公开(公告)号：KR1020170126368A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020160083619

申请日：2016-07-01

申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드

发明人： 이경연 ,  이태용 ,  신민철 ,  오세만

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2924/18161

摘要： 반도체디바이스및 반도체디바이스의제조방법이개시된다. 비-한정적인예로서, 본발명의다양한양태들은유전층, 유전층의일 표면위에형성된적어도하나의도전성트레이스및 도전성범프패드, 그리고적어도하나의도전성트레이스및 도전성범프패드를덮는보호층, 그리고서브스트레이트의도전성범프패드에전기적으로접속된반도체다이를포함하되, 적어도하나의도전성범프패드는보호층을통하여노출된하나의단부를갖는, 반도체디바이스, 및그의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。 作为非限制性示例的方式，本发明的各个方面的介电层，至少一个导电迹线和导电凸块垫，和保护层覆盖的至少一个导电迹线和形成在介电层的一个表面上的导电凸块垫，并且基板 以及与导电凸块焊盘电连接的半导体芯片及其制造方法，其中至少一个导电凸块焊盘的一端暴露于钝化层。

公开(公告)号：KR1020170042176A

公开(公告)日：2017-04-18

申请号：KR1020150141825

申请日：2015-10-08

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 임창현 ,  이태훈 ,  정대훈

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： B81B7/008 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  G01D11/245 ,  H01L23/053 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

摘要： 기판상에적층되는반도체칩에접착층이적층되는설치홈이형성되어접착층의두께를증가시켜외력에따른충격량을보다더 잘흡수할수 있으나, 두께증가를감소시킬수 있는반도체패키지가개시된다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体封装体，通过形成在层叠于基板上的半导体芯片上层叠有粘接剂层的设置槽，能够增大粘接剂层的厚度来吸收外力引起的冲击量，并且能够减少厚度的增加。

公开(公告)号：KR101614152B1

公开(公告)日：2016-04-29

申请号：KR1020147004560

申请日：2012-07-20

申请人： 퀄컴 인코포레이티드

发明人： 바오,총핑 ,  버렐,제임스디. ,  구,쉬쿤

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14142 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 지향된컴플리안트지오메트리를갖는필러들(300, 306, 502)은반도체다이(400, 500)를기판에커플링시키도록배열된다. 각각의필러(300, 306, 502)의최대컴플리안스의방향은, 반도체다이(400, 500) 및기판의균등하지않은열 팽창및 수축에의해야기되는최대응력의방향으로정렬될수도있다. 필러들(300, 306, 502)은, 특정한컴플리안스특징들및 최대컴플리안스의특정한방향들(302, 304, 308, 310, 504)을갖는다양한형상들을이용하여설계및 구성될수도있다. 필러들(300, 306, 502)의형상및 배향은, 그들의위치에서의응력의방향및 크기를수용하기위해다이(400, 500) 상의그들의위치의함수로서선택될수도있다. 필러들(610)은또한, 필러(610)가도금또는증착되는표면적을증가시키기위해다이(600) 상의패드상의패시베이션재료와같은재료(604)를패터닝함으로써특정한형상들을이용하여제조될수도있다.

公开(公告)号：KR1020150104186A

公开(公告)日：2015-09-14

申请号：KR1020157021305

申请日：2014-01-10

申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크

发明人： 유,찬 ,  볼켄,토드,오.

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/495 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/1012 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92163 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/45099

摘要： 반도체 디바이스들을 제작하기 위한 방법들이 본 출원에 개시된다. 특정한 실시예를 따라 구성되는 방법은 봉합재가 활성 표면에서 돌출되는 적어도 하나의 인터커넥트 및 반도체 디바이스의 활성 표면으로부터 스페이서 물질을 분리하도록 봉합재 상에 스페이서 물질을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 인터커넥트의 적어도 부분이 봉합재를 통해 그리고 스페이서 물질 내로 연장하도록 봉합재를 몰딩하는 단계를 더 포함한다. 인터커넥트는 반도체 디바이스에 전기 연결을 제공하기 위해 반도체 디바이스의 활성 표면과 대체로 동일 평면인 접촉 표면을 포함할 수 있다.

摘要翻译： 本文公开了制造半导体器件的方法。 根据特定实施例配置的方法包括在密封剂上形成间隔物材料，使得密封剂将间隔物材料与半导体器件的有源表面和远离有源表面突出的至少一个互连件分开。 该方法还包括模制密封剂，使得互连件的至少一部分延伸穿过密封剂并进入隔离材料。 互连可以包括与半导体器件的有源表面基本共面的接触表面，用于提供与半导体器件的电连接。

公开(公告)号：KR1020150001769A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020147030022

申请日：2013-03-06

申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

发明人： 모리야마,히로노부

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L21/78 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  Y10T403/479 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532

摘要： 대향하는 전극과의 양호한 접합을 얻을 수 있는 회로 접속 재료 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 반도체 칩(10)측에 접착되는 제1 접착제층(21)과, 제1 접착제층(21)의 최저 용융 점도 도달 온도보다도 높은 최저 용융 점도 도달 온도를 갖는 제2 접착제층(22)이 적층된 회로 접속 재료(20)를 사용한다. 이 회로 접속 재료(20)가 부착된 반도체 칩(10)을 회로 기판(30)에 탑재했을 때, 제1 접착제층(21)의 두께 Hb1이 하기 식 (1)을 만족하는 범위인 것에 의해, 대향하는 전극과의 양호한 접합을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101230622B1

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：KR1020100126218

申请日：2010-12-10

申请人： 이정훈 ,  갈대성 ,  남기범

发明人： 이정훈 ,  갈대성 ,  남기범

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/507 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/33151 ,  H01L2224/81893 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83893 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 디바이스가 개시된다. 본 발명의 일 태양에 따른 반도체 디바이스 제조 방법은, 정렬된 복수의 반도체 적층 구조체를 갖는 지지기판을 준비하는 것을 포함한다. 각 반도체 적층 구조체는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성 영역을 포함한다. 한편, 복수의 반도체 적층 구조체에 대응하도록 정렬된 제1 리드 전극들 및 제2 리드 전극들을 갖는 멤버가 준비된다. 그 후, 지지기판 상에서 상기 복수의 반도체 적층 구조체를 유지하면서, 복수의 반도체 적층 구조체가 멤버에 본딩된다. 복수의 반도체 적층 구조체가 본딩된 후, 멤버가 분할된다. 이에 따라, 칩 본딩 공정을 단순화할 수 있으며 작업시간을 크게 줄일 수 있다.

