摘要:
본 발명은 광전 변환 소자를 배선 기판 등에 실장할 때에, 그 고착 강도를 향상시켜, 접촉 불량이나 박리 등의 문제를 해결하는 것을 과제로 한다. 제 1 기판상에, 광전 변환층과, 광전 변환층의 출력 전류를 증폭하는 적어도 2개의 박막 트랜지스터로 이루어지는 증폭 회로와, 상기 광전 변환층 및 상기 증폭 회로에 전기적으로 접속되고, 고전위전원을 주는 제 1 전극 및 저전위전원을 주는 제 2 전극과, 상기 제 1 기판의 최상층에 도전 재료와 합금을 형성하는 고착층을 갖고, 제 2 기판상에 제 3 전극과 제 4 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 3 전극, 및, 상기 제 2 전극과 상기 제 4 전극을 고착하는 상기 도전 재료를 갖는 반도체 장치에 관한 것이다. 반도체 장치, 광전 변화, 절연막, 전극, 도전 재료
摘要:
본 발명은, 적어도 하나의 제 1 도전층(29A)을 그 위에 갖는 제 1 절연 기판(28A)과 적어도 하나의 제 2 도전층(29B)을 그 위에 갖는 적어도 하나의 제 2 절연 기판(28B)을 전기적으로 접촉 및 융합하는 방법으로서, 사이에 인터페이스부가 형성되도록 상기 제 1 및 제 2 기판(28A, 28B)을 적층하는 단계로서, 상기 인터페이스부는, 적어도 하나의 제 1 도전층(29A)이 대향하며, 적어도 하나의 제 2 도전층(29B)과 적어도 부분적으로 정렬되어 있는 전기적 접촉부, 및 상기 절연 기판(28A, 28B)이 서로 직접 대향하는 기판 융합부를 포함하는 단계, 광원으로부터 복수의 순차 집중 레이저 펄스를 기판(28A, 28B) 중 하나를 통해 기판(28A, 28B)의 인터페이스부에 집중시키는 단계로서, 레이저 광의 펄스 지속 기간, 펄스 주파수 및 펄스 전력은 상기 기판(28A, 28B) 재료 및 도전층(29A, 29B)� �� 국부적으로 용융시키도록 선택되는 단계, 및 상기 인터페이스부에 구조적 변형부가 형성되도록 상기 광원 및 상기 기판을 서로에 대해 소정 속도 및 경로로 이동시키는 단계로서, 상기 구조적 변형부는 상기 전기적 접촉부 및 상기 기판 융합부와 중첩되는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 예컨대 다기능 전자 장치에 있어서 전기적 접촉 및 양호하게 시일된 이음새를 제조하는 편리한 방법을 제공한다.
摘要:
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지(A) 및 경화제(B)를 포함하고, 구리 와이어(4) 및 이 구리 와이어(4)가 접속된 반도체 소자(1)를 봉지하는 것이다. 이 에폭시 수지 조성물은 이 에폭시 수지 조성물의 경화체를 200℃에서 10시간 가열했을 때, 구리 와이어(4)에 대한 부식성을 가지는 황 화합물로 이루어진 제 1 부식성 가스의 발생량이 70ppm 이하이다.
摘要:
과제 용융 볼 형성성이나 스티치 접합성이나 와이어 강도가 우수한 금합금선이면서, 나아가 압착 볼 형상의 진원성이 우수한, 반도체 장치의 고밀도 배선에 대응 가능한 금합금선을 제공한다. 해결 수단 마그네슘 (Mg) 을 10 ∼ 50 질량ppm, 유로퓸 (Eu) 을 5 ∼ 20 질량ppm, 칼슘 (Ca) 을 2 ∼ 9 질량ppm, 및 잔부가 순도 99.995 질량% 이상인 금 (Au) 으로 이루어지는 금합금으로서, 칼슘 (Ca) 은 유로퓸 (Eu) 의 절반 이하의 질량인 볼 본딩용 금합금선이다.
