公开(公告)号：JP2017516306A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016566671

申请日：2015-04-22

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： ヴィンプリンガー マークス ,  ヴィンプリンガー マークス ,  レープハン ベアンハート ,  レープハン ベアンハート

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/10

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83206 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/20108

Abstract: 本発明は、第1の基板(1)の第1の層(2)をボンディング界面(5)で第2の基板(1’)の第2の層(2’)に持続的にボンディングする方法に関する。本発明によれば、第1の層(2)及び/又は第2の層(2’)の転位(4)の転位密度が、少なくともボンディング界面(5)の領域においてボンディング前及び/又はボンディング中に高められる。本発明はさらに、対応する装置にも関する。

公开(公告)号：JP2006128486A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：JP2004316511

申请日：2004-10-29

Applicant: Fujitsu Ltd ,  富士通株式会社

Inventor： MATSUMURA TAKAYOSHI ,  KIRA HIDEHIKO ,  KOYAE KENJI ,  KAINUMA NORIO

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC classification number: H05K3/328 ,  B23K20/10 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2224/05599

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable it to package an electronic part certainly into a circuit substrate by suppressing the vibration of a circuit substrate in the case of packaging the electronic part in the circuit substrate by using an ultrasonic vibration. SOLUTION: A method of ultrasonic packaging of the electronic part includes the steps of applying the ultrasonic vibration to a semiconductor chip 10 and carrying the semiconductor chip by flip chip bonding to the circuit substrate 20 in which an electrode terminal 22 is formed. When the ultrasonic vibration is applied to the semiconductor chip 10, the circuit substrate 20 is pressed according to the position where the amplitude of the vibration transmitted to the circuit substrate 20 becomes maximum, and the semiconductor chip 10 is packaged. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：为了通过使用超声波振动将电子部件封装在电路基板的情况下，通过抑制电路基板的振动，能够将电子部件一定地封装到电路基板中。 解决方案：电子部件的超声波包装的方法包括以下步骤：将超声波振动施加到半导体芯片10，并且通过倒装芯片接合将半导体芯片携带到其中形成电极端子22的电路基板20。 当对半导体芯片10施加超声波振动时，根据传播到电路基板20的振动的振幅变得最大的位置，将电路基板20按压，并且封装半导体芯片10。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JPWO2013175692A1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：JP2014516639

申请日：2013-03-15

Applicant: パナソニックIpマネジメント株式会社

Inventor： 哲平 小塩 ,  哲平 小塩 ,  本村　耕治 ,  耕治 本村 ,  弘樹 圓尾 ,  弘樹 圓尾

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/362 ,  B23K35/365 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75349 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81085 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81149 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半導体素子の基板への実装において、接合補助剤の残存量の把握を容易にし、接合補助剤の供給量を安定させ、接合補助剤の不足を防止する。また、実装装置のメンテナンスを効率よく行えるようにするために、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒に、着色剤を溶解させることにより調整される、金属同士の接合を補助する接合補助剤を用いる。接合補助剤は、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程を有する製造方法により得られる。

Abstract translation: 在安装半导体装置的基板上，以促进辅助接合剂的剩余量的理解，以稳定所述辅助接合剂的供给量，以防止所述辅助粘合剂的不足。 为了有效地允许安装装置的维修辅助，通过溶解的着色剂，金属之间的键合调整具有除去金属的表面氧化膜的效果的还原溶剂 辅助接合剂使用。 辅助结合剂通过具有混合具有除去金属的表面氧化膜，具有溶剂的溶解度的着色剂的效果的还原溶剂的工序的制造方法得到。

公开(公告)号：JP5363839B2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：JP2009053085

申请日：2009-03-06

Applicant: 田中貴金属工業株式会社

Inventor： 俊典 小柏 ,  正幸 宮入

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: A two-layer structure bump including a first bump layer of a bulk body of a first conductive metal, which is any of gold, copper, and nickel, formed on a substrate and a second bump layer of a sintered body of a powder of a second conductive metal, which is any of gold and silver, formed on the first bump layer. The bulk body composing the first bump layer is formed through any of plating, sputtering, or CVD. The sintered body composing the second bump layer is formed by sintering the powder of the second conductive metal having a purity of not lower than 99.9 wt% and an average particle diameter of 0.005 µm to 1.0 µm. The second bump layer has a Young's modulus 0.1 to 0.4 times that of the first bump layer.

公开(公告)号：JPWO2014045828A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：JP2014536718

申请日：2013-08-29

Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所

Inventor： 青柳　昌宏 ,  昌宏 青柳 ,  タン トゥン ブイ ,  タン トゥン ブイ ,  基史 鈴木 ,  基史 鈴木 ,  渡辺　直也 ,  直也 渡辺 ,  史樹 加藤 ,  史樹 加藤 ,  莱娜 馬 ,  莱娜 馬 ,  俊介 根本 ,  俊介 根本

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K20/10 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: この半導体装置の製造方法は、半導体チップ1に、略円錐形状に突出したバンプ電極100を形成するバンプ形成工程と、基板10に、内側面が略角錐形状又は角柱形状の凹部210を有するパッド電極200を形成するパッド形成工程と、バンプ電極100を凹部210に挿入した状態で、バンプ電極100とパッド電極200とを互いに近づける方向に加圧し、バンプ電極100の中心軸と凹部210の中心軸とを一致させた状態とする加圧工程と、バンプ電極100及びパッド電極200の少なくとも一方を超音波により振動させ、バンプ電極100とパッド電極200とを接合させる超音波接合工程と、を備えた。

