公开(公告)号：JP6265283B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2016565271

申请日：2015-04-23

申请人： TDK株式会社

发明人： パール,ボルフガング

IPC分类号： G01D21/02

CPC分类号： B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2017538108A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2017520341

申请日：2015-10-12

申请人： ノキア テクノロジーズ オサケユイチア ,  ノキア テクノロジーズ オサケユイチア

发明人： コットン ダリル ,  コットン ダリル ,  ロビンソン アダム ,  ロビンソン アダム ,  アンドリュー ピアーズ ,  アンドリュー ピアーズ

IPC分类号： G01D21/00 ,  G01D5/16 ,  G01K1/08 ,  G01K7/16 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04

CPC分类号： B81B7/0054 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/167 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2201/09109 ,  H05K2201/09263 ,  H05K2201/10151

摘要： 装置及び方法であって、方法は、変形可能な基材と、抵抗センサの少なくとも一部分を支持するように構成された湾曲支持構造であって、抵抗センサは、第一電極、第二電極、及びこれらの電極間に提供された抵抗センサ材料を有する、湾曲支持構造と、変形可能な基材が変形した際に湾曲支持構造が同一の方式で変形しないように、湾曲支持構造を変形可能な基材から離隔させるように構成された少なくとも一つの支持部と、を具備し、抵抗センサは、変形可能な基材が変形した際に抵抗センサの変形を制限するように、湾曲支持構造上において位置決めされている。

公开(公告)号：JPWO2014042055A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：JP2014535505

申请日：2013-09-04

申请人： アルプス電気株式会社

发明人： 菊入　勝也 ,  勝也 菊入 ,  尚信 大川 ,  尚信 大川

IPC分类号： B81B7/02 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01R33/02

CPC分类号： G01P15/18 ,  B81B7/0019 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0292 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L23/3121 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】特に、MEMSセンサに対する熱応力の影響を従来よりも小さくすることができる半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】プリント基板2(支持基板)上に第1のダイボンド樹脂5を介して積層されたシリコンを主体とするMEMSセンサ3と、前記MEMSセンサ3上に第2のダイボンド樹脂9を介して積層された第1のシリコン基板11(磁気センサ用ASIC)と、封止材としてのモールド樹脂20と、を有しており、各ダイボンド樹脂5,9は、前記モールド樹脂20よりも軟質な材質により形成されていることを特徴とする。【選択図】図2

摘要翻译： 一个特别的，本发明的目的是提供一种可以比热应力对MEMS传感器的现有效果较小的半导体器件。 和印刷电路板2的MEMS传感器3为主层压硅的通过在第一芯片键合树脂5（支撑衬底）上，通过在MEMS传感器3的第二管芯接合树脂9 被堆叠在第一硅衬底11（ASIC磁传感器），作为密封材料的树脂20，具有比模具的树脂20的相应的管芯接合树脂5和9，较软的材料 其特征在于，它是由形成。 .The

公开(公告)号：JP2014187354A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2014004274

申请日：2014-01-14

申请人： Ricoh Co Ltd ,  株式会社リコー

发明人： ANDO YUICHI ,  SATO YUKITO ,  MAE KATSUTOMO

IPC分类号： H01L23/02 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve inexpensive, high-reliability joining.SOLUTION: A device includes: a first substrate where a functional element and an electrode are formed; a second substrate where a through electrode is formed; a joining material which joins the first substrate and second substrate together while securing a predetermined interval between the functional element and second substrate; and a conductive material which electrically connects the electrode to the through electrode, the joining material being harder and lower in conductivity than the conductive material.

摘要翻译： 要解决的问题：实现廉价，高可靠性的连接。解决方案：一种器件包括：形成功能元件和电极的第一基板; 形成通孔的第二基板; 连接材料，其在确保功能元件和第二基板之间的预定间隔的同时将第一基板和第二基板结合在一起; 以及导电材料，其将电极与通孔电连接，所述接合材料比导电材料更硬并且导电性更低。

公开(公告)号：JP5575103B2

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：JP2011500077

申请日：2009-03-12

申请人： ゲーエスイー ヘルムホルッツェントゥルム フュア シュヴェリオネンフォルシュンク ゲーエムベーハー

发明人： コルネリウス，トーマス ,  エンジンゲル，ヴォルフガング ,  ノイマン，ラインハルト ,  ラウベル，マルクス

IPC分类号： B82B3/00 ,  B01J23/42 ,  B01J35/06 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00

