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公开(公告)号：TW541633B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW091108555
申请日：2002-04-25
申请人： 三菱電機股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05006 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2224/48799 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004
摘要： 一種半導體裝置及其製造方法，其多層內連線結構中使用銅內連線，則可以提高連接線與連接墊之間的接合可靠度與穩定度。第三層內連線(17)以及連接墊(71)是鋁合金材質，且製作於第二內層絕緣膜(14)上。開口(74)係製作於第三內層絕緣膜(63)、第四內層絕緣膜(67)、保護絕緣層(72)以及阻擋塗層(73)中，且其底部暴露出連接墊(71)。連接線(75)係嵌入開口(74)而與連接墊(71)形成連接。
简体摘要： 一种半导体设备及其制造方法，其多层内连接结构中使用铜内连接，则可以提高连接线与连接垫之间的接合可靠度与稳定度。第三层内连接(17)以及连接垫(71)是铝合金材质，且制作于第二内层绝缘膜(14)上。开口(74)系制作于第三内层绝缘膜(63)、第四内层绝缘膜(67)、保护绝缘层(72)以及阻挡涂层(73)中，且其底部暴露出连接垫(71)。连接线(75)系嵌入开口(74)而与连接垫(71)形成连接。
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公开(公告)号：TW503616B
公开(公告)日：2002-09-21
申请号：TW090105149
申请日：2001-03-06
申请人： 村田製作所股份有限公司
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/129 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/85205 , H01L2224/85424 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/16195 , H01L2924/20753 , H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49162 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00013
摘要： 一種透過超音波使兩個連接電極與引線接合的引線接合方法，包括如下步驟：由鉭形成連接電極中的至少一個，及由斷裂負荷大約21g或更大的金屬引線和斷裂應力為290N/mm2的金屬引線之一形成引線。
简体摘要： 一种透过超音波使两个连接电极与引线接合的引线接合方法，包括如下步骤：由钽形成连接电极中的至少一个，及由断裂负荷大约21g或更大的金属引线和断裂应力为290N/mm2的金属引线之一形成引线。
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公开(公告)号：TW444252B
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW089103237
申请日：2000-02-24
申请人： 東芝股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L23/53223 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05546 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4847 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/85201 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01041 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2224/48824 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種進行絲焊時可防止焊墊下之有機SOG膜發生裂縫之半導體裝置及其製造方法。
其係於由第一有機SOG層13及以電漿CVD法形成之矽氧化膜或氮化矽膜所成緩衝層14，形成連接於配線12之通路孔15。在包括電漿Si02層13上之形成有通路孔15之區域的區域形成沒有溝構17之第二有機SOG層16。並且沿著第17及通孔15之表面形成鍍覆層18。另在通路孔15及溝槽17內埋設形成通孔l9及焊墊20。在第二有機SOG層16形成具有露出焊墊20之開孔22之保護層21。然後，在露出於開孔22之焊墊20上形成引線20。简体摘要： 本发明提供一种进行丝焊时可防止焊垫下之有机SOG膜发生裂缝之半导体设备及其制造方法。 其系于由第一有机SOG层13及以等离子CVD法形成之硅氧化膜或氮化硅膜所成缓冲层14，形成连接于配线12之通路孔15。在包括等离子Si02层13上之形成有通路孔15之区域的区域形成没有沟构17之第二有机SOG层16。并且沿着第17及通孔15之表面形成镀覆层18。另在通路孔15及沟槽17内埋设形成通孔l9及焊垫20。在第二有机SOG层16形成具有露出焊垫20之开孔22之保护层21。然后，在露出于开孔22之焊垫20上形成引线20。
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公开(公告)号：TW354856B
公开(公告)日：1999-03-21
申请号：TW086115443
申请日：1997-10-20
申请人： 三星電子股份有限公司
发明人： 任旻彬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/4951 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/06136 , H01L2224/32245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48624 , H01L2224/48699 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
摘要： 一種半導體晶片封裝體包含設置於中央之積體電路(IC)區活性表面上之電極墊及設置於周邊之電極墊。封裝體又包含引線框其具有第一內引線直接搭接於活性面並電連接至中央電極墊，第二內引線其遠離晶片且電連接至周邊電極墊，第一外引線耦合於第一內引線，而第二外引線耦合至第二內引線。經由沿晶片之長側或IC之短側鋪設第二外引線可形成一種雙重型或四重型封裝體。
简体摘要： 一种半导体芯片封装体包含设置于中央之集成电路(IC)区活性表面上之电极垫及设置于周边之电极垫。封装体又包含引线框其具有第一内引线直接搭接于活性面并电连接至中央电极垫，第二内引线其远离芯片且电连接至周边电极垫，第一外引线耦合于第一内引线，而第二外引线耦合至第二内引线。经由沿芯片之长侧或IC之短侧铺设第二外引线可形成一种双重型或四重型封装体。
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公开(公告)号：TW337035B
公开(公告)日：1998-07-21
申请号：TW086111861
申请日：1997-08-19
申请人： 東芝股份有限公司
发明人： M.B.亞南度
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/45124 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48766 , H01L2224/85201 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2224/05556 , H01L2924/00
摘要： 本發明之課題，係消除鑲嵌(damascene)製程造成的元件接合不良。
接合電極 21 形成格子狀。在被動層 22正下面配置蝕刻中止層。被動層 22 及蝕刻中止層中，在接合電極21 上設置有開口 23 。使絕緣層 27充滿格子狀的接合電極21之間。接合線連接於格子狀的接合電極 21。简体摘要： 本发明之课题，系消除镶嵌(damascene)制程造成的组件接合不良。 接合电极 21 形成格子状。在被动层 22正下面配置蚀刻中止层。被动层 22 及蚀刻中止层中，在接合电极21 上设置有开口 23 。使绝缘层 27充满格子状的接合电极21之间。接合线连接于格子状的接合电极 21。
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公开(公告)号：TW331662B
公开(公告)日：1998-05-11
申请号：TW086113409
申请日：1997-09-15
