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公开(公告)号:TW201535621A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:TW103144379
申请日:2014-12-18
申请人: 晟碟半導體(上海)有限公司 , SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. , 晟碟信息科技(上海)有限公司 , SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人: 嚴俊榮 , YAN, JUNRONG , 王偉利 , WANG, WEILI , 王麗 , WANG, LI , 萊 普拉迪波 , RAI, PRADEEP , 路昕 , LU, XIN , 顧劍斌 , GU, JIANBIN , 魯鵬 , LU, PENG
IPC分类号: H01L23/02 , H01L23/043 , H01L23/053
CPC分类号: H05K1/181 , H01L25/065 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/181 , H05K2201/10159 , H05K2201/10515 , H05K2201/2018 , Y02P70/611 , Y10T428/24273 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本發明揭示一種半導體裝置及其之一製造方法。該半導體裝置包含一半導體晶粒,諸如經安裝於一基板之一表面上之一控制器晶粒。一間隔層亦經安裝至該基板上,其中該半導體晶粒適配於經形成通過該間隔層之第一及第二主相對表面之一孔或一缺口內。可將諸如快閃記憶體晶粒之額外半導體晶粒安裝於該間隔層之頂上。
简体摘要: 本发明揭示一种半导体设备及其之一制造方法。该半导体设备包含一半导体晶粒,诸如经安装于一基板之一表面上之一控制器晶粒。一间隔层亦经安装至该基板上,其中该半导体晶粒适配于经形成通过该间隔层之第一及第二主相对表面之一孔或一缺口内。可将诸如闪存晶粒之额外半导体晶粒安装于该间隔层之顶上。
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公开(公告)号:TW201532488A
公开(公告)日:2015-08-16
申请号:TW103136162
申请日:2014-10-20
申请人: 野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人: 小山田成聖 , OYAMADA, SEISEI , 吉澤正充 , YOSHIZAWA, MASAMITSU , 小川裕誉 , OGAWA, HIROTAKA
CPC分类号: H05K1/0231 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H05K1/0298 , H05K1/11 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/09672 , H01L2924/014
摘要: 本發明係一種多層電路基板及半導體裝置,其中,多層電路基板係具備第1及第2絕緣層,和位置於第1絕緣層與第2絕緣層之間的薄板電容器。薄板電容器係夾持介電體而一對的電極則對向,個別連結於一對的電極之各導線配線係同時在與第1或第2絕緣層之薄板電容器相反側中,從多層電路基板之層積方向而視,呈與電極重疊地加以配置者。在多層電路基板之層積方向中,由導線配線則呈與電極重疊地加以配置者,可降低抑制薄板電容器之ESL。
简体摘要: 本发明系一种多层电路基板及半导体设备,其中,多层电路基板系具备第1及第2绝缘层,和位置于第1绝缘层与第2绝缘层之间的薄板电容器。薄板电容器系夹持介电体而一对的电极则对向,个别链接于一对的电极之各导线配线系同时在与第1或第2绝缘层之薄板电容器相反侧中,从多层电路基板之层积方向而视,呈与电极重叠地加以配置者。在多层电路基板之层积方向中,由导线配线则呈与电极重叠地加以配置者,可降低抑制薄板电容器之ESL。
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公开(公告)号:TWI491015B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:TW101136588
申请日:2012-10-03
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 柯斯伯 理查 狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 柔伊 華爾 , ZOHNI, WAEL , 哈芭 畢哥辛 , HABA, BELGACEM , 藍布里奇 法蘭克 , LAMBRECHT, FRANK
CPC分类号: G11C5/04 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C5/066 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/06155 , H01L2224/06156 , H01L2224/06165 , H01L2224/06179 , H01L2224/06181 , H01L2224/06515 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48471 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06575 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/1434 , H01L2924/1435 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15172 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H05K1/181 , H05K2201/09227 , H05K2201/10159 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
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公开(公告)号:TW201526721A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:TW102148380
申请日:2013-12-26
发明人: 楊明桓 , YANG, MING HUAN , 陳韋廷 , CHEN, WEI TING , 張志嘉 , CHANG, CHIH CHIA
IPC分类号: H05K1/02
CPC分类号: H05K1/028 , H05K1/181 , H05K2201/09036
摘要: 一種撓性電子模組,包括:一撓性基材,包括一承載部、一主體部與一連接部,其中該承載部透過該連接部與該主體部連接;一第一溝槽,形成於該承載部與該主體部之間;一電子元件,設置於部分的該承載部上;以及一導線,設置於該承載部、該連接部、與該主體部上,並連接於該電子元件。
简体摘要: 一种挠性电子模块,包括:一挠性基材,包括一承载部、一主体部与一连接部,其中该承载部透过该连接部与该主体部连接;一第一沟槽,形成于该承载部与该主体部之间;一电子组件,设置于部分的该承载部上;以及一导线,设置于该承载部、该连接部、与该主体部上,并连接于该电子组件。
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公开(公告)号:TW201523828A
公开(公告)日:2015-06-16
申请号:TW102146149
申请日:2013-12-13
发明人: 陳仁君 , CHEN, JEN CHUN , 施百勝 , SHIH, PAI SHENG
IPC分类号: H01L23/552 , H01L21/56