摘要翻译： 一种制造使用组合键的半导体器件的方法和由其制造的半导体器件，该方法包括制备具有在其顶部上排列的多个半导体叠层结构的支撑衬底。 每个半导体堆叠结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和介于第一和第二导电半导体层之间的有源区。 准备具有第一引线电极和第二引线电极的部件以对应于多个半导体叠层结构。 然后，将半导体堆叠结构保持在支撑基板上，同时保持半导体堆叠结构。 在半导体堆叠结构结合到构件之后，构件被分割。

公开(公告)号：KR1020170118084A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：KR1020177022856

申请日：2016-02-17

申请人： 퀄컴 인코포레이티드

发明人： 조우,유에이-밍 ,  송,영규 ,  이,종-훈 ,  창,시아오난 ,  벨레즈,마리오프란시스코

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/15311

摘要： 패키지기판및 그패키지기판에결합된다이를포함하는집적회로디바이스가개시된다. 패키지기판은적어도하나의유전체층, 적어도하나의유전체층내의제 1 상호접속부들의제 1 스택, 및적어도하나의유전체층의적어도하나의측면부분상에형성된제 2 상호접속부를포함한다. 제 1 상호접속부들의제 1 스택은비접지기준신호를위한제 1 전기경로를제공하도록구성되며, 여기서제 1 상호접속부들의제 1 스택은패키지기판의적어도하나의측면을따라위치된다. 제 2 상호접속부는접지기준신호를위한제 2 전기경로를제공하도록구성된다.

摘要翻译： 封装基板和包括该封装基板的集成电路器件耦合到封装基板。 封装衬底包括至少一个电介质层，在至少一个电介质层中的第一互连的第一堆叠以及在至少一个电介质层的至少一个侧部上形成的第二互连。 第一互连的第一叠层被配置为提供用于接地参考信号的第一电通路，其中第一叠层的第一互连沿着封装基板的至少一侧定位。 第二互连部分被配置为提供用于接地参考信号的第二电路径。

公开(公告)号：KR1020160121494A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020160131321

申请日：2016-10-11

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리우충-쉬 ,  쳉밍-다 ,  린웨이-훙 ,  첸웨이-유 ,  후유-시앙

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/381 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 반도체소자패키지및 개선된땜납접합부구조를사용하여이 패키지를제조하는방법이개시되어있다. 상기패키지는상부부분보다얇은저부부분을갖는땜납접합부를포함한다. 저부부분은몰딩화합물에의해둘러싸이고, 상부부분은몰딩화합물에의해둘러싸이지않는다. 상기방법은이형필름을사용하여중간땜납접합부주위에액체몰딩화합물을증착및 형성하는것과, 그다음에몰딩화합물을감소된높이로에칭하는것을포함한다. 결과적인땜납접합부는몰딩화합물과땜납접합부의인터페이스에서웨이스트(waist)를갖지않는다. 몰딩화합물을에칭후에, 형성직후의몰딩화합물보다약 3 미크론더 큰거칠기를갖는다.

公开(公告)号：KR101667855B1

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020140172778

申请日：2014-12-04

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리우충-쉬 ,  쳉밍-다 ,  린웨이-훙 ,  첸웨이-유 ,  후유-시앙

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 반도체소자패키지및 개선된땜납접합부구조를사용하여이 패키지를제조하는방법이개시되어있다. 상기패키지는상부부분보다얇은저부부분을갖는땜납접합부를포함한다. 저부부분은몰딩화합물에의해둘러싸이고, 상부부분은몰딩화합물에의해둘러싸이지않는다. 상기방법은이형필름을사용하여중간땜납접합부주위에액체몰딩화합물을증착및 형성하는것과, 그다음에몰딩화합물을감소된높이로에칭하는것을포함한다. 결과적인땜납접합부는몰딩화합물과땜납접합부의인터페이스에서웨이스트(waist)를갖지않는다. 몰딩화합물을에칭후에, 형성직후의몰딩화합물보다약 3 미크론더 큰거칠기를갖는다.

公开(公告)号：KR101485656B1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：KR1020130023779

申请日：2013-03-06

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 류충-유 ,  후시엔-핀 ,  옌샤오-츙 ,  류추안-호릉 ,  황쉬-웬 ,  호우샹-윤 ,  젱쉰-퓨

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 마이크로 범프층을 이용하여 인터포저 상에 반도체 장치 패키지를 형성하는 방법 및 장치가 개시된다. 마이크로 범프층은 마이크로 범프 및 마이크로 범프 라인을 포함할 수 있고, 마이크로 범프는 다이 및 인터포저 사이의 수직 접속부로서 사용되고, 마이크로 범프 라인은 인터포저 상의 상이한 다이 사이의 신호 송신을 위한 수평 접속부로서 사용된다. 마이크로 범프 라인은 추가의 비용이 거의 없거나 전혀 없이 마이크로 범프의 형성과 동시에 형성될 수 있다.