公开(公告)号：KR102236069B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020210018338A

申请日：2021-02-09

Applicant: 주식회사 브이앤씨테크 ,  주식회사 호연이엔지

Inventor： 홍성직 ,  장홍준

IPC: C23C18/18 ,  B29C45/14 ,  C23C18/16 ,  C23C18/34 ,  H01Q1/24

CPC classification number: C23C18/182 ,  B29C45/14 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/34 ,  H01Q1/243

Abstract: 본 발명은 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속판재의 인서트사출 성형된 표면을 전처리하고 두 단계의 무전해 도금공정으로 인테나 하우징의 제작공정 및 기간을 단축시킬 수 있으며 제작비용을 절감시킬 수 있도록 발명한 것이다.
본 발명의 구성은, 금속판재(11)를 타발 가공하는 금속판재 성형공정(S10);
상기 금속판재(11)를 열가소성 수지에 인서트 가공하여 인테나 하우징(10)을 성형하는 인서트 사출공정(S30);
상기 금속판재(11)의 보호코팅층(20)을 제거해 도금 영역을 레이저 가공하는 레이저 성형공정(S40);
상기 레이저 가공된 인테나 하우징을 탈지액에 디핑방식으로 침적시켜 불순물, 유분을 제거하는 탈지공정(S50);
상기 탈지공정(S50)을 통과한 인테나 하우징을 1차도금액에 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 제1도금층(30)을 갖도록 하는 무전해 하지도금공정(S60);
상기 무전해 하지도금공정(S60)을 통과한 인테나 하우징을 2차도금액에 침지시켜 제1도금층(30)에 제2도금층(40)을 더 갖도록 하는 무전해 두께도금공정(S70); 을 포함해 구성된다.

公开(公告)号：JP6092489B1

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2016553445

申请日：2015-01-14

Applicant: アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング ,  Atotech Deutschland GmbH

Inventor： ボリス アレクサンダー ヤンセン ,  ドニー ラウタン

IPC: C23F1/30 ,  C23C18/28

CPC classification number: C23C18/32 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/187 ,  H05K3/244 ,  H05K3/26

Abstract: 本発明は、望ましくないスキップめっきや不要なめっきを抑制する、プリント回路基板等の電子デバイスの銅素材上に金属または金属合金を無電解めっきするための方法を開示する。前記方法は、次の工程を含む:i)そのような基材を準備する工程;ii)前記銅素材を貴金属イオンで活性化させる工程;iii)余剰分の貴金属イオンやそれから形成された析出物を水性前処理組成物を用いて除去する工程、ここで、前記水性前処理組成物は、酸と、ハロゲン化物イオンの供給源と、チオ尿素化合物、チオ尿素誘導体およびチオ尿素基含有ポリマーからなる群から選択される添加剤とを含むものとする、およびiv)金属または金属合金層を無電解めっきする工程。

Abstract translation: 本发明抑制跳跃镀敷和不需要的不必要的电镀，公开了一种用于化学镀上的电子设备的铜材料的金属或金属合金的方法，如印刷电路板。 所述方法包括以下步骤：i）制备这样的衬底的步骤;ⅱ）步骤激活与贵金属离子的铜材料; 3）过量的贵金属离子的析出物和然后形成 与水性预处理组合物中去除，所述水性预处理组合物含有酸，卤化物离子，硫脲化合物，硫脲衍生物和硫脲基团的聚合物的源的 它旨在包括从所述组中选出的添加剂，和iv）镀覆金属或金属合金层中的电解的步骤。

公开(公告)号：JP2016502765A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015546000

申请日：2013-12-04

Applicant: スミダ・コンポーネンツ・アンド・モジュールズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

Inventor： バウマン，ミヒャエル・アルフォンス

IPC: H01F27/24 ,  H01F1/34

CPC classification number: H01F41/0246 ,  C23C18/1837 ,  C23C18/1841 ,  H01F1/0036 ,  H01F1/344 ,  H01F3/08 ,  H01F3/10 ,  H01F27/263 ,  H01F41/16 ,  H01F2003/106 ,  H05K3/303 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49075

Abstract: 本発明は、磁気特性が異なる少なくとも2つの材料を有する磁気コア、およびその製造方法を提供する。上記材料は、フェライト材料、酸化物セラミック材料および超常磁性材料から選択され、磁気コアに沿って個々の領域において交互に形成される。

Abstract translation: 本发明提供了一种磁芯，以及它们的制造方法，其具有至少两种材料的磁特性是不同的。 它所述材料，铁氧体材料选自氧化物陶瓷材料和超顺磁性材料选择，沿着所述磁芯在各个区域交替地形成。

公开(公告)号：JPS59501633A

公开(公告)日：1984-09-13

申请号：JP50337783

申请日：1983-09-27

IPC: H05K3/42 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  H05K3/00 ,  H05K3/18 ,  C23C3/02

CPC classification number: H05K3/0088 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  H05K2203/082

公开(公告)号：JP2018519419A

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2017561289

申请日：2016-05-27

Applicant: マクダーミッド インコーポレーテッド ,  MACDERMID,INCORPORATED

Inventor： レイ・ジン ,  アーネスト・ロング ,  アレクサンダー・コネファル ,  ウェイ・ヤン

IPC: C23C18/18

CPC classification number: C23C18/1841 ,  C23C18/1603 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/0392 ,  H05K2203/072

