公开(公告)号：TWI584427B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104136798

申请日：2015-11-09

申请人： 台達電子工業股份有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS INC.

发明人： 林孝羲 ,  LIN, SHIAU SHI ,  李嘉炎 ,  LEE, CHIA YEN ,  蔡欣昌 ,  TSAI, HSIN CHANG

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/81385 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/112 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI523173B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW099123338

申请日：2010-07-15

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 鈴木進也 ,  SUZUKI, SHINYA ,  幕田喜一 ,  MAKUTA, KIICHI

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/17 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/13452 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

公开(公告)号：TWI508249B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW101111658

申请日：2012-04-02

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  廖信一 ,  LIAO, HSIN YI ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG ,  馬光華 ,  MA, GUANG HWA

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/033 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI484601B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW101104583

申请日：2012-02-13

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 福田昌利 ,  FUKUDA, MASATOSHI ,  渡部博 ,  WATABE, HIROSHI

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201740442A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW105140391

申请日：2016-12-07

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 迪克斯 葛瑞格 ,  DIX, GREG ,  葉奇 藍迪 ,  YACH, RANDY ,  馬西里 法蘭西斯柯 ,  MAZZILLI, FRANCESCO

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L28/00 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

摘要： 本發明之教示可被應用於電容器之製造及設計。在此等教示之一些實施例中，一電容器可係形成於一重摻雜基板上。例如，一種用於製造一電容器之方法可包含：在一重摻雜基板之一第一側上沈積氧化物層；在該氧化物層上沈積一第一金屬層；及在該重摻雜基板之一第二側上沈積一第二金屬層。

简体摘要： 本发明之教示可被应用于电容器之制造及设计。在此等教示之一些实施例中，一电容器可系形成于一重掺杂基板上。例如，一种用于制造一电容器之方法可包含：在一重掺杂基板之一第一侧上沉积氧化物层；在该氧化物层上沉积一第一金属层；及在该重掺杂基板之一第二侧上沉积一第二金属层。

公开(公告)号：TWI596734B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW105117997

申请日：2016-06-07

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 莊坤樹 ,  CHUANG, KUN-SHU

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TWI490992B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW100145468

申请日：2011-12-09

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 沈更新 ,  SHEN, GENG SHIN

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201225762A

公开(公告)日：2012-06-16

申请号：TW099143617

申请日：2010-12-14

申请人： 欣興電子股份有限公司

发明人： 胡玉山 ,  胡迪群 ,  曾子章

IPC分类号： H05K ,  H01L

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00

摘要： 一種嵌埋穿孔中介層之封裝基板,係包括:具有相對之第一表面及第二表面之模封層、嵌埋於該模封層中且與第二表面齊平之穿孔中介層、嵌埋於該模封層中且設於該穿孔中介層上以外露於該第一表面之線路重佈層、以及設於該模封層之第二表面上且電性連接該穿孔中介層之增層結構。藉由該穿孔中介層嵌埋於該模封層中及於該模封層之第二表面上形成增層結構,以省略使用核心板,故可降低整體結構之厚度,並且此穿孔中介層之熱膨脹係數與矽晶圓接近或者相同,可提高封裝後熱循環測試的信賴度。本發明復提供一種嵌埋穿孔中介層之封裝基板之製法。

简体摘要： 一种嵌埋穿孔中介层之封装基板,系包括:具有相对之第一表面及第二表面之模封层、嵌埋于该模封层中且与第二表面齐平之穿孔中介层、嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上以外露于该第一表面之线路重布层、以及设于该模封层之第二表面上且电性连接该穿孔中介层之增层结构。借由该穿孔中介层嵌埋于该模封层中及于该模封层之第二表面上形成增层结构,以省略使用内核板,故可降低整体结构之厚度,并且此穿孔中介层之热膨胀系数与硅晶圆接近或者相同,可提高封装后热循环测试的信赖度。本发明复提供一种嵌埋穿孔中介层之封装基板之制法。

公开(公告)号：TW200832577A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096143013

申请日：2007-11-14

申请人： 劍橋矽晶片無線電有限公司 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED

发明人： 史黛西 塞門J. STACEY, SIMON JONATHAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/532 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 一種裝置,其包含一晶片包括一基板定義一或更多電子裝置,以及一印刷電路板其經由夾合在該晶片與該印刷電路板之間的一或更多焊接元件而電連接至該晶片,其中該晶片在該基板與該焊接元件之間配置具有一或更多緩衝層,該等緩衝層具有2.5 GPa或更低的一楊氏模數。

简体摘要： 一种设备,其包含一芯片包括一基板定义一或更多电子设备,以及一印刷电路板其经由夹合在该芯片与该印刷电路板之间的一或更多焊接组件而电连接至该芯片,其中该芯片在该基板与该焊接组件之间配置具有一或更多缓冲层,该等缓冲层具有2.5 GPa或更低的一杨氏模数。

公开(公告)号：TW201801264A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105133487

申请日：2016-10-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林俊成 ,  LIN, JING-CHENG ,  鄭禮輝 ,  CHENG, LI-HUI ,  蔡柏豪 ,  TSAI, PO-HAO

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L25/0655 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025

摘要： 在本發明實施例中，經封裝半導體裝置包括第一封裝結構、至少一外側導電凸塊、第二封裝結構、密封材料以及電磁干擾(EMI)屏蔽層。第一封裝結構具有第一切割邊。外側導電凸塊配置於第一封裝結構上且具有第二切割邊。第二封裝結構接附於第一封裝結構上。密封材料配置於第一封裝結構上，圍繞第二封裝結構且覆蓋外側導電凸塊。密封材料具有第三切割邊。電磁干擾屏蔽層接觸第一切割邊、第二切割邊與第三切割邊。電磁干擾屏蔽層電性連接於外側導電凸塊。

简体摘要： 在本发明实施例中，经封装半导体设备包括第一封装结构、至少一外侧导电凸块、第二封装结构、密封材料以及电磁干扰(EMI)屏蔽层。第一封装结构具有第一切割边。外侧导电凸块配置于第一封装结构上且具有第二切割边。第二封装结构接附于第一封装结构上。密封材料配置于第一封装结构上，围绕第二封装结构且覆盖外侧导电凸块。密封材料具有第三切割边。电磁干扰屏蔽层接触第一切割边、第二切割边与第三切割边。电磁干扰屏蔽层电性连接于外侧导电凸块。