申请人： 華邦電子股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/45124 , H01L2224/4847 , H01L2224/48724 , H01L2224/48766 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/85399
摘要： 本發明之接合墊區結構係可應用於積體電路之輸出、輸入、電位接合墊處，其於導電層與護層互為重疊區域下方之絕緣層和導電層間，設置有複數島狀物或嵌入口，藉由此間之機械性連鎖方式增加接合墊區抗剝離之能力。再者，亦可藉由近導線牽引方向之部份重疊區寬度較其他重疊區者為寬，更能強化導電層和護層間之黏合力。
简体摘要： 本发明之接合垫区结构系可应用于集成电路之输出、输入、电位接合垫处，其于导电层与护层互为重叠区域下方之绝缘层和导电层间，设置有复数岛状物或嵌入口，借由此间之机械性连锁方式增加接合垫区抗剥离之能力。再者，亦可借由近导线牵引方向之部份重叠区宽度较其他重叠区者为宽，更能强化导电层和护层间之黏合力。
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公开(公告)号：TW295713B
公开(公告)日：1997-01-11
申请号：TW083108889
申请日：1994-09-26
申请人： 安林公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48699 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/73265 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H05K2201/10689 , H05K2201/10909 , H05K2201/2081 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 本發明揭示一種組裝電子包裝件(30)之方法﹐其中一引線框架(50)之諸外引線末端(14)可焊接至外電路(36)﹐而無需錫或焊料塗層。在包裝件(30)組裝前﹐將一抗氧化層(44)敷著於引線框架(50)。在外引線(14)焊接(38)前除去抗氧化層(44)﹐提供一清潔無氧化物之金屬表面(46)以供焊接(38)。(圖６)
简体摘要： 本发明揭示一种组装电子包装件(30)之方法﹐其中一引线框架(50)之诸外引线末端(14)可焊接至外电路(36)﹐而无需锡或焊料涂层。在包装件(30)组装前﹐将一抗氧化层(44)敷着于引线框架(50)。在外引线(14)焊接(38)前除去抗氧化层(44)﹐提供一清洁无氧化物之金属表面(46)以供焊接(38)。(图６)
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公开(公告)号：TW217459B
公开(公告)日：1993-12-11
申请号：TW082105077
申请日：1993-06-25
申请人： 萬國商業機器公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53271 , C23C18/50 , C25D3/54 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/6835 , H01L21/76838 , H01L23/4951 , H01L23/4985 , H01L23/49872 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/051 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05572 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/10126 , H01L2224/1145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13101 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/2919 , H01L2224/3015 , H01L2224/32245 , H01L2224/45101 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48609 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48709 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48809 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/73215 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2224/92147 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2924/01048 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48824 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599
摘要： 包含矽、鍺之材料被使用於電子設備內之導體表面上。焊料可牢固地固定和線可線接於此表面上，這些材料被用作包裝積體電路晶片之線框的表面塗層，此材料也可轉印於導體表面上或是以無電極地或電解地方式設置於該導體表面上。
简体摘要： 包含硅、锗之材料被使用于电子设备内之导体表面上。焊料可牢固地固定和线可线接于此表面上，这些材料被用作包装集成电路芯片之线框的表面涂层，此材料也可转印于导体表面上或是以无电极地或电解地方式设置于该导体表面上。
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公开(公告)号：TWI581393B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104130159
申请日：2009-08-21
发明人： 小松幹彥 , KOMATSU, MIKIHIKO , 日高隆雄 , HIDAKA, TAKAO , 木村純子 , KIMURA, JUNKO
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , G06F1/26 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L2223/6611 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01003 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/01039 , H01L2924/00 , H01L2224/48257 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
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公开(公告)号：TW201603222A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104130159
申请日：2009-08-21
发明人： 小松幹彥 , KOMATSU, MIKIHIKO , 日高隆雄 , HIDAKA, TAKAO , 木村純子 , KIMURA, JUNKO
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , G06F1/26 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L2223/6611 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01003 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/01039 , H01L2924/00 , H01L2224/48257 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： 本發明係提供關於複數半導體晶片層積於同一封裝之半導體裝置中，將複數半導體晶片之中任一個所產生的電壓作為電源電壓供給其他的半導體晶片並可使其穩定動作之技術。 本發明之主要一例，係將2個晶片層積，將焊墊A、B及C分別配置於各自晶片並排的邊，將該等焊墊分別以金屬線wireA、B及C共同地連接。另一例，係沿著與配置有焊墊A、B及C的邊不同的邊配置焊墊H及焊墊J，並進一歩通過金屬線wireHJ將晶片間接合連接。
简体摘要： 本发明系提供关于复数半导体芯片层积于同一封装之半导体设备中，将复数半导体芯片之中任一个所产生的电压作为电源电压供给其他的半导体芯片并可使其稳定动作之技术。 本发明之主要一例，系将2个芯片层积，将焊垫A、B及C分别配置于各自芯片并排的边，将该等焊垫分别以金属线wireA、B及C共同地连接。另一例，系沿着与配置有焊垫A、B及C的边不同的边配置焊垫H及焊垫J，并进一歩通过金属线wireHJ将芯片间接合连接。
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