電部5上に実装されたローサイドスイッチ14,15,16と、複数の導電部5との間に導電部3が位置するように第1の方向に沿って配列された複数の信号端子と、導電部3に電気的に接続された電源端子21と、導電部4に電気的に接続されたグランド端子22と、各々が対応する導電部5に電気的に接続され、絶縁基板2の他端側に第1の方向に沿って配列され、導電部4を通り且つ第1の方向に延びる直線Lを跨ぐ出力端子23,24,25とを備える。

公开(公告)号：JP2017091599A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016214459

申请日：2016-11-01

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

发明人： MATSUZAKI TAKANORI

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G06K19/07749 ,  G11C5/063 ,  G11C5/10 ,  G11C11/419 ,  G11C11/565 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L28/00 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

摘要： 【課題】演算処理速度を向上、かつ回路規模を低減した半導体装置と、該半導体装置の駆動方法を提供する。【解決手段】第1トランジスタと、第2トランジスタと、容量素子と、制御回路と、を有する。第1トランジスタの第1端子は、容量素子の第1端子と電気的に接続され、第2トランジスタのゲートは、容量素子の第1端子と電気的に接続され、制御回路は、容量素子の第2端子と電気的に接続される。第2トランジスタのゲートは、第1データが保持され、制御回路が、容量素子の第2端子に第1電位を与えて、第1データの値に第1電位に応じた値を加算して、第2データにする。第2トランジスタの第1端子に第2電位を与えることにより、第2データである前記第2トランジスタのゲートの電位に応じた第3電位を第2トランジスタの第2端子から出力する。【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2015170738A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016517940

申请日：2015-05-08

申请人： ローム株式会社

发明人： 和也 生駒 ,  和也 生駒

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78314 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/78343 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/78705 ,  H01L2224/78756 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85047 ,  H01L2224/85136 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/014

摘要： 本発明のワイヤボンディング構造の製造方法は、Cuよりなるワイヤを用意する工程と、前記ワイヤを、電子素子に形成された第1接合対象に接合する工程と、を備える。前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有している。前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である。前記接合する工程においては、前記退避面を前記第1接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する。