公开(公告)号：JPWO2006080091A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：JP2007500401

申请日：2005-01-27

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 宏道 堀江 ,  宏道 堀江 ,  福田　悦幸 ,  悦幸 福田 ,  寛正 加藤 ,  寛正 加藤 ,  信昭 中島 ,  信昭 中島 ,  泰久 牧野 ,  泰久 牧野

IPC: B01J20/02 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J29/94 ,  B01J20/3035 ,  B01J2220/42 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  H01J7/183 ,  H01J7/186

Abstract: Ba−Al合金粉末とNi粉末とから成る圧粉混合体から構成されたゲッタ材料であり、このゲッタ材料を真空中または不活性ガス中で加熱した場合に、上記圧粉混合体が発熱反応を開始する温度が750℃以上900℃以下の範囲であることを特徴とするゲッタ材料である。このゲッタ材料によれば、圧粉混合体が発熱反応を開始する温度が750℃以上900℃以下の範囲に規定されているために、ゲッタ成分の蒸発量を過不足なく安定した状態で適正に制御することが可能となり、また加熱開始からゲッタ成分が蒸発を開始するまでの時間が短く応答性に優れたゲッタ材料および蒸発型ゲッタ装置が得られる。またゲッタ材料を充填する金属容器が変形したり溶融することが無く、ゲッタ材料の加熱蒸発工程時間を短くでき電子管が所定の真空度を得るまでの時間が短く応答性に優れた蒸発型ゲッタ装置が得られる。

公开(公告)号：JPWO2011004798A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：JP2011521913

申请日：2010-07-05

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 福田　悦幸 ,  悦幸 福田 ,  寛正 加藤 ,  寛正 加藤

IPC: F21S8/10 ,  F21S9/03 ,  F21V19/00 ,  F21V29/00 ,  H01L31/042 ,  H01L33/00 ,  H01L33/64

CPC classification number: H05K1/02 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09145 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10409 ,  H05K2203/167 ,  Y10T428/24273

Abstract: 実施形態によれば、貫通孔と、少なくとも1辺に面した凹部とを有する素子搭載用セラミックス基板が提供される。

公开(公告)号：JPWO2008004552A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：JP2008523690

申请日：2007-07-03

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 隆之 那波 ,  隆之 那波 ,  小松　通泰 ,  通泰 小松 ,  中山　憲隆 ,  憲隆 中山 ,  寛正 加藤 ,  寛正 加藤

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K3/06 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/708 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00

Abstract: セラミックス基板と金属板とを活性金属ろう材層を介して接合したセラミックス−金属接合体において、周期律表で規定する8族元素から選択された少なくとも1種の遷移金属が上記活性金属ろう材層中に含有されていることを特徴とするセラミックス−金属接合体である。上記構成によれば、セラミックス−金属接合体をパワーモジュールに供した場合においても、高い接合強度および優れた耐熱サイクル特性を共に備え、耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合体およびそれを用いた半導体装置を提供できる。

公开(公告)号：JP5656962B2

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：JP2012255067

申请日：2012-11-21

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  寛正 加藤 ,  隆之 那波 ,  隆之 那波 ,  中山　憲隆 ,  憲隆 中山

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L35/30 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/18 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/01039

公开(公告)号：JP5226511B2

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：JP2008523690

申请日：2007-07-03

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 隆之 那波 ,  通泰 小松 ,  憲隆 中山 ,  寛正 加藤

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K3/06 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  B23K101/42 ,  C22C5/06

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/708 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JPWO2011034075A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：JP2011531941

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  寛正 加藤

IPC: H05K3/38 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K3/062 ,  B23K1/0016 ,  B23K2201/36 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/706 ,  H01L21/44 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/06 ,  H05K3/067 ,  H05K3/202 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0392 ,  H05K2203/0465 ,  H05K2203/0545 ,  H05K2203/125 ,  H05K2203/167 ,  Y10T29/49156 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明の実施形態によれば、セラミックス基板1と、銅回路板5と、ろう材はみ出し部4aとを備えるセラミックス回路基板が提供される。銅回路板5は、セラミックス基板1の少なくとも一方の面に、Ag、Cu及びTiを含むろう材層を介して接合されている。ろう材はみ出し部4aは、銅回路板5の側面から外側にはみ出したろう材層で形成されている。ろう材はみ出し部4a中のTi相およびTiN相の合計は3質量%以上で、かつセラミックス基板と銅回路板の間に介在されたろう材層4b中のTi相およびTiN相の合計量と異なっている。ろう材はみ出し部4aにおける1個当たりの面積が200μm2以下の空隙が1つ以下(0を含む)である。

公开(公告)号：JPWO2016125635A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：JP2016573296

申请日：2016-01-26

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  寛正 加藤 ,  昇 北森 ,  昇 北森 ,  隆之 那波 ,  隆之 那波 ,  政司 梅原 ,  政司 梅原