摘要:
재료비가 저렴하고, 볼 접합성, 열 사이클 시험 또는 리플로우 시험의 신뢰성이 우수하며, 보관 수명이 양호하고, 협피치용 세선화에도 적응하는 구리계 본딩 와이어를 제공하는 것을 목적으로 한다. 구리를 주성분으로 하는 심재와, 상기 심재 위에 설치된, 상기 심재와 성분 및 조성의 어느 하나 또는 두 가지가 모두 다른 금속 M과 구리를 함유하는 외층을 가진 본딩 와이어로서, 상기 외층의 두께가 0.021 내지 0.12 ㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 본딩 와이어. 구리계 본딩 와이어, 볼 접합성, 열 사이클, 리플로우
摘要翻译:和材料成本是便宜的,并且球接合性,良好的热循环试验或回流试验的可靠性,良好的保质期,并且其目的是提供一种铜基接合线,以适应减薄的窄间距。 和主要由铜芯构件,其中之一或两者设置在芯材的芯材的和成分和两个包含不同金属M和铜,外层0.021的厚度至0.12的外层的作为接合线的组合物 Mu m。<
摘要:
경도가 40Hv 이하이고, 순도가 8N 이상 (단, O, C, N, H, S, P 의 가스 성분을 제외한다) 인 초고순도 구리. 가스 성분인 O, S, P 의 각 원소가, 1wtppm 이하인 상기 초고순도 구리. 질산구리 용액으로 이루어지는 전해액을 사용하여 2 단 전해에 의해 초고순도 구리를 제조할 때에, 질산구리 용액으로 이루어지는 전해액 중에 염산을 첨가함과 함께, 전해액을 순환시키고, 이 순환하는 전해액을 일시적으로 10℃ 이하로 하여 필터로 불순물을 제거하면서, 2 단 전해에 의해 전해를 실시하는 초고순도 구리의 제조 방법. 본 발명은, 상기의 세선화 (신선화) 에 적합할 수 있는 구리재를 얻는 것을 목적으로 하는 것이다. 순도 8N (99.999999wt%) 이상의 초고순도 구리를 효율적으로 제조하고, 얻어진 초고순도 구리를 제공하며, 특히 세선화가 가능해지는 반도체 소자용 본딩 와이어를 얻는 것을 목적으로 한다.
摘要:
Provided is a copper-based bonding wire whose material cost is low, and ball bondability and reliability in thermal cycle test or reflow test is excellent. The copper-based bonding wire also has excellent storage life and is applicable to fine wiring for narrow pitch. The bonding wire is provided with a core material having copper as a main component, and an outer layer, which is arranged on the core material and contains a metal (M) having one of or both of the components and composition different from those of the core material, and copper. The semiconductor device bonding wire is characterized in that the thickness of the outer layer is 0.021-0.12μm.
摘要:
To provide a gold alloy wire which is excellent in the property of forming a melt ball, suitability for stitch bonding, and wire strength and, despite this, gives a press-bonded ball having excellent circularity, and which is usable in high-density wiring for a semiconductor device. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The gold alloy wire for use in ball bonding is made of a gold alloy comprising 10-50 mass ppm magnesium (Mg), 5-20 mass ppm europium (Eu), 2-9 mass ppm calcium (Ca), and gold (Au) having a purity of 99.995 mass% or higher as the remainder, wherein the calcium (Ca) content is up to half the europium (Eu) content by mass. ® KIPO & WIPO 2009
摘要:
A bonding wire for semiconductor device that attains improvement to ball part formability and junction easiness, excelling in loop controllability, and that enhances bonding strength at wedge junction, ensuring industrial production applicability, and that is composed mainly of copper cheaper than gold wire. There is provided a bonding wire for semiconductor device, comprising a core material composed mainly of copper and, superimposed thereon, a skin layer of conductive metal whose composition is different from that of the core material, characterized in that the skin layer is composed mainly of at least two members selected from among gold, palladium, platinum, rhodium, silver and nickel, and that in the skin layer, there is a region with a gradient of concentration of one or both of major component metal and copper in the direction of wire diameter. ® KIPO & WIPO 2009
摘要:
A cleaning jig of capillary for wire bonding, a cleaning device of capillary for wire bonding, a method for fabricating thereof and a cleaning method using the same are provided to improve the bonding yield in the wire bonding. The first combining hole(13) is formed in one side of the center area of the cleaning jig(10). The second combining hole(14) is formed in the other side of the center area of the cleaning jig. The cleaning jig comprises a suction hole(12), a brush hole(11), the first penetration hole(15), and the second penetration hole(16). A brush member(30) is formed in a plurality of brush holes. The first magnet member(21) is inserted into the first combining hole and is united with the cleaning jig. The second magnet member(22) is inserted into the second combining hole and is united with the cleaning jig. A through groove(23) of the second magnet member is formed with the same cord as the first and the second penetration hole.