公开(公告)号：KR101902611B1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：KR1020147029012

申请日：2013-03-12

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 이토신고

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/4554

摘要： 내습성및 고온보관특성이우수한반도체장치를제공한다. 반도체장치는, 기판으로서, 다이패드부와이너리드부를갖는리드프레임을구비하고, 다이패드부에탑재된반도체소자와, 반도체소자에형성된전극패드와, 기판에형성된이너리드부와전극패드를접속시키는구리와이어와, 반도체소자및 구리와이어를봉지하는봉지수지를갖는다. 구리와이어와의접합면으로부터깊이방향으로적어도 3 ㎛이하의범위에있어서의전극패드의영역이, 알루미늄보다이온화경향이작은금속을주성분으로서함유하고, 구리와이어중의황 함유량이구리와이어전체에대해 15 ppm 이상 100 ppm 이하이다.

公开(公告)号：KR101888176B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020137012788

申请日：2011-10-20

申请人： 마벨 월드 트레이드 리미티드

发明人： 수타르드자세하트 ,  한충청 ,  리웨이단 ,  유슈화 ,  쳉추앙-쳉 ,  우알버트

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명의실시예는제 1 반도체다이위에형성되는베이스금속층과, 상기베이스금속층위에형성되는제 1 금속층을포함하는칩을제공한다. 상기제 1 금속층은 (i) 접지신호또는 (ii) 파워신호중 적어도하나를칩 내에서라우팅시키도록구성되는복수의아일랜드를포함한다. 상기칩은상기제 1 금속층위에형성되는제 2 금속층을더 포함한다. 상기제 2 금속층은 (i) 접지신호또는 (ii) 파워신호중 적어도하나를상기칩 내에서라우팅시키도록구성되는복수의아일랜드를포함한다.

公开(公告)号：KR101704839B1

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020117029048

申请日：2010-06-23

申请人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 ,  닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤

发明人： 우노도모히로 ,  데라시마신이찌 ,  야마다다까시 ,  오다다이조

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  B21C37/04 ,  B23K35/30 ,  B21C1/00 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K35/302 ,  B21C1/003 ,  B21C37/047 ,  B23K35/0261 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20755 ,  Y10T428/2958 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012

摘要： 본발명은, 재료비가저렴하고, 고습고온환경에서의 PCT 신뢰성이우수하고, 또한열사이클시험의 TCT 신뢰성, 볼압착형상, 웨지접합성, 루프형성성등도양호한반도체소자용구리계본딩와이어를제공하는것을목적으로한다. Pd를 0.13 내지 1.15질량% 함유하고, 잔량부가구리와불가피불순물로이루어지는구리합금을신선가공하여이루어지는것을특징으로하는반도체용구리합금본딩와이어.

摘要翻译： 本发明是用于半导体元件的铜基接合线。 本发明的接合线可以以廉价的材料成本制造，并且在高湿度/温度环境中具有优异的PCT可靠性。 此外，本发明的接合线通过热循环试验表现出良好的TCT可靠性; 有利的压合球形; 有利的楔形粘合性; 良好的循环成形性等。 具体地，本发明的接合线是通过拉伸含有0.13〜1.15质量％的Pd，余量由铜和不可避免的杂质构成的铜合金制造的半导体用铜合金接合线。

公开(公告)号：KR1020160013057A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157034478

申请日：2014-04-04

申请人： 헤라우스 매터리얼즈 싱가포르 피티이 엘티디

发明人： 사란가파니무랄리 ,  융핑하 ,  밀케오이겐

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01B5/02 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0213 ,  H05K1/111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033

摘要： 본발명은표면을가진코어를포함한, 본딩와이어에관한것이며, 여기에서상기코어는주 구성요소로서구리를포함하고, 상기코어는주 구성요소로서구리를포함하고, 상기코어에서의결정입자들의평균크기는 2.5 ㎛및 30 ㎛사이이며상기본딩와이어의항복강도는 120 MPa 미만이다.

公开(公告)号：KR101583865B1

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020127008168

申请日：2011-11-01

申请人： 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤

发明人： 치바준 ,  테시마사토시 ,  고바야시타스쿠 ,  안토쿠유키

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/431 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013

摘要： 고온, 고습도환경에서사용되는반도체용본딩와이어에있어서, 알루미늄패드와의접합신뢰성을향상시킨다. 순도 99.999질량% 이상의금: 4~10질량%, 순도 99.99질량% 이상의팔라듐: 2~5질량%, 잔부가순도 99.999질량% 이상의은으로이루어지는합금계본딩와이어로서, 산화성비귀금속첨가원소가 15~70질량ppm 함유되고, 연속다이스신선전에소둔열처리가되고, 연속다이스신선후에조질열처리가되고, 질소분위기중에서볼본딩되는반도체용본딩와이어. Ag-Au-Pd를기본으로하는합금와이어와알루미늄패드의접합계면에서 AgAl 금속간화합물층과와이어사이의부식이 AuAl과 Pd 농화층에의해억제된다.

公开(公告)号：KR1020150122273A

公开(公告)日：2015-10-30

申请号：KR1020157030173

申请日：2011-05-18

申请人： 샌디스크 세미컨덕터 (상하이) 컴퍼니, 리미티드 ,  샌디스크 인포메이션 테크놀로지 (상하이) 컴퍼니, 리미티드

发明人： 루,종 ,  유,펜 ,  치우,친티엔 ,  유,치맨 ,  시아오,푸치앙

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/49866 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06145 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78349 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48095

摘要： 반도체디바이스를위한와이어본딩된구조체가개시되었다. 와이어본딩된구조체는본딩패드, 및본딩패드와상호확산되는연속된길이의와이어를포함하며, 와이어는본딩패드를제1 전기컨택및 제1 전기컨택과상이한제2 전기컨택과전기결합한다.

摘要翻译： 公开了一种用于半导体器件的引线接合结构（100）。 引线接合结构（100）包括与焊盘（104）相互扩散的接合焊盘（104）和连续长度的导线（110）。 电线（110）将接合焊盘（104）与不同于第一电触头的第一电触点和第二电触点电耦合。

公开(公告)号：KR1020150030554A

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020130109971

申请日：2013-09-12

申请人： 엠케이전자 주식회사

发明人： 이종철 ,  김승현 ,  허영일 ,  김상엽 ,  문정탁

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L21/4885 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049

摘要： 본 발명은 은 합금 본딩 와이어 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 은(Ag)을 주성분으로 하고 이리듐(Ir)을 3 중량ppm 내지 10000 중량ppm 함유하는 은 합금 본딩 와이어 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 본딩 와이어를 이용하면 본딩 특성과 가공성이 우수하고 신뢰성이 높은 본딩 와이어를 제공할 수 있는 효과가 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种Ag合金接合线及其制造方法。 更具体地说，本发明涉及一种Ag合金接合线，其包含主要元素的Ag和3重量ppm至10000重量ppm的Ir，以及包含该Ag的合金接合线。 根据本发明的接合线，可以提供具有优异的接合性和可加工性和高可靠性的接合线。

公开(公告)号：KR101495355B1

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：KR1020080074571

申请日：2008-07-30

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 도병태 ,  머피,스테판에이. ,  린,야오지안 ,  쿠안,힙호에 ,  마리무뚜,판디췔밤 ,  고,힌화

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012

摘要： 반도체 웨이퍼가 다수 반도체 다이를 포함한다. 그 웨이퍼는 그것의 표면에 형성된 접촉 패드를 갖는다. 패시베이션 층이 웨이퍼상에 형성된다. 응력 버퍼 층이 패시베이션 층상에 형성된다. 그 응력 버퍼 층은 접촉 패드를 노출시키도록 패턴화된다. 금속 층이 응력 버퍼 층상에 융착된다. 그 금속 층은 접촉 패드와 전기적 접촉을 위한 공통 전압 버스이다. 부착 층, 배리어 층 및 시드 층이 접촉 패드와 전기적 접촉관계로 웨이퍼 상에 형성된다. 그 금속 층은 시드 층에 장착된다. 솔더 범프 또는 다른 상호 접속 구조체가 금속 층상에 형성된다. 제 2패시베이션 층이 금속 층상에 형성된다. 다른 실시예에서, 와이어본더블 층이 금속 층과 금속 층에 연결된 와이어본드 상에 융착된다.
반도체 장치, 공통 전압 버스, 응력 버퍼 층, 와이어본드, 상호 접속

摘要翻译： 半导体晶片包括多个半导体管芯。 该晶片在其表面上形成有接触垫。 在晶片上形成钝化层。 应力缓冲层形成在钝化层上。 应力缓冲层被图案化以暴露接触垫。 金属层熔合在应力缓冲层上。 金属层是用于与接触焊盘电接触的公共电压总线。 在晶片上形成与接触垫电接触的粘合层，阻挡层和晶种层。 金属层安装在种子层上。 焊料凸块或其他互连结构形成在金属层上。 在金属层上形成第二钝化层。 在另一个实施例中，线圈架双层被熔合到连接到金属层和金属层的焊线上。

公开(公告)号：KR1020150011826A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：KR1020147034473

申请日：2013-05-07

申请人： 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게

发明人： 밀케오이겐 ,  프레노실페터 ,  토마스스벤

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21F9/005 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45617 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 본 발명은 와이어, 바람직하게는 마이크로전자 부품에서의 본딩을 위한 본딩 와이어로서, 표면을 갖는 구리 코어와, 구리 코어의 표면 상에 중첩된 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 알루미늄을 포함하며, 구리 코어의 직경에 대한 코팅층의 두께의 비는 0.05 내지 0.2의 범위이고, 구리 코어의 직경에 대한 구리 코어의 직경의 표준 편차의 비는 0.005 내지 0.05의 범위이며, 코팅층의 두께에 대한 코팅층의 두께의 표준 편차의 비는 0.05 내지 0.4의 범위이고, 와이어는 100 ㎛ 내지 600 ㎛ 범위의 직경을 갖는 것인 와이어에 관한 것이다. 본 발명은 또한 와이어 제조 프로세스와, 상기 와이어 제조 프로세스에 의해 얻어질 수 있는 와이어와, 적어도 2개의 요소 및 적어도 전술한 와이어를 포함하는 전기 디바이스와, 상기 전기 디바이스를 포함하는 추진형 디바이스, 그리고 웨지 본딩에 의해 전술한 와이어를 통하여 2개의 요소를 연결하는 프로세스에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020140141474A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020140063244

申请日：2014-05-26

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 오야찌겐지 ,  와다다마끼 ,  모리나가유이찌

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/48 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/0772 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07743 ,  G06K19/07745 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85048 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/4554

摘要： 본 발명의 과제는, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키는 것이다.
반도체 장치(PKG)는, 관통 구멍(SH)을 갖는 절연성의 기재(BS)와, 기재(BS)의 하면(BSb)에 형성된 단자(TE)와, 기재의 상면(BSa) 상에 페이스 업으로 탑재된 반도체 칩(CP)을 갖고 있다. 또한, 기재(BS)의 관통 구멍(SH)으로부터 노출되는 단자(TE)의 노출면(EX)과 반도체 칩(CP)의 패드(PD)를 전기적으로 접속하는 와이어(BW) 등의 도전성 부재와, 그 도전성 부재, 기재(BS)의 관통 구멍(SH)의 내부 및 반도체 칩(CP)을 밀봉하는 밀봉체(MR)를 갖고 있다. 기재(BS)의 관통 구멍(SH)으로부터 노출되는 단자(TE)의 노출면(EX)은, 와이어(BW) 등의 도전성 부재가 접합되는 접합부 이외의 영역에 앵커 수단이 설치되어 있다.

摘要翻译： 本发明的目的是提高半导体器件的可靠性。 半导体器件（PKG）包括具有通孔（SH）的绝缘基材（BS），形成在基材（BS）的下表面（BSb）上的端子）和半导体芯片（CP） 以面朝上的方式安装在基材的上表面（BSa）上。 此外，半导体器件具有诸如导线（BW）的导电构件，其将半导体芯片（CP）的焊盘（PD）与端子（TE）的暴露表面（EX）电连接，裸露的表面（EX）通过 基体材料（BS）的通孔（SH），并且具有用于密封导电构件的密封体（MR），基材（BS）的通孔（SH）的内部和半导体芯片（ CP）。 在通过基材（BS）的通孔（SH）暴露的端子（TE）的露出表面（EX）中，锚定单元设置在导电构件 因为线（BW）被接合。