Abstract translation: 一种制造半导体器件中，半导体芯片1，而凸块形成形成凸块电极100突出的大致圆锥形状，在基板10的步骤的方法，焊盘电极的内表面具有大致锥体形状或棱柱形的凹部210 焊盘形成形成200的工序中，同时在凹部210中插入凸点电极100，加压的方向接近凸块电极100和焊盘电极200彼此，和凸块电极100的凹部210的中心轴 加压步骤，以便被带入与重合凸点电极100与焊盘电极200中的至少一个为与超声振动，超声波接合工艺用于接合凸块电极100和焊盘电极200。

公开(公告)号：JP2007250566A

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：JP2006067641

申请日：2006-03-13

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： NANBA MASATAKA

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a highly reliable semiconductor device, and to provide its fabrication process. SOLUTION: The semiconductor device comprises a substrate 11, an aluminum film 12 formed on the substrate 11, and a semiconductor chip 13 mounted on the aluminum film 12. The upper surface 11a of the substrate 11 and the lower surface 12a of the aluminum film 12 are bonded directly, and the first electrode 16 of the semiconductor chip 13 and the upper surface 12b of the aluminum film 12 are bonded directly. Fall of reliability due to difference of thermal expansion is prevented by performing bonding at room temperature while applying an ultrasonic wave. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：获得高度可靠的半导体器件，并提供其制造工艺。 解决方案：半导体器件包括衬底11，形成在衬底11上的铝膜12和安装在铝膜12上的半导体芯片13.衬底11的上表面11a和衬底11的下表面12a 铝膜12直接接合，半导体芯片13的第一电极16和铝膜12的上表面12b直接接合。 通过在施加超声波的同时在室温下进行接合来防止热膨胀差的可靠性下降。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPWO2015068219A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015546188

申请日：2013-11-06

Applicant: 東芝三菱電機産業システム株式会社

Inventor： 明大 一瀬 ,  明大 一瀬 ,  義人 山田 ,  義人 山田 ,  大之 西中 ,  大之 西中 ,  章男 吉田 ,  章男 吉田

IPC: H01L31/0224 ,  B23K20/10

CPC classification number: B23K20/106 ,  B23K20/002 ,  B23K20/10 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/74 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/83205 ,  H01R43/0207

Abstract: 本発明は、電極に対して複数点の超音波振動接合処理を施し、基板に対して電極を小さい剥離力で接合させたとしても、各点における剥離力のばらつきを抑制することができる、電極接合装置を提供することを目的とする。そして、本発明は、太陽電池セル(ST1)上において、ガラス基板(1)の端辺部(L1,L2)に沿って、集電電極(20A,20B)を配置させる。そして、押圧部材(12A)により、端辺部から集電電極が配置される位置までのガラス基板の領域において、端辺部に沿って、ガラス基板を押圧する。そして、当該押圧を行いながら、超音波振動ツール(14)を用いて、集電電極に対して超音波振動接合処理を施す。

公开(公告)号：JP6054384B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：JP2014516639

申请日：2013-03-15

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 小塩 哲平 ,  本村 耕治 ,  圓尾 弘樹

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/362 ,  B23K35/365 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75349 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81085 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81149 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2924/12041

公开(公告)号：JP2015130414A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：JP2014001494

申请日：2014-01-08

Applicant: 東レエンジニアリング株式会社

Inventor： 和田 浩光

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/743 ,  H01L24/95 ,  H05K7/20172 ,  H05K7/20563 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/277 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83908 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2924/3701

Abstract: 【課題】 基板モジュールを構成する基板上に接合させるデバイスチップの数が増えても、スループットを低下させることなく接合を行うことができる自動ボンディング装置を提供することである。 【解決手段】 基板表面に設けられた複数の電極パッド上に、複数のデバイスチップを接合するボンディング装置であって、 接合対象基板を供給する基板供給部と、接合用ペーストを塗布するペースト塗布部と、 接合対象基板を保持するステージ部と、複数のデバイスチップを供給するチップ供給部と、複数のデバイスチップを一度に保持するヘッド部と、ステージ部に対してヘッド部を上下方向に昇降移動させるヘッド昇降機構と、ヘッド部を上下方向に加振する加振装置と、基板と各デバイスチップを接合するチップ接合用ペーストを加熱するヒータ部と、デバイスチップが接合された基板を搬出する基板搬出部とを備えた、自動ボンディング装置である。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种自动接合装置，即使当结合在构成电路板模块的电路板上的器件芯片的数量增加时，也能够使器件芯片接合而不降低吞吐量。解决方案：一种用于将多个器件 芯片提供在布线板的表面上的多个电极焊盘包括：板供给单元，其供给待接合的板; 施加用于芯片接合的糊剂的糊剂施加单元; 保持要粘合的板的阶段单元; 芯片供给单元，其供给所述多个装置芯片; 一次保持多个装置芯片的头单元; 头部提升机构，其在竖直方向上将头单元上下移动到舞台单元; 励磁装置，其在垂直方向上激励头单元; 加热单元，其加热粘合板和每个器件芯片的用于芯片接合的浆料; 以及执行装置芯片所接合的板的板执行单元。

公开(公告)号：JP4423165B2

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：JP2004316511

申请日：2004-10-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 秀彦 吉良 ,  健二 小八重 ,  貴由 松村 ,  則夫 海沼

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC classification number: H05K3/328 ,  B23K20/10 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2224/05599

Abstract: The method is capable of securely mounting an electronic component on a circuit board by applying ultrasonic vibration. The method comprises the step of applying ultrasonic vibrations to the electronic component so as to flip-chip-bond the electronic component to the circuit board having electrodes. Portions of the circuit board, which correspond to peaks of amplitude of vibrations transmitted to the circuit board, are pressed when the ultrasonic vibrations are applied to the electronic component.