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H05K1/03

Abstract: 3点曲げ強度が500MPa以上の窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、表面側の金属板の厚さをt1とし、裏面側の金属板の厚さをt2としたときに、関係式:|t1−t2|≧0.30mmを満たし、窒化珪素基板は表面側または裏面側のどちらか一方の金属板側に凸状となるように反りが形成されており、窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が0.01〜1.0mmの範囲内であることを特徴とする窒化珪素回路基板である。また、窒化珪素基板の縦幅(L1)が10〜200mmであり、横幅(L2)が10〜200mmの範囲内であることが好ましい。上記構成によれば、表裏の金属板の厚さの差が大きな窒化珪素回路基板において、TCT特性を向上させることができる。

公开(公告)号：JPWO2015019602A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015530703

申请日：2014-08-05

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  政則 星野

IPC: H01L23/12 ,  C04B37/02 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H05K1/02 ,  H05K3/20

CPC classification number: B23K1/19 ,  B23K1/0016 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/52 ,  C04B37/02 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2203/1105 ,  H01L2924/00

Abstract: 高いTCT信頼性を有し、かつ回路設計において高い自由度を有する回路基板を提供する。セラミック基板と、セラミック基板の第1の面および第2の面の少なくとも一方の上に設けられ、0.7mm以上の厚さT(mm)と、85°以上95°以下の断面の内角の角度θと、表面に設けられた25mm2以上の半導体素子搭載部とを有する銅回路板と、セラミック基板と銅回路板とを接合する接合層と、を具備する。接合層は、銅回路板の外側にはみ出し、かつ銅回路板の側面に沿ってはい上がるように設けられ、0.1mm以上1.0mm以下のはみ出し量W1と、0.05T(mm)以上0.6T(mm)以下のはい上がり量W2とを有するはみ出し部を備える。

Abstract translation: 它具有很高的可靠性TCT，并提供具有在电路设计中的高自由度的电路板。 设置在所述陶瓷基板的所述第一表面和第二表面中的至少一个，和0.7毫米或多个厚度T（mm），85角内角至95°的横截面超过°2θ位置的陶瓷基板 当包括具有25平方毫米或设置在表面上多个半导体元件安装部分，以及用于接合陶瓷基板和铜电路板，所述粘接层的铜电路板。 粘合层突出的铜电路板的外侧，并且设置成沿着所述铜电路板的侧表面攀爬，0.1毫米或1.0mm的或更小，0.05 T（毫米）或0.6 T的突出量W1（毫米 ）包括突出部分和一个下面的爬行量W2。

公开(公告)号：JPWO2014054609A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：JP2014539744

申请日：2013-10-01

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  寛正 加藤 ,  星野　政則 ,  政則 星野

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0207 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K1/111 ,  H05K3/26 ,  H05K2201/0929 ,  H05K2201/09745 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 絶縁性基板上に導体部を設けた半導体回路基板において、導体部の半導体素子搭載部の表面粗さが、算術平均粗さでRa0.3μm以下であり、十点平均粗さRzjisで2.5μm以下であり、最大高さがRz2.0μm以下であり、かつ算術平均うねりWaが0.5μm以下であることを特徴とする半導体回路基板である。また、絶縁性基板の厚さをt1、導体部の厚さをt2としたとき、0.1≦t2/t1≦50であることが好ましい。上記構成によれば、半導体素子の発熱量が増加しても優れたTCT特性を示す半導体回路基板およびそれを用いた半導体装置が提供できる。

Abstract translation: 在具有绝缘基板上的导体部分的半导体电路基板，所述半导体元件搭载用导体部的部分的表面粗糙度，和Ra0.3μm或更小的算术平均粗糙度，2.5微米或更小的十点平均粗糙度Rz JIS的术语 ，最大高度为Rz2.0μm以下，算术平均波纹度Wa为半导体电路板，其特征在于，在0.5微米或更小。 此外，在绝缘基板t1的厚度，当所述导体部分的厚度为t2时，优选的是0.1≦T2 / T1≦50。 根据上述结构，能够使用半导体电路板，提供一种半导体器件，它显示了一个TCT特性热值和在半导体装置优良增加。

公开(公告)号：JP5319463B2

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：JP2009204107

申请日：2009-09-03

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 寛正 加藤 ,  悦幸 福田

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon nitride substrate allowing a semiconductor element to be easily aligned, high in strength, and improved in a positioning property; and to provide a semiconductor device using the silicon nitride substrate improved in the positioning property. SOLUTION: This silicon nitride substrate 1 includes a through-hole 3, and a recessed part 2 facing at least one side, and is improved in a positioning property. The through-hole and the recessed part are used for screwing. Thus, occurrence of displacement is prevented. Since the silicon nitride substrate is high in strength, substrate thickness can be reduced. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT