-
公开(公告)号：TW201405783A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102122103
申请日：2013-06-21
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/6835 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02002 , H01L31/02327 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/023 , H01L2224/13101 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本發明提供一種裝置，包括：一半導體基板；一影像感測器，位於半導體基板之一前側表面上；以及複數介電層，位於影像感測器上。一彩色濾光片及一微透鏡，位於介電層上且對準於影像感測器。一通孔電極，穿透該半導體基板；一重佈線，位於介電層上，其中重佈線電性耦接至通孔電極；一聚合物層，覆蓋重佈線。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种设备，包括：一半导体基板；一影像传感器，位于半导体基板之一前侧表面上；以及复数介电层，位于影像传感器上。一彩色滤光片及一微透镜，位于介电层上且对准于影像传感器。一通孔电极，穿透该半导体基板；一重布线，位于介电层上，其中重布线电性耦接至通孔电极；一聚合物层，覆盖重布线。
-
公开(公告)号：TW201403757A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102124132
申请日：2013-07-05
Inventor： 汪青蓉 , WANG, CHIEN RHONE , 左克偉 , ZUO, KEWEI , 余振華 , YU, CHEN HUA , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 劉雁欣 , LIU, YEN HSIN
IPC: H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/76898 , H01L22/12
Abstract: 本發明揭露關於形成具有一或更多個矽通孔(through silicon via,TSV)特徵之IC結構之積體電路製造方法及其實施方式。該積體電路製造方法包括：執行複數個處理步驟；由該複數個處理步驟收集實體量測資料(physical metrology data)；基於該實體量測資料，由該複數個處理步驟收集虛擬量測資料(virtual metrology data)；基於該實體量測資料及該虛擬量測資料，產生積體電路結構之良率預測；及基於該良率預測，鑑別在一稍早處理步驟(an earlier processing step)中之一動作。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露关于形成具有一或更多个硅通孔(through silicon via,TSV)特征之IC结构之集成电路制造方法及其实施方式。该集成电路制造方法包括：运行复数个处理步骤；由该复数个处理步骤收集实体量测数据(physical metrology data)；基于该实体量测数据，由该复数个处理步骤收集虚拟量测数据(virtual metrology data)；基于该实体量测数据及该虚拟量测数据，产生集成电路结构之良率预测；及基于该良率预测，鉴别在一稍早处理步骤(an earlier processing step)中之一动作。
-
公开(公告)号：TW201320172A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101113415
申请日：2012-04-16
Inventor： 茅一超 , MAO, YI CHAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L22/26 , B24B7/228 , B24B37/013 , B24B49/10 , H01L22/12 , H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種研磨方法，包括為晶圓研磨製程選擇一目標輪承載量，及實施一研磨製程於一晶圓上。在研磨製程進行時，測量研磨製程的輪承載量。在達成目標輪承載量後停止研磨製程。或者，該方法包括選擇一晶圓研磨製程的目標反射強度，及實施一研磨製程於一晶圓上。在研磨製程進行時，測量從晶圓的一表面反射的光的反射強度。在反射強度的其中之一達成目標反射強度時停止研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 一种研磨方法，包括为晶圆研磨制程选择一目标轮承载量，及实施一研磨制程于一晶圆上。在研磨制程进行时，测量研磨制程的轮承载量。在达成目标轮承载量后停止研磨制程。或者，该方法包括选择一晶圆研磨制程的目标反射强度，及实施一研磨制程于一晶圆上。在研磨制程进行时，测量从晶圆的一表面反射的光的反射强度。在反射强度的其中之一达成目标反射强度时停止研磨制程。
-
公开(公告)号：TWI388016B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW098136229
申请日：2009-10-26
Inventor： 賴理學 , LAI, LISHYUE , 林俊成 , LIN, JINGCHENG
IPC: H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66795
-
公开(公告)号：TW202015197A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108122395
申请日：2019-06-26
Inventor： 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L25/065
Abstract: 本發明實施例提供半導體封裝。所述半導體封裝中的一種包括半導體晶粒、導熱圖案、包封體及導熱層。所述導熱圖案設置於所述半導體晶粒旁邊。所述包封體包封所述半導體晶粒及所述導熱圖案。所述導熱層覆蓋所述半導體晶粒的背表面，其中所述導熱圖案藉由所述導熱層而熱耦合至所述半導體晶粒且與所述半導體晶粒電性絕緣。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供半导体封装。所述半导体封装中的一种包括半导体晶粒、导热图案、包封体及导热层。所述导热图案设置于所述半导体晶粒旁边。所述包封体包封所述半导体晶粒及所述导热图案。所述导热层覆盖所述半导体晶粒的背表面，其中所述导热图案借由所述导热层而热耦合至所述半导体晶粒且与所述半导体晶粒电性绝缘。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI670778B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106135867
申请日：2017-10-19
Inventor： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 林俊成 , LIN, CHUN-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC: H01L21/56 , H01L25/065
-
公开(公告)号：TW201904001A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106138091
申请日：2017-11-03
Inventor： 張容華 , CHANG, JUNG HUA , 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L23/482
Abstract: 提供半導體封裝結構，半導體封裝結構包含晶片結構，半導體封裝結構包含第一導電結構位於晶片結構上方，第一導電結構電性連接至晶片結構，第一導電結構包含第一過渡層位於晶片結構上方以及第一導電層位於第一過渡層上，第一導電層大致由雙晶銅製成。
Abstract in simplified Chinese: 提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构，半导体封装结构包含第一导电结构位于芯片结构上方，第一导电结构电性连接至芯片结构，第一导电结构包含第一过渡层位于芯片结构上方以及第一导电层位于第一过渡层上，第一导电层大致由双晶铜制成。
-
公开(公告)号：TW201830649A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106118238
申请日：2017-06-02
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 蘇安治 , SU, AN JHIH
IPC: H01L23/60
Abstract: 提供晶片封裝結構，晶片封裝結構包含晶片結構，晶片封裝結構包含第一接地凸塊位於晶片結構下方，晶片封裝結構包含導電屏蔽膜設置於晶片結構上方並延伸至第一接地凸塊上，導電屏蔽膜電性連接至第一接地凸塊。
Abstract in simplified Chinese: 提供芯片封装结构，芯片封装结构包含芯片结构，芯片封装结构包含第一接地凸块位于芯片结构下方，芯片封装结构包含导电屏蔽膜设置于芯片结构上方并延伸至第一接地凸块上，导电屏蔽膜电性连接至第一接地凸块。
-
公开(公告)号：TW201801264A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105133487
申请日：2016-10-18
Inventor： 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 鄭禮輝 , CHENG, LI-HUI , 蔡柏豪 , TSAI, PO-HAO
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3142 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L25/0655 , H01L2021/60022 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/14104 , H01L2224/1412 , H01L2224/73267 , H01L2225/06537 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
Abstract: 在本發明實施例中，經封裝半導體裝置包括第一封裝結構、至少一外側導電凸塊、第二封裝結構、密封材料以及電磁干擾(EMI)屏蔽層。第一封裝結構具有第一切割邊。外側導電凸塊配置於第一封裝結構上且具有第二切割邊。第二封裝結構接附於第一封裝結構上。密封材料配置於第一封裝結構上，圍繞第二封裝結構且覆蓋外側導電凸塊。密封材料具有第三切割邊。電磁干擾屏蔽層接觸第一切割邊、第二切割邊與第三切割邊。電磁干擾屏蔽層電性連接於外側導電凸塊。
Abstract in simplified Chinese: 在本发明实施例中，经封装半导体设备包括第一封装结构、至少一外侧导电凸块、第二封装结构、密封材料以及电磁干扰(EMI)屏蔽层。第一封装结构具有第一切割边。外侧导电凸块配置于第一封装结构上且具有第二切割边。第二封装结构接附于第一封装结构上。密封材料配置于第一封装结构上，围绕第二封装结构且覆盖外侧导电凸块。密封材料具有第三切割边。电磁干扰屏蔽层接触第一切割边、第二切割边与第三切割边。电磁干扰屏蔽层电性连接于外侧导电凸块。
-
公开(公告)号：TWI607495B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105125251
申请日：2016-08-09
Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 余振華 , YU, CHEN HUA , 盧思維 , LU, SZU WEI , 齊彥堯 , CHI, YEN YAO
IPC: H01L21/283 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/50 , H01L29/43
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/02068 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/32051 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4864 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76888 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L33/62 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/0541 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/83005
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
207
records
(took 0.026 seconds)
