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公开(公告)号：JP5091674B2
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：JP2007523924
申请日：2006-06-26
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
IPC: C04B35/622 , C04B41/91 , H01L23/12
CPC classification number: C04B35/622 , C04B33/32 , H01L21/4807 , H01L21/4878 , H01L23/13 , H01L2924/0002 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K1/183 , H05K3/0044 , H05K2201/09045 , H05K2201/09845 , H05K2203/025 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP4772187B2
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：JP2000399257
申请日：2000-12-27
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
Inventor： 隆之 那波
IPC: C04B35/581 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/373 , H05K1/03 , H05K3/16 , H05K3/20 , H05K3/38
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP4559574B2
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：JP37151299
申请日：1999-12-27
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
IPC: C04B41/91 , H05K1/02 , C04B35/111 , C04B35/581 , C04B35/584 , H05K1/03
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic substrate which has an improved anti-bending strength, scarcely generates defects such cracks, when assembled or the like, and can form highly reliable ceramic circuit boards and highly reliable heater substrates. SOLUTION: This ceramic substrate 1 is characterized in that the surface roughness (Ra) in the short side direction S is >=1.5 times the surface roughness in the long side on an at least tensile stress-acting side among both the sides of the ceramic substrate 1. It is also preferable that the directions giving the maximum surface roughness are different each other on both the sides of the ceramic substrate 1.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2008004552A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2008523690
申请日：2007-07-03
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/592 , C04B2237/708 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , Y10T428/12535 , Y10T428/12576 , Y10T428/12618 , Y10T428/12625 , Y10T428/12778 , Y10T428/12806 , Y10T428/12868 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , H01L2924/00
Abstract: セラミックス基板と金属板とを活性金属ろう材層を介して接合したセラミックス−金属接合体において、周期律表で規定する8族元素から選択された少なくとも1種の遷移金属が上記活性金属ろう材層中に含有されていることを特徴とするセラミックス−金属接合体である。上記構成によれば、セラミックス−金属接合体をパワーモジュールに供した場合においても、高い接合強度および優れた耐熱サイクル特性を共に備え、耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合体およびそれを用いた半導体装置を提供できる。
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公开(公告)号：JP4334054B2
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：JP8299799
申请日：1999-03-26
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
IPC: H05K1/18 , H05K3/46 , C04B37/02 , H01L23/373 , H05K1/03 , H05K1/11 , H05K3/34 , H05K3/38 , H05K3/40
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/6365 , C04B37/026 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/52 , C04B2237/525 , C04B2237/706 , H01L24/32 , H01L2224/27013 , H01L2224/32 , H01L2924/01322 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K1/111 , H05K3/341 , H05K3/38 , H05K3/4092 , H05K3/4629 , H05K2201/0355 , H05K2201/0382 , Y02P70/611 , Y10T29/49124 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JPWO2016125635A1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2016573296
申请日：2016-01-26
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L21/4807 , H01L23/13 , H01L23/36 , H05K1/03
Abstract: 3点曲げ強度が500MPa以上の窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、表面側の金属板の厚さをt1とし、裏面側の金属板の厚さをt2としたときに、関係式:|t1−t2|≧0.30mmを満たし、窒化珪素基板は表面側または裏面側のどちらか一方の金属板側に凸状となるように反りが形成されており、窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が0.01〜1.0mmの範囲内であることを特徴とする窒化珪素回路基板である。また、窒化珪素基板の縦幅(L1)が10〜200mmであり、横幅(L2)が10〜200mmの範囲内であることが好ましい。上記構成によれば、表裏の金属板の厚さの差が大きな窒化珪素回路基板において、TCT特性を向上させることができる。
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公开(公告)号：JPWO2013015355A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013525748
申请日：2012-07-26
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/06 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , F27B9/243 , H01L21/4871 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/202 , H01L2924/00
Abstract: 酸化物系セラミックス基板上に銅板を配置して積層体を形成する工程と、得られた積層体を加熱する工程とにより、酸化物系セラミックス基板と銅板とを一体に接合する酸化物系セラミックス回路基板の接合方法において、上記加熱する工程は、1065〜1085℃の間に加熱温度の極大値を有する第一加熱領域で積層体を加熱する工程と、次に1000〜1050℃の間に加熱温度の極小値を有する第二加熱領域で積層体を加熱する工程と、さらに1065〜1120℃の間に加熱温度の極大値を有する第三加熱領域で積層体を加熱して接合体を形成する工程とを有し、その後接合体を冷却領域で冷却することを特徴とする。上記構成によれば、耐熱サイクル(TCT)特性が優れた酸化物系セラミックス回路基板が得られる。
Abstract translation: 通过将铜板的氧化物系陶瓷基板主体，通过加热得到的层叠体形成的叠层体，所述基于氧化物的陶瓷电路加入氧化物陶瓷基板与一体铜板 基板的接合方法中，所述加热步骤包括在第一加热区加热所述层叠体的1065-1,085℃的期间具有的加热温度的最大值的步骤，然后从1000至1050℃之间的加热温度 形成并与最小值期间℃加热在第二加热区中的层压材料，进一步1065年至1120年共轭加热到在具有加热温度的最大值的第三加热区域中的层压体 它具有的门，其特征在于，随后冷却该组件在冷却区域中。 根据上述结构，具有优异的耐热循环（TCT）特性氧化物陶瓷电路板。
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公开(公告)号：JPWO2013008919A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013524002
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: C04B35/111 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H05K1/0306 , H05K3/38 , C04B38/0054
Abstract: 本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナAl2O3を94〜98質量%、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を2〜6質量%含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素SiO2に換算した質量で前記アルミナ基板100質量%中に0.01〜1.5質量%含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が15μm以下であり、ボイド平均径が10μm以下であり、ビッカース硬度が1300以上である。
Abstract translation: 本发明的陶瓷电路板，提供了一种陶瓷电路板，其中所述金属电路板设置在氧化铝基板，氧化铝基板，氧化铝AL2 O3 94〜98重量％键合的，和烧结剂烧结之前包含在 包含来自烧结助剂衍生成分生成的组件烧结助剂的2-6％（重量）是含有硅的无机氧化物时，烧结助剂衍生氧化物组分硅的SiO 2的硅 含有0.01〜上以质量氧化铝基底100质量％，在氧化铝基板而言1.5％（重量），空隙的最大直径不小于15微米或更小，空隙的平均直径在10微米或更小，1300或更大的维氏硬度 它是。
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