CPC分类号： C25D1/006 ,  B01J19/0093 ,  B01J23/42 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0006 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B22F1/0025 ,  B22F3/002 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  G01F1/688 ,  G01N25/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/12201 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25

公开(公告)号：JPWO2010140616A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：JP2011518470

申请日：2010-06-02

申请人： 株式会社カネカ

发明人： 瀬崎　文康 ,  文康 瀬崎

IPC分类号： G01N21/27

CPC分类号： G01N21/554 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/0046

摘要： より高感度の局在型表面プラズモン共鳴センサを提供し得る、局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップを実現する。本発明の局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップは、透明基板(51)と、当該透明基板(51)の表面の少なくとも一部を覆うように形成された金属層(52)とを有し、上記金属層(52)の表面には、平坦部と、上記平坦部に対して窪んだ凹部と、上記平坦部に対して突出した凸部とが形成されており、上記凸部は、上記凹部の外周に沿って連続的に突起しており、上記凹部の外周に沿って連続的に突起した上記凸部の頂点が成す形状の直径が5nm以上1,000nm以下の範囲内である。

公开(公告)号：JP2011518945A

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：JP2011500078

申请日：2009-03-12

申请人： ゲーエスイー ヘルムホルッツェントゥルム フュア シュヴェリオネンフォルシュンク ゲーエムベーハー

发明人： エンジンゲル，ヴォルフガング ,  コルネリウス，トーマス ,  ノイマン，ラインハルト ,  ラウベル，マルクス

IPC分类号： C25D1/08 ,  C23C28/00 ,  C25D1/04 ,  C25D11/04 ,  G01N37/00

CPC分类号： C25D1/006 ,  B01J19/0093 ,  B01J23/42 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0006 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B22F1/0025 ,  B22F3/002 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  G01F1/688 ,  G01N25/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/12201 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25

摘要： The invention concerns a nanowire structural element suited for use in a microreactor system or microcatalyzer system. A template based process is used for the production of the nanowire structural element, wherein the nanowires are electrochemically depositioned in the nanopores. The irradiation is carried out at different angles, such that a nanowire network is formed. The hollow chamber-like structure in the nanowire network is established through the dissolving of the template foil and removal of the dissolved template material. The interconnecting of the nanowires provides stability to the nanowire structural element and an electrical connection between the nanowires is created thereby.

公开(公告)号：JP4386002B2

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：JP2005160600

申请日：2005-05-31

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 誠 淺井

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125

CPC分类号： B81C1/00142 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

公开(公告)号：JP2009543086A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：JP2009518927

申请日：2007-07-11

申请人： コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

发明人： アルベルテイーニ，ジヤン−バテイスト

IPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/04 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L25/00 ,  H01L27/04 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08

CPC分类号： B81B7/0006 ,  B81B7/0074 ,  B81B2201/0292 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0206 ,  G01R33/07 ,  G01R33/093 ,  H01L24/16 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/41 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/41 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/0401

摘要： 本発明は、プレート状の第１の部分（３０）を含む集積回路に関する。 この構成要素はまた、第１の部分（３０）とは別の、第１の部分（３０）に取り付けられ、変形可能な接続手段（２２）によって第１の部分（３０）に接続され、第１の部分（３０）との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分（３２）を含む。

公开(公告)号：JPWO2007091657A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：JP2007557897

申请日：2007-02-08

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  ウシオ電機株式会社

发明人： 林　聖人 ,  聖人 林 ,  真典 山口 ,  真典 山口 ,  容平 山田 ,  容平 山田 ,  淳 村瀬 ,  淳 村瀬 ,  勝之 小野 ,  勝之 小野 ,  佐藤　直行 ,  直行 佐藤

IPC分类号： G21K5/00

CPC分类号： B81C1/00682 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  G03F1/20 ,  H01J5/18 ,  Y10T428/24174

摘要： 良好な耐圧性を備えるメンブレン構造体とその製造方法を提供する。深堀り反応性イオンエッチング(DRIE)によってシリコン基板(21)に開口部(21a)を形成した後に、アルカリエッチャントでライトエッチングすることによって開口部(21a)の側面(内周面)にDRIEによって生じた縦筋を除去する。また、BOX層(22)をエッチングで形成する際のオーバーエッチング量を抑制することにより、BOX層(22)の開口部(22a)を形成する際に生じる庇部(21b)の張り出し量を抑制する。