-
公开(公告)号:TWI518858B
公开(公告)日:2016-01-21
申请号:TW102141844
申请日:2013-11-18
Inventor: 茅一超 , MAO, YI CHAO , 張進傳 , CHANG, CHIN CHUAN , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/48 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
-
公开(公告)号:TW201546954A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:TW103146582
申请日:2014-12-31
Inventor: 林士庭 , LIN, SHIHTING , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 盧思維 , LU, SZUWEI
IPC: H01L21/762 , H01L21/78 , H01L23/28 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L23/147 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體結構與其製造方法,像是積體電路晶片之裝置,安裝於另一晶片基板、封裝基板、中介基板或其他類似基板上,且於基板上沿著切割線形成凹槽,並於鄰近晶片間之凹槽內形成一或多膜塑料層,之後可藉由背板薄化之步驟暴露出凹槽內之膜塑料,而單片化之步驟,則於凹槽內之膜塑料進行。在一實施例中,第一膜塑料層會形成於鄰近晶片間之凹槽中,而後,第二膜塑料層會形成並覆蓋於第一膜塑料層之上。而前述裝置放置於基板上之時點,可於基板凹槽形成之前或之後。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体结构与其制造方法,像是集成电路芯片之设备,安装于另一芯片基板、封装基板、中介基板或其他类似基板上,且于基板上沿着切割线形成凹槽,并于邻近芯片间之凹槽内形成一或多膜塑料层,之后可借由背板薄化之步骤暴露出凹槽内之膜塑料,而单片化之步骤,则于凹槽内之膜塑料进行。在一实施例中,第一膜塑料层会形成于邻近芯片间之凹槽中,而后,第二膜塑料层会形成并覆盖于第一膜塑料层之上。而前述设备放置于基板上之时点,可于基板凹槽形成之前或之后。
-
公开(公告)号:TWI509769B
公开(公告)日:2015-11-21
申请号:TW102146831
申请日:2013-12-18
Inventor: 張進傳 , CHANG, CHIN CHUAN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 劉乃瑋 , LIU, NAI WEI , 施婉婷 , SHIH, WAN TING
IPC: H01L25/03 , H01L23/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/50 , H01L21/568 , H01L23/49822 , H01L23/538 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/10 , H01L25/117 , H01L25/162 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/80001 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82
-
公开(公告)号:TWI498981B
公开(公告)日:2015-09-01
申请号:TW099121798
申请日:2010-07-02
Inventor: 林俊成 , LIN, JING CHENG , 余振華 , YU, CHEN HUA
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13084 , H01L2224/13147 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/16 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , Y10T428/24612 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/01015 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
-
公开(公告)号:TWI487059B
公开(公告)日:2015-06-01
申请号:TW100112588
申请日:2011-04-12
Inventor: 章鑫 , CHANG, HSIN , 陳新瑜 , CHEN, HSIN YU , 蔡方文 , TSAI, FANG WEN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6875 , B65G47/90 , H01L21/68707 , Y10T74/20305
-
公开(公告)号:TW201519375A
公开(公告)日:2015-05-16
申请号:TW103115921
申请日:2014-05-05
Inventor: 王卜 , WANG, PU , 施應慶 , SHIH, YING CHING , 盧思維 , LU, SZU WEI , 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/56 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76895 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/08113 , H01L2224/08235 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/2405 , H01L2224/24137 , H01L2224/821 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 本發明之一實施例為一種封裝結構,包括一晶粒,其具有位於一表面上的一接墊;以及一封膠材料至少橫向地封裝此晶粒。透過封膠材料暴露此接墊。此封裝結構更包括一第一介電層位於封膠材料及晶粒之上,一第一導電圖案位於第一介電層之上,以及一第二介電層位於第一導電圖案及第一介電層之上。第一介電層及第二介電層具有一第一開口到達晶粒的接墊。此封裝結構更包括一第二導電圖案位於第二介電層之上及第一開口之中。第二導電圖案鄰接於位在第一開口中之第一介電層的一側壁及位在第一開口中之第二介電層的一側壁。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之一实施例为一种封装结构,包括一晶粒,其具有位于一表面上的一接垫;以及一封胶材料至少横向地封装此晶粒。透过封胶材料暴露此接垫。此封装结构更包括一第一介电层位于封胶材料及晶粒之上,一第一导电图案位于第一介电层之上,以及一第二介电层位于第一导电图案及第一介电层之上。第一介电层及第二介电层具有一第一开口到达晶粒的接垫。此封装结构更包括一第二导电图案位于第二介电层之上及第一开口之中。第二导电图案邻接于位在第一开口中之第一介电层的一侧壁及位在第一开口中之第二介电层的一侧壁。
-
公开(公告)号:TWI467668B
公开(公告)日:2015-01-01
申请号:TW101103214
申请日:2012-02-01
Inventor: 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 呂文雄 , LU, WEN HSIUNG , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 張博平 , JANG, BOR PING , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 李明機 , LII, MIRNG JI , 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林俊成 , LIN, CHUN CHENG , 蔡鈺芃 , TSAI, YU PENG , 黃貴偉 , HUANG, KUEI WEI , 林威宏 , LIN, WEI HUNG
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06515 , H01L2224/09181 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15322 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2924/00
-
公开(公告)号:TWI459496B
公开(公告)日:2014-11-01
申请号:TW101105750
申请日:2012-02-22
Inventor: 黃貴偉 , HUANG, KUEI WEI , 林威宏 , LIN, WEI HUNG , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林俊成 , LIN, CHUN CHENG , 蔡鈺芃 , TSAI, YU PENG , 張博平 , JANG, BOR PING , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC: H01L21/677 , B65G47/91
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L24/75
-
公开(公告)号:TWI440100B
公开(公告)日:2014-06-01
申请号:TW099146543
申请日:2010-12-29
Inventor: 林俞良 , LIN, YU LIANG , 吳文進 , WU, WENG JIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
-
公开(公告)号:TW201421635A
公开(公告)日:2014-06-01
申请号:TW102141844
申请日:2013-11-18
Inventor: 茅一超 , MAO, YI CHAO , 張進傳 , CHANG, CHIN CHUAN , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/48 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置,包括:一半導體晶粒;一接著層,於半導體晶粒之一第一側;一塑形化合物,圍繞半導體晶粒與接著層,其中塑形化合物與接著層齊平;一第一後鈍化內連線(post-passiviation interconnect,PPI),電性連接至半導體晶粒之一第二側;一第一連接器,電性連接至第一PPI,其中第一連接器位於塑形化合物上並對準塑形化合物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备,包括:一半导体晶粒;一接着层,于半导体晶粒之一第一侧;一塑形化合物,围绕半导体晶粒与接着层,其中塑形化合物与接着层齐平;一第一后钝化内连接(post-passiviation interconnect,PPI),电性连接至半导体晶粒之一第二侧;一第一连接器,电性连接至第一PPI,其中第一连接器位于塑形化合物上并对准塑形化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-