CPC分类号: H05K9/0022 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H05K1/181 , H05K9/0037 , H05K9/0039 , H05K9/0064 , H05K13/046 , H05K2201/09036 , H05K2201/10371 , Y10T29/49155
摘要: 本發明實施例提供電子封裝模組的製造方法,所述電子封裝模組的製造方法包括配置複數個電子元件於一載板的表面。設置封裝體於載板的表面且包覆於這些電子元件。分離載板與封裝體。形成多個第一溝槽於封裝體的一第一面。填置導電材料於封裝體的第一面以及這些第一溝槽的表面,以形成一導電層。圖案化位於封裝體的第一面的導電層以形成一電路層,其中電路層包括至少一接地墊。形成多個第二溝槽於封裝體的第二面。形成至少一隔間遮蔽結構於這些第一溝槽以及這些第二溝槽中。形成一電磁遮蔽層,而電磁遮蔽層與接地墊連接。
简体摘要: 本发明实施例提供电子封装模块的制造方法,所述电子封装模块的制造方法包括配置复数个电子组件于一载板的表面。设置封装体于载板的表面且包覆于这些电子组件。分离载板与封装体。形成多个第一沟槽于封装体的一第一面。填置导电材料于封装体的第一面以及这些第一沟槽的表面,以形成一导电层。图案化位于封装体的第一面的导电层以形成一电路层,其中电路层包括至少一接地垫。形成多个第二沟槽于封装体的第二面。形成至少一隔间屏蔽结构于这些第一沟槽以及这些第二沟槽中。形成一电磁屏蔽层,而电磁屏蔽层与接地垫连接。
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公开(公告)号:TWI488557B
公开(公告)日:2015-06-11
申请号:TW102120089
申请日:2013-06-06
发明人: 中越英雄 , NAKAGOSHI, HIDEO , 高木陽一 , TAKAGI, YOICHI , 小川伸明 , OGAWA, NOBUAKI , 高岡英清 , TAKAOKA, HIDEKIYO , 中野公介 , NAKANO, KOSUKE
IPC分类号: H05K3/34
CPC分类号: H05K1/181 , H01L2924/0002 , H05K1/141 , H05K3/284 , H05K3/368 , H05K2201/10318 , H05K2201/10477 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201511365A
公开(公告)日:2015-03-16
申请号:TW103120787
申请日:2014-06-17
发明人: 瓦格那 康拉德 , WAGNER, KONRAD , 霍玆 侏根 , HOLZ, JUERGEN
IPC分类号: H01L33/62
CPC分类号: H01R13/405 , H01R4/2404 , H01R4/2479 , H01R12/718 , H01R24/58 , H05K1/0366 , H05K1/038 , H05K1/056 , H05K1/141 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K3/325 , H05K3/368 , H05K7/02 , H05K2201/012 , H05K2201/0129 , H05K2201/041 , H05K2201/10106 , H05K2201/10189 , H05K2201/10356 , H05K2201/10409
摘要: 一種光電裝置包含第一電路板和第二電路板。在第一電路板上配置一光電半導體晶片。在第一電路板之表面上形成第一電性接觸面和第二電性接觸面。在第二電路板之表面上形成第一反接觸面和第二反接觸面。第一電路板和第二電路板設置成互相連接著,使第一電路板之表面面向第二電路板之表面,第一反接觸面可導電地與第一電性接觸面相連接且第二反接觸面可導電地與第二電性接觸面相連接。
简体摘要: 一种光电设备包含第一电路板和第二电路板。在第一电路板上配置一光电半导体芯片。在第一电路板之表面上形成第一电性接触面和第二电性接触面。在第二电路板之表面上形成第一反接触面和第二反接触面。第一电路板和第二电路板设置成互相连接着,使第一电路板之表面面向第二电路板之表面,第一反接触面可导电地与第一电性接触面相连接且第二反接触面可导电地与第二电性接触面相连接。
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公开(公告)号:TW201511217A
公开(公告)日:2015-03-16
申请号:TW103117902
申请日:2014-05-22
申请人: 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 姜 磊 , JIANG, LEI , 拉馬亞 艾德恩 , RAMAYYA, EDWIN B. , 潘圖索 丹尼爾 , PANTUSO, DANIEL , 羅伊斯 瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 坎恩 克萊恩 , KUHN, KELIN J. , 金世淵 , KIM, SEIYON
CPC分类号: H01L23/38 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/181 , H05K2201/10166
摘要: 本發明之實施例描述用於積體熱電冷卻之技術及組態。於一實施例中,一種冷卻組合包括半導體基底、第一電路,該第一電路係配置於該半導體基底上並組態成當操作時產生熱、及第二電路,其係配置於該半導體基底上並組態成藉由熱電冷卻以移除熱。其他實施例被描述及/或主張權利。
简体摘要: 本发明之实施例描述用于积体热电冷却之技术及组态。于一实施例中,一种冷却组合包括半导体基底、第一电路,该第一电路系配置于该半导体基底上并组态成当操作时产生热、及第二电路,其系配置于该半导体基底上并组态成借由热电冷却以移除热。其他实施例被描述及/或主张权利。
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公开(公告)号:TWI473127B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:TW102111659
申请日:2013-03-29
发明人: 賴秦新 , LAI, CHIN HSIN , 陳志澤 , CHEN, CHIH TSE
CPC分类号: H01F27/29 , H01F27/027 , H01F27/2828 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K2201/09409 , H05K2201/1003
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公开(公告)号:TWI472283B
公开(公告)日:2015-02-01
申请号:TW099111229
申请日:2010-04-12
发明人: 小谷幸太郎 , KODANI, KOTARO , 中村順一 , NAKAMAURA, JUNICHI
IPC分类号: H05K3/34 , H01L23/498
CPC分类号: H01L23/49816 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L2221/68359 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/15174 , H05K1/09 , H05K1/111 , H05K1/113 , H05K1/115 , H05K1/116 , H05K1/181 , H05K3/205 , H05K3/4007 , H05K3/4682 , H05K2201/0367 , H05K2201/10242 , H05K2201/10674 , H05K2203/0376 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
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