Abstract: 物品上の露出した銅又は銅合金を無電解金属めっきし、物品におけるめっきされる銅又は銅合金以外の領域へのめっきを防止する方法である。方法は、a)物品をルテニウム系活性化剤溶液に浸漬する工程と、b)物品を1以上の二価の硫黄化合物を含む溶液に浸漬する工程と、c)物品上の露出した銅又は銅合金を無電解めっきする工程とを順に含む。物品は、ルテニウム系活性化剤溶液に浸漬する前に、任意に洗浄及び/又はマイクロエッチングしてよい。この前処理方法によって、後の無電解めっきにおいて、物品に対する外部めっきが排除され、銅又は銅合金に対してめっきが開始される開始時間が短縮される。

公开(公告)号：JP6239089B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2016504516

申请日：2014-01-07

Applicant: アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング ,  Atotech Deutschland GmbH

Inventor： アーント キリアン ,  イェンス ヴェークリヒト ,  ドニー ラウタン

IPC: H05K3/18 ,  C23C18/18

CPC classification number: C23C18/1831 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/288 ,  H05K1/09 ,  H05K3/182 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/76849 ,  H05K3/24

公开(公告)号：JP2007509235A

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：JP2006535421

申请日：2004-10-18

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ジゼ ズー， ,  ティモシー ワイドマン，

IPC: C23C18/50 ,  B05D1/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/31 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/40 ,  C23C18/44 ,  C23C18/48 ,  C23C18/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76874

Abstract: 本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。 本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。 メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。 メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。 一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。
【選択図】 図６

公开(公告)号：JP2006009039A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004183078

申请日：2004-06-21

Applicant: Okuno Chem Ind Co Ltd ,  Rambo Chemicals (Hong Kong) Ltd ,  奥野製薬工業株式会社 ,  永保化工(香港)有限公司

Inventor： KWOK CHUN WAH ,  KWOK YIM WAH ,  NAKAGISHI YUTAKA

IPC: C25D5/10 ,  C23C18/16 ,  C23C18/48 ,  H05K3/34

CPC classification number: C23C18/1653 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/48 ,  C23C18/52 ,  C25D5/10 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3473 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12708

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a product in which a lead-free tinning film or a lead-free tin alloy plating film is formed, and which can be produced relatively easily without need of a complicated process while the generation of whiskers is suppressed over a long period. SOLUTION: The tin based plating film in which the growth of whiskers is suppressed is composed of a plating film with a double layer structure consisting of: a lower layer formed of a tinning film or a tin alloy plating film comprising ≤5 wt.% of at least one kind of metal selected from the group consisting of cobalt, copper, bismuth, silver and indium, and ≥95 wt.% tin; and an upper layer formed of a tinning film or a tin alloy plating film comprising ≤5 wt.% of at least one kind of metal selected from the group consisting of cobalt, copper, bismuth, silver and indium, and ≥95 wt.% tin. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种无铅锡镀膜或无铅锡合金镀膜形成的产品，并且可以相对容易地制造而不需要复杂的工艺而产生晶须 被长期压制。 解决方案：抑制晶须生长的锡基电镀膜由具有双层结构的镀膜构成，该镀膜由以下组成：由镀锡膜或含有≤5重量％的锡合金镀膜形成的下层 选自钴，铜，铋，银和铟中的至少一种金属和≥95重量％的锡的％ 以及由含有≤5重量％的选自钴，铜，铋，银和铟中的至少一种金属的镀锡膜或锡合金镀膜形成的上层，并且≥95重量％ 锡。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005507462A

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：JP2003540410

申请日：2002-10-25

Applicant: キネテイツク・リミテツド

Inventor： キナストン−パーソン，アンソニー・ウイリアム・ニーゲル ,  ジヨンソン，ダニエル・ロバート ,  デメレル，ウイリアム・ノーマン

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/28 ,  C23C18/31 ,  G01Q30/02 ,  G01Q60/00 ,  G01Q70/00 ,  H05K3/18

CPC classification number: H05K3/185 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1803 ,  C23C18/182 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1868 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/204 ,  C23C18/208 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/28 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30

Abstract: 本発明は、触媒反応によって基板上に材料の高解像度パターンを形成する方法に関する。 基板材料の表面上で起こる、たとえば自己触媒被覆反応など、多くのタイプの触媒反応が存在し、そのような反応を用いて、気体、液体または固体環境中で反応速度を上げるかまたは活性化することができる。 一般に、かかる反応では、使用される前記触媒材料は、前記基板材料の全体に塗布され、またはその全体に作用し、その結果、前記反応は前記基板の全体にわたって生じる。 したがって、その反応が、前記基板の前記表面の一部でのみ生じる必要がある場合、エッチングやフォトリソグラフィなどの追加のプロセスを実施する必要がある。 これらのことは、前記反応の複雑さを増加させ、コストに影響し、廃棄物を発生させる。 したがって、上記欠点のいくつかを緩和する、基板の所定の領域上で触媒反応を開始することができるような基板材料を調製する方法を提供することが、本発明の一目的である。

公开(公告)号：JP6081199B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2013000099

申请日：2013-01-04

Applicant: ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

Inventor： ワンジア・シュウ ,  スーク・クワン・クォン ,  デニス・チット・イウ・チェン ,  デニス・コック・ワイ・イー ,  ウェイファン・シュウ

IPC: B22F9/24 ,  C23C18/28

CPC classification number: C23C18/52 ,  B01J23/38 ,  B01J23/50 ,  B01J31/06 ,  B01J31/062 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/16 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/208 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  H05K3/422 ,  B01J37/0219 ,  C23C18/38